1983年全国砷化镓和有关化合物学术交流会在上海召开

1983年全国砷化镓及有关化合物学术交流会于1983年11月21日至25日在上海召开。会议由中国金属学会半导体学术委员会委托上海市金属学会、冶金部有色金属研究总院和中科院上海冶金研究所主办。参加会议的代表除来自国内53个单位的127名外,还邀请4名国外学者。会议收到论文135篇。会上共宣读119篇,其中以英文宣读的有15篇。这些论文涉及熔体生长、液相外延、气相外延和分子束外     

铸铁用蛇纹石去硫

在车间曾经用没有焙烧过的和经过焙烧的蛇纹石来研究铸铁去流作用的可能性。用来去硫的是粉状的蛇纹石(留在180号筛子上的约5%),直接加入包子内与     

Preparation of Ga_(1-x)In_xAs_(1-y)Sb_y by MOCVD

The GalnAsSb quaternary alloys for 2～4 μm long wavelength optoelectronics have been prepared byMOCVD.The growth of buffer layers and the employment of GaSb/GaAs and GaSb/GaSb hybridsubstrates are mentioned,which effectively improve the properties of GalnAsSb epilayers.In order to controlthe epitaxial growth of GaSb and GalnAsSb,emphasis is given on the deposition rates,growth temperaturesand the relationship between growth conditions and the distribution coefficients of In and Sb.The experimen-tal solid compositions in this work are predicted by the thermodynamic calculations.Whether the growth ofGalnAsSb epilayers is controlled by chemical reactions or by mass diffusions depends on growth temperatures.This argument is verified by kinetic considerations.The FWHMs of the DCXD (double crystal X-raydiffraction)spectra of GalnAsSb epilayers grown on GaSb/GaSb and GaSb/GaAs hybrid substrates areabout 200～300 arcsec and 800 arcsec respectively.The unintentionally doped GalnAsSb epilayers have themobilities of μp=100～240 cm~2/V·s at 300 K.The corresponding wavelength ofMOCVD GaInAsSb alloysis calculated from EPMA(electronic probe microanalysis)data and determined by FTIR(Fourier transformedinfrared spectroscopy)measurement.     

Fe-Cu-C和Fe-Cu-Co-C熔体的热力学性质

本文测得碳在Fe-Cu-C和Fe-Cu-Co-C系中的溶解度和分层数据,计算这些体系中Cu和Fe的活度系数以及碳对Cu和Fe活度系数的影响。结果表明,随着体系中碳量的增加,相应地Cu活度系数增加,而Fe活度系数减少。在这些数据的基础上,还计算了Fe-Cu-C系的一级、二级活度相互作用系数,等活度时自由能相互作用系数和焓相互作用系数,并估计了Cu量对碳溶解过剩焓的影响。计算结果与其它已报道的Fe-j-C系相比较,发现这些热力学性质与原子序数之间有一定的规律。     

Ⅲ-Ⅴ族半导体材料外延及其物理化学

<正>——本文概述了近年来Ⅲ-Ⅴ族半导体材料的外延,特别是有关电外延,金属有机化合物和分子束外延的国内外发展动态及其应用;同时也简要地介绍了Ⅲ-Ⅴ族化合物外延的物理化学.     

Prediction of Composition of GaInAsSb Epilayers by MOCVD Using Pattern Recognition and Artificial Neural Network Method

ＰｒｅｄｉｃｔｉｏｎｏｆＣｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎｏｆＧａＩｎＡｓＳｂＥｐｉｌａｙｅｒｓｂｙＭＯＣＶＤＵｓｉｎｇＰａｔｅｒｎＲｅｃｏｇｎｉｔｉｏｎａｎｄＡｒｔｉｆｉｃｉａｌＮｅｕｒａｌＮｅｔｗｏｒｋＭｅｔｈｏｄＹａｎＬｉｕｍｉｎｇ①（严六明）ＥａｓｔＣｈ...     

第五届国际气相生长和外延会议和美国第五届晶体生长会议简讯

<正> 今年7月 19日-24日在美国召开了第五届国际气相生长和外延会议美国第五届晶体生长会议.会议交流了体单晶和薄膜生长的实验和理论研究,其中着重交流了各国在半导体材料,如硅、Ⅲ-Ⅴ族和Ⅱ-Ⅵ族化合物的晶体生长理论,工艺和特性等方面的研究情况. 参加会议的代表来自十六个国家,共400多人,我国有四人参加.会议上宣读的论文     

Ga－In－As－Sb系合金固－液平衡和人工神经网络预报

本文用ＤＴＡ法测量了Ｇａ－Ｉｎ－Ａｓ－Ｓｂ系合金的液相线温度,并用滑舟法在Ｇａｓｈ衬底上生长液相外延膜,并用电子探针法分析膜的成分．在此基础上利用实验数据和文献数据训练人工神经网络模型,神经网络模型用交叉检验法测试是否过拟合．经测试合格的神经网络可以预报液相线温度和外延层组成．     

光电化学法测量GaAlAs/GaAs多层结构材料中Al组分分布

本文详细报道了用光电化学法测量Al含量的装置、原理以及原位测量GaAlAs层中Al含量的纵向分布结果,并与双晶衍射、俄歇分析和光吸收法结果作了比较,结合电化学c—V技术获得了GaAlAs/GaAs多层结构材料的完整纵向分布,包括各层厚度、导电类型、载流子浓度、禁带宽度以及组分分布.为研究激光器、太阳电池等器件提供了一种综合性的材料测试方法.     

逆断层附近非均匀应力场声发射测试与巷道稳定性数值分析

由于断层带附近应力集中和围岩破碎严重给巷道断面布设和维护带来巨大安全隐患,需及时掌握断层附近地应力分布和围岩破裂形式及其对周边巷道稳定性影响。选取淮南某矿逆断层上、下盘进行试验,利用MTS试验系统配合声发射测试初始地应力场和岩石破裂方式,经ANSYS对比分析不同应力条件下逆断层附近巷道稳定性。经岩石力学试验发现,砂岩破坏后尺度较小、AE事件数较多,泥岩破坏后尺度较大、AE事件数较少。由地应力实测可知,逆断层附近以构造应力为主,上盘岩层挤压使得下盘总体受力偏大。开挖后巷道周边次生应力在一定范围内出现了应力跌落区,跌落区范围和围岩裂隙发育范围接近。同时,伴随着应力跌落的范围扩大、初始应力减小,岩层开始移动剧烈和围岩破裂范围扩大。由围岩塑性分布和岩层移动可知,调整后主应力有助于提高巷道稳定性。以上研究结果,以期为复杂埋藏环境下矿山巷道的布设和支护问题,提供一定的施工技术依据。