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本文报道了采用选择区域生长(Selective area growth, SAG)方法,在 SiO2作掩膜的 InP衬底上选择生长出高质量的 InGaAsP-MQW,并成功地制作出波长调谐范围达 6.5 nm的可调谐 DBR激光器和性能可靠的电吸收调制DFB激光器.SAG成为实现光子集成器件的有效途径,得到广泛的研究,并已实现了DFB激光器与电吸收调制器的单片集成 (electroabsorption modulated DFB Laser, EML).我们在国内率先开展这方面的研究,并取得重大的突破. 采用 … 相似文献
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随着互联网、宽带综合业务数字网的高速发展,要求光纤通信系统能够提供超高速、大容量的信息传输.波分复用技术可以提高系统传输速率,同时新增投资小,因此成为目前光通信研究及应用的热点.在WDM系统中,多波长集成的DFB激光器列阵是波分复用技术的核心器件.因为它不仅可以降低制作成本,同时可以简化激光器与单模光纤之间的耦合.然而,在WDM系统中,0.8um的波长间隔对1.55umDFB激光器来说,光栅的周期间隔仅为0.13um.这样的精度即使对采用高精度的电子束曝光系统而言,想要精确、稳定的把光栅周期控制… 相似文献
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本文报道了用低压-金属有机化学气相淀积(LP-MOCVD)方法制作1.3μm应变补偿多量子阱结构材料.X射线双晶衍射摇摆曲线可清晰地看到±4级卫星峰和卫星峰间的Pendel-losong条纹.整个有源区的平均应变量几乎为零.用掩埋异质结(BH)条形工艺制备的含一级光栅的DFB激光器室温下阈值电流2~4mA,外量子效率0.33mW/mA,线性输出光功率达30mW,边模抑制比(SMSR)大于35dB.20~40℃下的特征温度T0为67K. 相似文献
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(一)引言 GaAs是闪锌矿结构,在[111]方向有极性,当选择适当的择优腐蚀液时,各晶面的腐蚀速度有[110]≥B[111]≥[100]>A[111]关系。A[111]面是难以被腐蚀的。因此,它对腐蚀图形起重要作用,利用这个特点可以设计和制造各种形状的新器件。本文介绍了 相似文献