C波段1瓦硅功率晶体管

<正> 一、引言硅平面双极晶体管自问世以来,其频率和功率性能不断提高,发展迅速。但是,当频率提高到 C 波段或 C 波段以上时,由于其频率性能的继续提高与输出功率、散热性能、二次击穿性能以及封装后的寄生参数等等都发生了尖锐的矛盾,器件的输出功率、增益和集电极效率随着工作频率的升高而急剧下降,明显地超出每倍频程下降6分贝的传统概念。于是,硅微波功率晶体管向 C 波段以上的更高频率的发展变得缓慢起来。     

10千兆赫1瓦双极晶体管

本文叙述了一种能制造X波段硅双极晶体管的先进的双极晶体管工艺的两年计划。该计划最后以四单胞晶体管在10千兆赫下具有4.5分贝增益和20％的功率附加效率而输出1瓦连续波功率得以实现。实现该计划的关健在于采用最新工艺(包括适应亚微米分辨率要求的电子束光刻技术)获得边沿陡峻的整套图形。讨论了ML-250单一单胞器件的设计参数,这些参数是与所引入的最新工艺技术(例如电子束光刻、等离子腐蚀、离子铣、砷和硼的掺杂氧化物淀积和扩散、薄层外延等)有关的。测出f_T为8千兆赫和f_(max)为25千兆赫的晶体管安装在4毫米×4毫米氧化铍载体上,然后采用一个集成匹配网络。直流特性与利用专门设计的同轴调谐器得到的8、10和12千兆赫性能的数据有关。     

基于DSP与FPGA的伺服刀架控制器的设计

基于DSP+FPGA硬件平台设计了一款新型伺服刀架控制器,适配17bit绝对式编码器,实现了参数调谐功能,并利用Lab viewew测试系统对样机进行了动态特性测试和分析。这款伺服刀架控制器已通过了伺服刀架运行测试,投入了批量生产。     

在石墨基体上制备耐磨的SiC镀层研究

在工业冶炼碳化硅(SiC)过程中,在石墨基体上制备具有耐磨特性的SiC镀层。讨论了SiC镀层的形成过程,采用X射线衍射仪(XRD)分析了SiC镀层的物相结构,采用隧道扫描电镜(SEM)分析了镀层的表面形貌。并分析了SiC镀层的硬度和耐磨特性。结果表明:镀层为高温稳定型α-SiC,同时伴有Fe3Si和SiO2杂相出现,SiC镀层的表面硬度达到了1120HV,磨损机制为颗粒磨损,具有较好耐磨性能。     

fmax为100GHz的蓝宝石衬底AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管

制作了蓝宝石衬底上生长的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管.0V栅压下,0.3μm栅长、100μm栅宽的器件的饱和漏电流密度为0.85A/mm,峰值跨导为225mS/mm;特征频率和最高振荡频率分别为45和100GHz;4GHz频率下输出功率密度和增益分别为1.8W/mm和9.5dB,8GHz频率下输出功率密度和增益分别为1.12W/mm和11.5dB.     

与CMOS-SEED灵巧象素相关的倒装焊工艺

介绍了新型ＣＭＯＳ－ＳＥＥＤ灵巧象素结构原理及相关的倒装焊技术,采用厚光致抗蚀剂作掩模,通过磁控溅射和真空蒸发相结合,解决了与ＣＭＯＳ－ＳＥＥＤ有关的Ｉｎ凸点阵列成型等关键工艺,并用Ｍ８－Ａ型可视对准式倒装焊系统完成了ＣＭＯＳ电路芯片和ＳＥＥＤ阵列芯片的倒装焊。     

微光电子集成灵巧象素器件

我们采用 MBE生长出大周期 Ga As/ Al Ga As多量子阱 (MQW)外延材料 ,研制了适用于倒装焊结构的自电光效应器件 (SEED)列阵 ,并与 Si CMOS电路通过倒装焊工艺集成为微光电子集成灵巧象素器件。通过对光电特性测试表明 ,器件具有良好的光探测和光调制性能。     

基于InP/InGaAs HBT技术的单片集成长波长光接收OEIC

采用InP/InGaAs HBT与PIN光探测器单片集成方案,对光接收光电集成电路(OEIC)的外延材料结构和生长、电路设计、制作工艺和性能测试进行了研究.基于自对准InP/InGaAs HBT工艺,实现了1.55μm波长单片集成光接收OEIC.发射极尺寸2μm×8μm的InP/InGaAs HBT直流增益为40,截止频率和最高振荡频率分别为45和54GHz;集成InGaAs PIN光探测器在-5V下响应度为0.45A/W@1.55/μm,暗电流小于10nA,-3dB带宽达到10.6GHz;研制的HBT/PIN单片集成光接收OEIC在2.5和3.0Gb/s速率非归零223-1伪随机码传输工作时可以观察到张开的眼图,灵敏度≤-15.2dBm@BER=10-9.     

HEMT集成电压比较器

本文从HEMT器件的基本结构、工作机理入手,对HEMT器件的设计进行了探讨。根据实际HEMT器件I-V特性曲线,建立了实际工艺条件下HEMT器件I-V特性计算模型。利用该模型对CML集成电压比较器进行模拟分析,确定了元件各种电参数及结构参数。采用离子注入技术进行器件的隔离,分别用HEMT和PHEMT材料,研制出了增强型、低功耗集成电压比较器,在1GSPS取样速率时,电压分辨率为30mV,功耗为27mW。     

卧式坡口铣削专用机床设计

阐述卧式口铣削专用机床的设计构思 ,介绍该机床的工作原理、结构和主要技术参数。