MCT关断失效分析

模拟分析了 MCT关断失效机理 ,并进行了实验验证 .结果表明 ,器件温度分布的不均匀性及元胞栅极寄生电阻的不等引起电流在芯片局部元胞集中 ,从而造成 MCT的关断失效     

MCT关断失效分析

模拟分析了MCT关断失效机理,并进行了实验验证.结果表明,器件温度分布的不均匀性及元胞栅极寄生电阻的不等引起电流在芯片局部元胞集中,从而造成MCT的关断失效.     

微空气桥隔离的自对准AlGaAs/GaAs异质结双极晶体管

利用微空气桥隔离和自对准技术成功地研制出了自对准结构的AlGaAs/GaAs异质结双极晶体管.器件展现出良好的直流和高频特性.对于发射极面积为2μm×15μm的器件,直流电流增益大于10,失调电压(Offsetvoltage)200mV;电流增益截止频率f_T大于30GHz,最高振荡频率f_max约为50GHz.     

应变Si1-xGex材料掺杂浓度的表征技术

在分析研究Si1-xGex材料多子迁移率模型的基础上,建立了Si1-xGex材料电阻率与其Ge组分、掺杂浓度及温度关系的曲线谱图.同时,通过对半导体材料掺杂浓度各种表征技术的分析和实验研究,提出了采用四探针法表征Si1-xGex材料掺杂浓度的技术.此表征技术与Si材料掺杂浓度的在线检测技术兼容,且更加简捷.此表征技术的可行性通过实验及对Si1-xGex材料样品掺杂浓度的理化分析得到了验证.     

表面Ge沟道pMOSFET阈值电压模型

基于MOS器件的短沟道效应和漏致势垒降低效应理论,通过求解泊松方程,建立了表面Ge沟道pMOSFET的阈值电压模型.基于该模型对表面Ge沟道MOSFET器件的沟道长度、栅氧化层厚度、衬底掺杂浓度、SiGe虚拟衬底中的Ge含量等结构参数以及漏源电压对阈值电压的影响进行了模型模拟分析.模拟结果表明,当沟道长度小于200nm时,短沟道效应和漏致势垒降低效应对阈值电压影响较大,而当沟道长度超过500nm时,短沟道效应和漏致势垒降低效应对阈值电压的影响可以忽略.模型计算结果与实验结果吻合较好.     

功率VDMOS开关特性与结构关系

ＶＤＭＯＳ的开关时间对其开关功耗和频率特性有直接影响,笔者设计和制造了３种体内结构与常规ＶＤＭＯＳ相同,而表面结构不同的器件。实验结果表明,这种３结构器件的开关时间都明显减少。     

CAM卡中解扰模块的设计实现与验证

依据CSA算法,对CAM卡中的解扰模块进行设计.采用verilog HDL语言设计.利用modelsim对其设计结果进行仿真验证.并在xilinx上实现FPGA综合.设计结果可靠有效.具有很高的实用价值和市场价值.     

SiGe CMOS结构模拟分析

提出一种新的SiGe CMOS结构,用Medici软件对该结构进行二维模拟,分析应变SiGe层、弛豫SiGe层中Ge组份,δ层掺杂浓度以及Si"帽"层厚度等结构参数对SiGe CMOS电学性能的影响.最后,给出该结构组成的反相器传输特性模拟结果.     

低温外延生长应变SiGe材料研究

采用紫外光能量辅助化学气相淀积(UVCVD)方法,同时结合超高真空化学气相淀积(UHVCVD)及超低压化学气相淀积(ULPCVD)技术,在450℃低温外延生长了应变SiGe/Si材料。讨论了应变SiGe材料的结晶性及生长速率与生长温度和Ge组分的关系,给出了应变SiGe材料的X射线衍射分析结果。     

SiGe HBT大信号扩散电容模型研究

基于SiGe HBT（异质结双极晶体管）大信号等效电路模型,建立了SiGe HBT大信号发射结扩散电容模型和集电结扩散电容模型．该模型从SiGe HBT正反向传输电流出发,研究晶体管内可动载流子所引起的存储电荷（包括正向存储电荷和反向存储电荷）的基础上,同时考虑了厄利效应对载流子输运的影响,其物理意义清晰,拓扑结构简单。将基于大信号扩散电容模型的SiGe HBT模型嵌入PSPICE软件中,实现对SiGe HBT器件与电路的模拟分析。对该模型进行了直流特性模拟分析,直流模拟分析结果与文献报道的结果符合得较好,瞬态特性分析结果表明响应度好。