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强流脉冲电子束处理对Al-20Si合金微观组织和显微硬度的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了强流脉冲电子束处理对过共晶铝硅合金Al-20Si组织结构和显微硬度的影响.通过扫描电镜和X射线衍射对改性表面的组织特征进行了分析.扫描电镜结果表明,在电子束所诱导的顶部熔化层中,初生硅溶解在铝基体中形成了铝硅过饱和固溶体.相邻初生硅颗粒由于硅元素的扩散融合成大的初生硅颗粒.X射线衍射分析表明电子束处理后铝的晶格常数下降,晶格畸变增加.显微硬度测试结果指出初生硅的表面硬度在电子束处理后从中心向边缘呈现梯度分布,并且初生硅的中心硬度随脉冲次数的增加而减小.这表明强流脉冲电子束技术在处理过共晶铝硅合金初生硅组织中有着良好的应用前景. 相似文献
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本文根据广州地铁乘客服务管理现状,综合分析和研究了广州地铁乘客服务管理业务模式与业务需求,尤其对乘客服务信息发布重点开展了的专题研究工作,为如何提高地铁乘客服务管理水平提供了参考。 相似文献
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为了提高中分辨率遥感影像的分类精度,综合使用独立分量分析法(ICA)与纹理特征应对分类特征进行获取,使用相关系数分析、灰度差异分析确定了独立分量图层、纹理图层和NDVI图层的特征组合方式.在同样使用非监督分类方法的前提下,将该图层组合方式与常用的其他两种组合方式的分类结果进行对比后,该图层组合可获得更好的类别分离性,总体分类精度更高,达到87%,Kappa系数0.84.过程中发现,基于均方差的纹理图层进行ICA处理后,地物在图层组中的灰度差异极小,对分类工作没有贡献. 相似文献
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驱动AM-OLED的2-a-Si:H TFT的设计与制作 总被引:1,自引:1,他引:1
a-Si:H/SiNx:H TFT在长时间栅偏应力作用下,会产生阈值电压漂移,这主要是由绝缘层电荷注入和有源层亚稳态产生而引起的。针对电荷注入现象,文章首先通过控制源气体SiH4和NH3流量的不同,利用PECVD制作了不同N/Si比(0.87~1.68)的氮化硅绝缘材料,对其进行了椭偏、红外和光电子散射能谱(EDS)测试。制作了不同的MIS结构电容,对其进行老化实验和C-V测试分析,结果表明稍富氮(N/Si比稍大于标准Si3N4的化学计量比1.33)的氮化硅做成的M1S样品在老化前后C-V曲线偏移不是很明显,表明其缺陷态密度相对较小,能够有效减小半导体/绝缘层界面间的电荷注入。设计了驱动OLED的2-a-Si:H TFT像素电路及其阵列版图,优化了电路中的几个关键参数,即T1的W/L=2.5、T2的W/L=25和存储电容Cs=0.8pF。运用7PEP生产工艺,制作了13cm(5.2in)的TFT阵列样品。对TFT进行I-V特性测试,其开态电流为10μA,开关比为10^6;对AMOLED显示屏样品进行了静态驱动下的亮度测试,其最高亮度为341cd/m^2。 相似文献
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根据有权网络中边的权值计算节点的边权值,并依据边的权值计算全网平均最短路径得到节点重要性。通过节点的边权值和节点的重要性,建立一个抗毁度评估方法,计算节点的抗毁度并得到全网的抗毁度。实例证明该方法的有效性。 相似文献
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