基于ADAMS的PE750×1060复摆颚式破碎机运动仿真分析

主要研究了PE750×1 060复摆颚式破碎机,通过在SIEMENS NX8软件中建立其工作装置的模型,并利用ADAMS软件进行运动学仿真分析,得到活动颚板的运动轨迹,包括动颚水平行程、垂直行程、排料层啮角和传动角等,为该破碎机的开发提供了参考,并为其机构优化奠定了基础。     

对建筑工程回访与保修有效管理的思考

就目前建筑工程竣工交付使用后的回访与保修中存在的主要问题进行了探讨，究其产生的原因，对工程整体效益且争议较多的回访与保修的组织与安排、回访与保修范围的确定、经济责任的划分等提出一些可行的建议，以促进建筑工程竣工交付使用后的质量跟踪管理更加规范化、制度化。     

半绝缘砷化镓中EL2浓度的自动测量系统

本文介绍了使用通用计算机外部控制 PE Lambda-9分光光度计,设计完成了数据处理工作站,利用此工作站形成了一套半绝缘砷化镓中EL2浓度微区分布的自动测量系统。     

浅谈施工合同中价款方式的应用与合理选择

施工合同中价款方式包括总价、单价、成本加酬金,以《建设工程施工合同》（GF—1999—0201）为范本,解析施工合同中与工程经济效益、最终工程结算造价密切相关的且较易制约对方的造价计价条款（简称价款）,就其方式进行应用比较,并结合建设工程项目的特点提出合理化选择建议。     

基于PLC变频控制的物料分拣控制系统设计

为提高自动化生产线上物料分拣的效率,设计了基于PLC变频控制的物料分拣控制系统。该系统以PLC为核心控制器,采用传感器检测物料的材质和颜色,采用变频器调节速度。根据分拣系统的控制要求,完成了PLC的I/O分配、硬件接线设计和程序设计。实验结果表明,所设计的控制系统运行稳定可靠,提高了分拣的准确性和效率。     

红外透射光谱测量重掺杂化合物半导体裁流子浓度方法的研究

文报道了用红外透射光谱测量重掺杂化合物半导体n-GaAs和n-InP 载流子浓度的研究结果.给出了载流于浓度N和透射光谱截止波长λ_c的关系曲线,对应的经验公式为:对于 n-GaAs,N=1.09 × 10~(21)λ_c~(3.0623);n-InP,N=3.58 × 10~(20)λ_c~(-2.6689).本方法载流子浓度测量范围为 1.0×10~(17)≤N≤2.0 ×10~(19)cm~(-3),测量误差 ±10～15％.文中对测量条件进行了讨论,并给出了GaAs:Si样品载流子浓度径向分布的测量结果.     

GaAs中碳受主局域振动模积分吸收的温度关系

Ga As中碳 (C)受主局域振动模 (LVM)积分吸收的温度关系是一个受到广泛关注和研究的问题。但是 ,不同研究者得到的定量研究结果具有很大差异。迄今对导致这种差异的原因及积分吸收随温度变化的机理尚不完全清楚。本研究表明 ,二者均与 C受主 L VM主吸收带的低能边出现的一个吸收边带有关。该边带可能起因于 C受主 L VM第一激发态向第二激发态的跃迁。     

热处理和淬火的未掺杂半绝缘LEC GaAs的均匀性

对未掺杂原生ＬＥＣＳＩＧａＡｓ单晶在５００～１１７０℃温度范围进行了单步、两步和三步热处理及淬火，研究了这种热处理对ＥＬ２分布的影响，并检测了位错和Ａｓ沉淀的变化。结果表明，６５０℃以上温度的热处理可以改善ＥＬ２分布均匀性，且在６５０～９５０℃温度范围的热处理中，ＥＬ２均匀性的改善与热处理后的降温速率无明显联系。此外，两步或三步热处理的样品中ＥＬ２分布甚至比单步热处理样品中更优。９５０℃以下的热处理和淬火对位错和Ａｓ沉淀无明显影响。但是１１７０℃热处理井淬火后位错密度增加大约３０％，Ａｓ沉淀消失。对经１１７０℃淬火的样品再进行８０Ｏ℃或９５０℃的热处理，Ａｓ沉淀重新出现。ＥＬ２分布的变化可能与点缺陷、位错和Ａｓ沉淀的相互作用有关。文中提出了这种相互作用的模型，利用该模型可解释不同条件热处理后ＥＬ２分布的变化。     

LECGaAs中杂质和本征点缺陷分布对EL2分布的影响

用红外吸收、熔体KOH腐蚀和霍尔效应测量等方法测量了硅掺杂和未掺杂LEC GaAs中EL_2浓度([EL_2])分布、位错密度分布、碳分布及硅分布发现掺硅和未掺杂样品中[EL_2]分布和位借密度分布的对应关系不同。[EL_2]分布与杂质和本征点缺陷分布有关。在实验结果的基础上讨沦了[EL_2]分布不均匀性的机理。