光磁混合记录技术及材料进展

光磁混合记录技术是一种将磁光记录及磁记录的优点相结合,获得极高存储密度的新型数据记录方式.文中较全面地介绍了这种记录方式的基本原理、读写方式、记录介质及记录磁头研究现状,展望了这种记录方式的前景,探讨了目前所面临的问题.     

磁光记录薄膜擦写疲劳特性测试系统的研制

成功研制了磁光记录薄膜擦写疲劳特性测试系统。系统中利用串联谐振法 ,获得了重复频率为 1 k Hz、峰值磁场达 4 0 k A/m的高频双向脉冲磁场 ,同时采用除法式读出消除了读出激光功率波动     

GdFeCo/AIN/DyFeCo静磁耦合多层薄膜磁化方向转变的研究

对GdFeco／AIN／DyFeco静磁耦合多层薄膜变温磁化方向变化进行了研究。结果表明读出层GdFeCo随温度上升从平面磁化转变成垂直磁化，转变过程中受饱和磁化强度(M)和有效各向异性常数影响，但主要受饱和磁化强度(M)的影响。在高温时读出层的磁化强度很小，退磁场能减小，在静磁耦合作用下，使GdFeCo读出层的磁化方向发生转变，而且磁化方向的转变在较小的温度范围内变化较快。     

溅射参数对SmCo/Cr薄膜铬底层晶面取向及磁学性能的影响

采用直流磁控溅射法制备SmCo／Cr薄膜磁记录材料，通过改变Cr底层制备过程中的功率、靶基距、溅射压强和溅射时间，得到了磁性能不同的SmCo／Cr薄膜。利用X射线衍射法对Cr底层晶面取向和磁控溅射参数之间的关系进行了研究，结果表明：如果改变溅射参数，使沉积cr原子获得较大的能量，则有利于Cr底层最终以(110)晶面择优取向。本实验中Cr底层以(110)晶面择优取向的最佳实验条件为：溅射功率在50～70w左右，靶基距为6cm，压强为0．5Pa，溅射时间为15min。利用振动样品磁强计(VSM)测定SmCo／Cr薄膜的磁学性能，结果表明，如果Cr底层能以(110)晶面择优取向，所得到的SmCo／Cr薄膜的磁学性能较好。     

基于电压运算法的克尔角测试系统研究

本文研究了一种基于电压运算法的磁性薄膜克尔角测量方法。运用该方法可以直接由模拟电路计算得出克尔角。测试系统中使用四象限光电池代替-路光电池进行差动运算，四象限光电池同时兼有对光和光强检测的功能。文中对测量误差进行了简要的论述，分析了四象限光电池引入的系统误差和修正方法。分析和实验结果表明，该方法可以准确地测量克尔角。     

SmCo／Cr薄膜中Cr底层最佳溅射条件的正交设计研究

在SmCo/Cr薄膜中，Cr底层的取向结构对薄膜的磁学性能有很大的影响。设计了4因素3水平的正交实验L9(3^4)，并通过数理统计的方法分析了Cr底层的溅射参数对SmCo／Cr薄膜矫顽力的影响。用较少的实验得到Cr底层的最佳实验条件：靶基距为4cm，功率为50w，溅射气压为0．5Pa，溅射时间为9min。并发现了靶基距、功率和溅射气压对薄膜矫顽力的影响较大，其中靶基距是薄膜矫顽力最主要的控制因素。而溅射时间在所取的水平上对薄膜矫顽力的影响最小。本实验设计可达到95％的置信度。     

傅立叶变换法计算磁各向异性常数的误差分析与修正

傅立叶交换法是利用磁转矩测试仪测量磁性薄膜材料各向异性常数的一种重要方法,但是其在计算中用外加磁场的方向近似样品的自发磁化方向,由此会产生较大的误差。对这种误差进行了分析,并提出了修正这种误差的简单方法。     

抗恶劣环境光盘的结构和温度特性研究

分析了磁光记录技术的发展趋势，研究了磁光盘的结构及溅射工艺，研究成功了宽温（使用温度范围-20～＋60℃、高湿60％～95％RH）抗恶劣环境的磁光盘。     

DyFeCo磁光记录膜的制备及其磁光记录特性的厚度效应

利用磁控溅射方法制备DyFeCo薄膜，磁光特性的测量表明，在适当的溅射条件下，DyFeCO薄膜具有良好的磁光记录特性。同时，矫顽力的大小与薄膜厚度有关，其内在机制可“用内应力“钉扎”结构来解释     

磁超分辨(MSR)在磁光数据存贮技术中的应用

采用交换、静态耦合多层膜超磁分辨方法可以超越光学极限实现高密度磁光记录。本文系统地讨论了前孔探测磁超分辨、后孔探测磁超分辨、中孔探测磁超分辨和双罩探测磁超分辨的应用原理和发展前景