电荷泵法研究FLASH擦工作时带带隧穿引起的界面损伤

FL ASH在擦操作的过程中 ,带带隧穿产生的空穴注入将会在 Si O2 / Si O2 界面和氧化层中产生带电中心 (包括界面态和陷阱 ) ,影响电路的可靠性 .利用电荷泵方法 ,通过应力前后电荷泵电流的改变确定出界面态和陷阱电荷的空间分布 ,为 FL ASH单元设计与改进可靠性 ,提供了理论和实验基础     

电荷泵法研究FLASH擦工作时带带隧穿引起的界面损伤

FLASH在擦操作的过程中,带带隧穿产生的空穴注入将会在SiO2/SiO2界面和氧化层中产生带电中心(包括界面态和陷阱),影响电路的可靠性.利用电荷泵方法,通过应力前后电荷泵电流的改变确定出界面态和陷阱电荷的空间分布,为FLASH单元设计与改进可靠性,提供了理论和实验基础.     

FLOTOX型EEPROM存贮管的擦写特性与理论分析

制备了几种PLOTOX结构EEPROM存贮管,对其擦写过程作了测试分析.讨论了擦写时存贮管电容分压的物理模型,实验测量通过超薄氧化层的Fowler-Nordheim隧道电流,推导出在擦写过程中浮栅上存贮电荷量的计算公式.研究了存贮管的阈值电压,特别指出它不仅与浮栅上积累电荷有关,而且与测量时的漏电压有关,建立了存贮管阈值电压的计算公式.最后,介绍了实验结果并作讨论,指出有关公式可作为设计EEPROM存贮单元的基础.     

FLASH存储单元擦写过程中的电流分析

文章将讨论不挥发存储器单元－ＦＬＡＳＨ的擦写过程，包括对擦写原理的描述重点其擦写过程的电流进行分析，建立了适用于该单元的电流模型，并结合本所工艺线的实验单元进行测试，在对建立的模型和理论进行验证。     

一种采用带-带隧穿热电子注入编程的新型快闪存贮器

提出一种采用带-带隧穿热电子注入编程的新型快闪存贮器结构,在便携式低功耗的code闪存中有着广泛的应用前景.该结构采用带-带隧穿热电子注入 (BBHE)进行"写"编程,采用源极Fowler-Nordheim隧穿机制进行擦除.研究显示控制栅编程电压为8V,漏极漏电流只有3μA/μm左右,注入系数为4×10-4,编程速度可达16μs,0.8μm存贮管的读电流可达60μA/μm.该新型结构具有高编程速度、低编程电压、低功耗、大读电流和高访问速度等优点.     

角接触球轴承姿态工程分析

角接触球轴承滚动体姿态角的求解历来是一较难处理的问题 ,通常采用Jones的滚道控制理论计算 ,或者采用Gupta和Harris的两种动力学理论求解。实践中人们发现滚道控制理论用于高速较为有效 ,中低速则存在较大问题 ,而两种动力学理论由于非常复杂以及其中一些力学因素难以确定 ,至今在实际应用中仍很少被采用。本文为角接触球轴承有关一般转速问题的求解提供了一个简捷且较为确切的分析工具。附图 6幅 ,参考文献 6篇     

射频激励CO2波导激光器的放电技术

在射频激励CO2 波导激光器的研制中 ,关键技术是如何使射频电源的能量能最大限度地输入到激光放电区中以及在放电区均匀放电。本文在理论上详细论述了如何在激光头的射频电极上并联上一些电感 ,并在激光头和电源之间加一可调匹配网络以达到这一目的 ,并在实验上实现了矩形波导以及 1× 3和 2× 3波导列阵大面积的均匀放电 ,得到了激光输出     

七自由度仿生机器人系统冗余问题研究

人体下肢的七自由度模型包括髋关节,膝关节和踝关节,但实际中下肢的运动只需要6个自由度即可,由于冗余引起的运动学干涉却没有现成的数学方法可以解决,同时又期望可穿戴机器人即外骨骼与人的交互能够同步,因而从运动学角度解决系统冗余问题。为了用数学方法描述冗余,定义一个旋转角度:由下肢大腿和小腿组成的平面绕髋关节和踝关节之间的虚拟轴的旋转角度。通过Matlab软件得到机器人的运动空间并与正常人体的运动空间进行比对,从而验证其可行性。     

基于不同测量手段的纳米晶器件的存储特性

对纳米晶器件,尤其是MOS电容进行了横截面TEM分析和不同条件下的电学特性(C-V特性)测量,包括 /-BT分析. 揭示了系统的纳米晶存储物理机制,例如电荷俘获、界面态填充和温度特性. 研究结果表明,高温、大电压摆幅和偏置情况下,器件编程窗口的恶化和阈值电压的漂移与多数载流子的种类有关.