鲁东南藤稔葡萄黑痘病防治技术研究

近几年来,随着农业产业结构的调整,葡萄在费县得到大面积推广种植,特别藤稔葡萄在该区表现出品质好、产量高,且成熟期比巨峰早,成为鲁东南地区主栽品种之一.但葡萄黑痘病在该区发生较为严重,针对这种情况,我们于2002～2004年成立课题小组,对藤稔葡萄黑痘病的综合防治技术进行初步研究,总结如下:     

具有90nm调谐范围的1.3μm Si基MOEMS可调谐光滤波器

利用表面微机械技术,成功制作了1.3μm Si基MOEMS可调谐光滤波器.原型器件在5 0 V的调谐电压下,调谐范围为90 nm.该技术可以用于制作1.3μm Si基可调谐光探测器.     

卧式弹簧疲劳试验机的设计及开发

疲劳破坏是弹簧主要的失效形式,弹簧疲劳试验是弹簧投入使用前的必测项目,只有通过严格的测试才能够投入使用.由于弹簧的结构种类繁多,受力情况各不相同,因此对于寿命检测与评价方法也不同.本文从卧式弹簧试验机的组成结构、工作原理、技术要点及创新点、应用后的有益性等多个方面来分析,得出该试验机械结构设计方案的可靠性.这种新型得试...     

一心也能两用——巧将MP3播放机变移动存储器

近日我购买了一台MP3播放机,在欣赏美妙音乐的同时,也体会了可以用MP3播放机与电脑相连上传、下载音乐的乐趣。最近在用一个朋友的数码相机时,与电脑相连上载照片时,发现在Windows 2000当中是将数码相机的存储卡认为“可移动式磁盘”,而我的MP3播放机也使用存储卡,而且可以上载,下载MP3歌曲,也就是可以与电脑互相传送文件,只不过文件格式必须为*.MP3。因此要用MP3播放机存储普通文件,可以采用一     

浅析职业学校弹性学制

在我国的教育结构中,职业教育具有不可替代的地位和作用。随着中等职业教育改革的深入发展,职业教育的学制变革已经迫在眉睫,实行弹性学制,推动职业教育的飞速发展,是时代的呼唤和需要。借鉴发达国家的教育经验,作者在此对我国职业教育的弹性学制做了论述。     

硅基IV族光电器件研究进展(二)——光电探测器

基于Ge、GeSn等IV族材料的硅基探测器与Si CMOS工艺兼容性好,成本低廉,并且易于与硅基波导器件集成,因而具有非常重要的应用价值。介绍了中国科学院半导体研究所在相关硅基IV族合金材料外延制备及相关器件方面的研究,重点介绍在硅基Ge面入射探测器、波导型探测器、吸收电荷倍增分离型(SACM)结构雪崩光电探测器以及GeSn光电探测器方面的一些研究进展。     

硅基有序截锥短纳米线的陷光特性

高效陷光是提高薄膜太阳电池效率的重要因素。本文利用周期性的截锥Si纳米线结构获得了宽光谱的高效陷光,其陷光机制借助FDTD solution软件进行了分析。利用图形衬底和选择性外延技术,先在硅衬底上生长出传统的周期性圆柱状硅纳米结构,长度为200nm,直径为80nm;之后利用热氧化技术,制备出可控的截锥纳米线结构,长度为140nm时,其在300-900nm的平均反射率低于5%。这表明有序截锥短纳米线具有良好的宽光谱减反特性,可应用于径向纳米线太阳电池的制备。     

热光调谐滤波器的高温性能分析

研究了热处理对Si基热光Fabry-Perot(F-P)腔可调谐滤波器的影响,用原子力显微镜分析了高温热退火前后的器件表面变化.发现随着退火温度的升高,器件的透射峰发生蓝移,同时透射峰强度及DBR(distributed Braggreflector)反射率下降.透射峰蓝移是非晶硅和SiO2致密后折射率增大而厚度减小,最终导致DBR中心波长偏短所致;DBR反射率下降和透射峰强度的下降是高温下表面和界面变得起伏较大所致.     

区熔硅近表面洁净区和体内微缺陷的形成

中子辐照区熔 (氢 )硅片经退火后在近表面形成洁净区 ,在硅片内部形成体内微缺陷 .微缺陷的形成与中子辐照造成的损伤及单晶硅内氢杂质的催化加速有关 ,还与后续退火条件有关 .第一步退火的温度对微缺陷的尺度有很大的影响 ,中低温要比高温所形成的微缺陷小 .在退火过程中微缺陷有一个生长过程 ,110 0℃退火 2 h微缺陷已达最大 .硅片表面的粗糙度影响表面洁净区的形成 ,洁净区出现在未抛光面 ,双面抛光硅片不会形成表面洁净区.     

500℃下利用UHV/CVD在Si衬底上直接生长近平面Si0.5Ge0.5层

利用UHV/CVD系统,在一个相对较低的温度500℃下,研究了Si1-xGex层中的Ge含量与生长条件之间的关系,此时的Si1-xGex层处于一种亚稳的状态.并直接在Si衬底上生长制备了10个周期的3.0 nm-Si0.5Ge0.5/3.4 nm-Si多量子阱.拉曼谱、高分辨显微电镜和光荧光谱对其结构和光学性能进行的表征表明这种相对较厚的Si0.5Ge0.5/Si多量子阱结构基本上仍是近平面生长的,内部没有位错,其在电学和光学器件上具有潜在的应用.