溅射氩气压对TbFeCo薄膜磁和磁光性能的影响

研究了射频磁控溅射氩气压的变化对TbFeCo薄膜的磁和磁光特征的影响，以及不同溅射氩气压下TbFeCo薄膜退火后的特性，溅射氩气压的变化通过改变表面状态影响TbFeCo薄膜矫顽力和克尔角，另外，溅射氩气压的变化会影响被溅射原子轰击薄膜的速度，从而影响TbFeCo薄膜的垂直磁各向异性，矫顽力，磁光点尔效应。     

磁光盘多层结构AIN和AlSiN薄膜材料研究

本文研究了磁光材料保护膜ＡＩＮ和ＡＩＳｉＮ薄膜材料，讨论了它们的性能与溅射工艺参数的关系，研究了ＡＩＮ及ＡｌＳｉＮ薄膜对磁光盘材料的保护作用，研究同时表明：ＡＩＮ及ＡｌＳｉＮ保护膜能对磁光材料起干涉增强磁光克尔效应作用。     

光调制直接重写磁光多层膜测试方法研究

为了测试光调制直接重写磁光多层膜的磁光性能 ,试制了磁光多层膜光调制直接重写特性测试系统。磁光信号检测采用改进差动式检测 ,检测方式仅与磁光克尔角大小有关 ,可以用来作样品的克尔角指示。同时 ,该检测方式由于不受激光功率和盘片反射率变化的影响 ,对光电探测器的温漂特性也有良好抑制作用 ,更适合静态实验的需求 ,可以较好地测试光调制直接重写磁光多层膜的磁光性能。     

硬盘用高密度垂直磁记录薄膜研究进展

综述了硬盘用高密度垂直磁记录薄膜的研究发展状况,包括几种重要垂直磁记录薄膜的膜层结构与制备方法。垂直磁记录介质的噪声降低问题。     

NiO/Co/Cu/Co/NiFe自旋阀多层膜研究

采用射频磁控溅射方法制备了一系列自旋阀多层膜。在Cu/NiFe界面处插入适当厚度的Co薄层,可增强界面处的自旋相关散射,增大自旋阀的MR值。用绝缘材料NiO作钉扎层,在大磁场中淀积了NiO/Co/Cu/Co/NiFe底自旋阀,其最大MR值达6％。     

超分辨近场结构光磁混合存储介质温度场模拟

为了进一步减小光磁混合存储记录位尺寸,建立了用于光磁混合存储记录介质的超分辨近场结构膜层模型、近场光场模型及温度场模型,采用有限元方法对超分辨近场结构光磁混合存储介质记录层的温度场进行了计算模拟。计算中采用的光磁混合记录介质膜层结构为C(2nm)/Sb(10nm)/SiN(10nm)/Co75Cr15Pt10(30nm). 当写入温度为550K时,随着入射激光功率的增加,光磁混合存储介质记录层温度场可写入区域面积增加。当激光功率从3.9mw增至6.9mw时,温度场可写入区域横向及纵向尺寸增加约1倍,记录密度减小至原记录密度的四分之一。     

基于FFT的磁性参数的估算方法

当弱的磁化强度信号被噪声污染时,甚至外加磁场信号也被噪声污染对,用FFT方法可以获得两种信号的有限项的Fourier级数表达式,然后由表达式直接计算出磁性参数。这是一种有效而又快捷的计算方法。     

交换耦合双层膜NiO/Ni81Fe19的基片温度效应研究

用射频磁控溅射方法在不同基片温度下玻璃基片上分别制备NiO单层膜、NiFe单层膜和NiO／NiFe双层膜,研究了不同基片温度对膜的磁性能的影响．用振动样品磁强计（VSM）分析了膜的磁特性,结果表明：基片温度260℃时淀积的NiFe膜矫顽力Hc为184A·m－1,小于室温淀积NiFe膜的Hc（584A·m－1）,且磁滞回线的矩形度更好．室温下淀积NiO（50nm）／NiFe（15nm）双层膜的Hc为4000A·m－1,交换耦会场（HEX）仅为1600A·m－1,磁滞回线的短形度很差,而260℃时淀积的双层膜的Hc下降到3120A·m－1,HEX却增大为4640A·m－1,同时磁滞回线的矩形度也得到改善,其截止温度TB高达230℃．X射线衍射（XRD）分析了膜的织构,结果表明：室温下淀积NiO膜呈现（220）织构,而260℃时淀积NiO膜呈现（111）织构;室温和260℃淀积的NiFe膜都呈（111）织构,但后者晶粒比前者大．     

磁光盘静态特性参数的计算机辅助测试

文中指出了这种辅助测试的基础,介绍了该测试的条件和目的,论述了系统的硬件设计和软件设计。     

磁各向异性常数的快速傅立叶变换估算方法与实现

论述了磁各向异性常数的快速傅立叶变换（ＦＦＴ）的估算原理、实现方法以及实现中磁转矩函数周期的识别、样本的取舍、傅氏级数的系数选取等问题。并给出一个实际计算的例子,该方法在应用中比其它方法更简单、更快。