多孔氧化铝模板上TbFeCo薄膜的制备及磁性能

利用两步阳极氧化方法在玻璃基板上成功制造孔洞排列有序的多孔氧化铝基底,实验结果表明,孔洞大小范围在10～50nm,孔洞大小可通过氧化电压和氧化温度进行调节,随氧化电压和温度降低而减小.多孔氧化铝底层对其上溅射生长的TbFeCo磁性能有重要影响,多孔氧化铝基底对TbFeCo的畴壁运动有较强的钉扎作用,增大其矫顽力,矫顽力随孔洞的直径增大而减小,从15nm时的4.5×105A/m下降到40nm时的2.8×105A/m,并逐步趋近无AAO膜板时TbFeCo的矫顽力.同时多孔氧化铝基底的引入,使TbFeCo薄膜的矫顽力机制从以磁晶各向异性为主改变为以形状各向异性为主.     

GdFeCo/AlN/DyFeCo静磁耦合多层薄膜磁化方向转变的研究

对 Gd Fe Co/Al N/Dy Fe Co静磁耦合多层薄膜变温磁化方向变化进行了研究。结果表明读出层 Gd Fe Co随温度上升从平面磁化转变成垂直磁化 ,转变过程中受饱和磁化强度 (Ms)和有效各向异性常数影响 ,但主要受饱和磁化强度 (Ms)的影响。在高温时读出层的磁化强度很小 ,退磁场能减小 ,在静磁耦合作用下 ,使 Gd Fe Co读出层的磁化方向发生转变 ,而且磁化方向的转变在较小的温度范围内变化较快。     

钡铁氧体垂直磁化薄膜的磁光特性研究

本文研究了钡铁氧体垂直磁化膜在垂直磁记录及磁光记录方面应用的基本磁及磁光特性。利用射频磁控溅射方法，采用正份及非正份陶瓷靶制备了钡铁氧体薄膜，在纯氧气氛下经不同退火温度晶化，制成钡铁氧体垂直磁化膜。在优化的溅射参数及最佳的退火工艺下，得到了性能良好的钡铁氧体垂直磁化膜。研究了薄膜的磁光记录应用特性，并讨论了溅射工艺参数及退火工艺对薄膜性能的影响     

共溅射与多层膜溅射制备FePt：Ag颗粒膜的微观结构比较

采用共溅射和多层膜溅射两种不同的溅射方式制备FePt：Ag颗粒膜。MFM和TEM微观结构观测的结果表明：与多层膜溅射制备的FePt：Ag颗粒膜相比，共溅射制备的颗粒膜具有更小的磁畴尺寸和晶粒尺寸，并且其磁畴和晶粒的分布更加均匀。这种微观结构上的区别可解释为共溅射制备的颗粒膜中Ag原子的分布更加具有随机性。对薄膜内部缺陷的研究进一步证实了该解释。     

基于多采样频率的磁电阻效应测试方法研究

磁电阻效应特性曲线是一个具有脉冲特性的非线性曲线 ,在滤波和多采样频率间制定一个最优方案 ,可以改善磁电阻效应的测试。测量结果表明 ,该方法明显改善了磁电阻特性曲线 ,特别是在峰值或谷值附近 ,提高了对参数估计的精度     

光调制直接重写磁光多层膜的制备及其性能研究

本文研究了光调制直接重写磁光多层膜的制备及其磁与磁光特性.成功研制了满足光调制直接重写要求的不同居里温度的磁光存储介质.     

磁光直接重写技术原理分析

讨论了磁光记录直接重写技术的两种主要机理,即磁场调制直接重写和光强调制直接重写,分析了它闪的优缺点。并对多层膜交换耦合原理及其在光强调制直接重写中各层的作用进行了详细讨论。光强调制技术具有更多方面的优越性,它将是未来提高磁光数据传输率的主要研究方向。     

磁光盘抗腐蚀研究的进展

介绍了国内外磁光盘抗腐蚀研究的进展，比较了目前常用的几种保护材料的基本特性，分析了对磁光盘进行优化设计的关键技术，在对现有的磁光保护层材料的不足进行分析的基础上，预测了磁光盘保护材料研究发展的未来趋势。     

NdTbCo/Cr非晶垂直磁化膜的制备及性能

采用射频磁控溅射法在玻璃基片上制备了NdTbCo/Cr非晶垂直磁化膜。探讨了溅射功率与溅射时间对薄膜磁性能的影响,发现当溅射功率为250 W,溅射时间为4 min时,垂直膜面方向矫顽力为272.8 kA.m-1,剩磁矩形比达到0.801,可以较好地满足高密度垂直磁记录的要求。研究了Nd掺杂对薄膜磁性能与磁光性能的影响,发现随着Nd掺杂量的增多,薄膜的矫顽力从413.8下降为210.9 kA.m-1,饱和磁化强度与克尔旋转角则分别从144 kA.m-1和0.2720°上升为252 kA.m-1和0.3258°。温度对NdTbCo/Cr薄膜克尔旋转角的影响也与Nd的掺杂量密切相关。     

AlN薄膜取向程度与实验参数间的函数关系

反应溅射制备ＡｌＮ 薄膜时,薄膜的择优取向与众多的实验参数有关．建立晶面择优取向程度与溅射气压、靶基距、靶功率等重要实验参数之间的函数关系,避免了研究每一项参数对薄膜择优取向影响所需的实验次数的繁多,得到制备择优取向程度最佳薄膜的实验参数．同时,通过用该函数关系式计算得到结果与实验结果比较,发现两者具有很好的一致性．这一系列函数关系式的建立,对进一步设计新的实验方案、验证已有的实验结果以及制备良好择优取向薄膜都有着重要意义．