阳极氧化铝底层对SmTbCo薄膜磁性能与结构影响的研究

采用两次阳极氧化法制备了孔洞排列有序的多孔氧化铝基底,并在其上用磁控溅射法制备了SmTbCo垂直磁化膜. 振动样品磁强计（VSM）测试结果显示,加入阳极氧化铝底层后可以将SmTbCo薄膜的矫顽力从370kA/m提高到530kA/m,并且随着氧化铝底层孔洞直径的减小,上层SmTbCo磁性薄膜的矫顽力与剩磁矩形比随之增大. 由薄膜断面的扫描电镜（SEM）照片可以看出,阳极氧化铝底层由于其自组织效应所形成规则密集的六角边形多孔结构能够明显促使上层的SmTbCo磁性薄膜生成柱状结构. 这一柱状结构提高了薄膜的矫顽力,从而拓宽了SmTbCo薄膜材料在超高密度垂直磁记录中的应用.     

测量静态磁光参数的盘温测控系统研制

本文介绍了磁光静态磁参数测量用盘温控制系统的软硬件研制方法。硬件部分以8031单片机为核心包括数据采集、测量处理的温度控制部分,并利用单片机和上位机之间的双向通讯功能实现温度设定及显示;软件部分采用C语言和MCS51汇编语言编制,控温范围为0～1000℃,控温精度为±0．8℃。     

薄膜厚度对NiO/NiFe/Cu/NiFe自旋阀多层膜的磁阻效应的影响

用射频磁控溅射方法制备多层膜,研究了双层膜NiO／NiFe的矫顽力Hc和交换耦合场Hex与反铁磁层NiO、铁磁层NiFe厚度的关系。结果表明：NiO厚度为70nm时,Hex最大;Hc随NiO厚度增大而增大。当NiFe厚度增加时,Hex近似线性减小;而矫顽力则随NiFe厚度增大开始有缓慢增加,然后才减小。对于NiO（70nm）／NiFe（t1nm）／Cu（2．2nm）／NiFe（t2nm）自旋阀多层膜材料,研究了NiFe膜厚度对磁阻效应的影响。结果表明：被钉扎层NiFe的厚度为3nm时,自由层NiFe的厚度为5nm时,MR值分别最大,约为1．6％。     

铁电PZT系列薄膜结构和性能的研究

采用射频磁控溅射技术制备了铁电PZT薄膜。研究了不同温度烧结的靶材与溅射薄膜成分的关系，深入探讨了薄膜的退火工艺对薄膜晶体结构和铁电性能的影响。认为当靶材原始配方相同时，则低温（900℃）烧结的靶材使得薄膜中有过剩的PbO存在，有利于改善和提高薄膜的铁电性能；而高温（1200℃）烧结的靶材，由于退火后薄膜中PbO的含量小于化学计量比，使得薄膜的铁电性能变差。实验表明，薄膜的最佳退火条件为600～650℃，60min，典型的剩余极化强度为13．2μC／cm2，矫顽场为55．5kV／cm2。     

沉积在Pt电极上的铁电PZT薄膜特性

研究了射频磁控溅射沉积在Pt电极上的Pb（Zr0．53Ti0．47）O3薄膜特性。经过不同温度退火处理后得到了钙钛矿结构的PZT薄膜。在对其结构的形成和变化进行研究的基础上，探讨了薄膜PZT相的形成机理。其电性能的测试表明，这种铁电PZT（53／47）薄膜具有较好的铁电性能和疲劳特性。在600℃下PZT薄膜的剩余极化强度Pr为24．8μC／cm2，矫顽场强度Ec为70kV／cm。210kV／cm的电场下，疲劳循环直到4×108次时，最大极化强度仍有20．6μC／cm2，降低了约34％，其剩余极化强度保持为10μC／cm2左右。     

溅射方法对FePt:Ag颗粒膜磁性能及微观结构的影响

分别采用共溅射和多层膜溅射方法制备了FePt:Ag颗粒膜.样品的磁性能和微观特性分别用振动样品磁强计(VSM)、磁力显微镜(MFM)和透射电镜(TEM)进行了表征.研究结果表明:多层膜溅射制备的FePt:Ag颗粒膜能在较低的退火温度下发生有序化相变;而共溅射制备的FePt:Ag颗粒膜经过相同的退火条件后,具有更高的矫顽力,及更细、分布更均匀的晶粒和磁畴结构.     

基于磁旋转编码器定位控制系统的研究

文章提出一种磁旋转编码器方法用于热连铸轧钢生产线从卷取机上卸载并输送带钢的小车测控。介绍磁旋转编码器测控系统的原理,包括:磁旋转编码器的工作原理、放大整形电路的设计、倍频电路的设计、单片机接口和测控软件的设计。该系统的特点是能抗恶劣环境、可靠性高、精确度高、结构简单、使用寿命长。     

SmCo/Cr磁性薄膜的工艺与性能

通过对磁控溅射条件的优化,制备出了较理想的 SmCo(Al,Si)/Cr硬盘磁记录介质。退火处理后又得到较好的硬磁薄膜。结果表明, Sm含量在 31.6％ atm,Cr缓冲层为 66 nm, Sm(CoAlSi)5磁性层为 30 nm等条件下,制得的 Sm(CoAlSi)5/Cr薄膜的矫顽力 (Hc)为 187.8 kA/m(2.36 kOe),矩形比 (S=Mr/Ms)≈ 0.94;在 500℃保温 25 min退火后,矫顽力 (Hc)达 1042.5 kA/m(13.1 kOe),矩形比 (S)≈ 0.92。     

SrTiO3(111)衬底上KTa0.65Nb0.35O3薄膜的取向生长研究

以乙酸钾、乙醇钽、乙醇铌为前驱体，在SrTiO_3（111）衬底上取向生长了KTa_（0.65）Nb_（0.35）O_3薄膜.通过DTA-TG分析，确定了预烧工艺，发现钙钛矿结构KTN在高温（＞950℃）下可分解，产生缺钾中间相K_2Ta_4O_11．单层凝胶膜预热处理（＞450℃），多层覆盖，慢速升降温（1～2℃／min），750℃保温2h，可得到晶粒大小分布均匀，平均直径约0．2μm、致密的薄膜．升高温度、延长时间，晶粒长大，甚至团聚，产生气孔、裂纹，烧结温度应控制在950℃以下．     

一种提高识别矫顽力精度的方法

当软磁材料的矫顿力低于几十奥斯特,甚至十以下奥斯特时,用能产生上万奥斯特外加磁场的VSM去测量时,其精度会受到一定的限制。如果采用一个合适的滤波器处理使外加磁场信号H和磁化强度信号M有一个合理的相位差,那么可以避开因零点附近的噪声对矫顿力估算精度的影响。