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11.
通过研究新型荧光材料2-(2-溴-5-乙烯-噻吩)-8-羟基喹啉锌(BTHQZn)的电致发光特性,发现BTHQZn具有良好的电致发光特性和空穴传输特性,利用此特性制备了掺杂型有机电致黄光器件,结构为ITO/2T-NATA(30nm)/CBP∶5%Ir(ppy)3∶10%BTHQZn(20nm)/Alq3(50nm)/LiF(0.5nm)/Al,器件在12V时实现了黄绿光发射,最大发光亮度为4552cd/m2,色坐标为(0.3954,0.4976),在11V电压下的最大发光效率为2.82cd/A。 相似文献
12.
13.
利用一种既具有空穴传输特性又具有发光特性的新型荧光染料N-乙基咔唑-2-乙烯基-8-羟基喹啉锌[(E)-2-(2-(9-ethyl-9H-carbazol-3-yl)vinyl)quinolato-zinc,CzHQZn]掺杂在NPBX中作为空穴传输层,CzHQZn同时还作为发光的主体,制备了结构为ITO/2T-NATA(30nm)/NPBX:25%CzHQZn(xnm)/BCP(10nm)/Alq3(60-x)nm/LiF(0.5nm)/Al的有机发光器件(x为掺杂发光层的厚度),掺杂发光层的厚度按照15,20,25,30nm进行变化,相应改变Alq3的厚度,使得这两者的总厚度为60nm保持不变。当掺杂发光层的厚度是20nm,Alq3的厚度是40nm,其他层厚度保持不变时,器件在4V电压下实现了黄光发射,色坐标为(0.514 6,0.470 5),亮度是1.078cd/m2。在14V的电压下,器件最大发光亮度为449 0cd/m2,最大发光效率为0.98cd/A。 相似文献
14.
InGaAs/InP雪崩光电二极管(InGaAs/InP APD)是近红外单光子探测器的核心器件之一,其国产化已成为趋势.InGaAs/InP APD工作于1.25 GHz门控盖革模式下,由于APD本身的电容特性,单光子触发产生的雪崩电信号被尖峰噪声所湮没,采用低通滤波的方法可以将有效雪崩信号从尖峰噪声提取出来.为了探讨国产APD的参数水平,对不同温度不同探测效率下国产InGaAs/InP APD的暗计数及后脉冲概率,时间抖动性等相关性能参数进行了测量,并与国外数据进行了对比.当国产InGaAs/InP APD工作于-25 ℃,探测效率10 %时,暗计数可低至9.9 X10 7/gatc,后脉冲仅为1.5这表明在InGaAs/InP APD这一领域,我国已接近国外水平,但仍有一定的进步空间. 相似文献
15.
16.
柳州市位于柳江中下游河段,是国家重点防洪城市,经过几年的建设,建立有工程防洪体系和非工程防洪体系。现对柳州市防洪抢险提出对策,同时对柳州市防洪预案编制的内容、形式和方法进行阐述. 相似文献
17.
18.
为了获得长期稳定的光梳光源,利用压电陶瓷(PZT)和步进电机双级反馈控制方案,研制了两台基于非线性放大环形镜(NALM)锁模的异步采样光纤光梳系统。研究表明:该系统重复频率为75 MHz,5 min内重复频率的锁定峰峰值为±2 mHz,标准差为0.70 mHz,90 h内锁定峰峰值为±10 mHz,标准差为1.26 mHz;光纤光梳输出端口的脉冲平均功率为30 mW,经3 m保偏单模光纤压缩后脉冲宽度约为90 fs;激光器的重复频率差Δf在1 Hz~500 kHz范围内连续可调,当异步采样频差Δf为80 Hz时,扫描周期为12.5 ms,可探测出信噪比为6.3的太赫兹信号。该方案避免使用传统机械延迟线,具有重复频率差精确可调、采样速度快、抗干扰能力强等优点。 相似文献
19.
20.
本文使用天然手性材料D-甘露醇为起始原料,经过4步反应合成了4-羟甲基-γ-丁烯内酯,总收率为23.8%。 相似文献