BBSZ掺杂对X波段移相器用LiZn铁氧体材料磁性能的影响

通过在Li-Zn铁氧体材料中掺入H3BO3-Bi2O3-SiO2-ZnO(BBSZ)玻璃相(1~4wt%),利用氧化物法陶瓷工艺合成Li-Zn铁氧体材料。在900℃烧结获得了符合要求的Li-Zn铁氧体材料。讨论了材料的微观结构以及磁性能,包括饱和磁化强度Ms、矫顽力Hc以及剩磁比Br/Bm。结果表明,BBSZ掺杂能显著降低材料的烧结温度,饱和磁化强度Ms随BBSZ掺入量的增加先增大而后略微减小,矫顽力Hc随BBSZ掺入量的增加先明显减小而后略微增加。当BBSZ掺入量为1.5wt%时,可以获得最佳的综合性能。     

低温烧结Ba2Co1．2-xZnxCu0．8Fe12O22Y型六角铁氧体研究

采用固相反应法制备了Ba2Co1.2-xZnxCu0.8Fe12O22 Y型六角铁氧体,研究了材料配方、制备工艺(球磨时间、缺铁量、升温速度、保温时间等)等对六角铁氧体显微结构和磁性能的影响.结果表明,球磨时间、保温时间以及配方的Zn含量对Y型铁氧体的起始磁导率有显著影响,同时氧化铁的用量和烧结过程的升温速度也对材料的起始磁导率和品质因数影响显著.通过工艺参数的优化,获得了在甚高频段应用的具有较高磁导率的低烧Y型铁氧体材料.     

叠层片式低通滤波器的设计与制作

利用LTCC<CF(低温共烧陶瓷和低温共烧铁氧体)技术设计和制作了具有标准封装型号0805型叠层片式低通滤波器,给出了一个完整而有效的设计流程.并采用介电常数为14、流延厚度为30μm的陶瓷膜片成功制作了截止频率在220MHz的三阶低通叠层片式滤波器,其外形尺寸为2.0mm×1.2mm×0.9mm.     

烧结工艺对MnZn铁氧体磁性能的影响

在钟罩式气氛烧结炉中烧结高导MnZn铁氧体材料.研究发现,掺入适量的CaCO3和Bi2O3能改善材料的磁性能.烧结过程中烧结温度的增高可以促进晶粒长大,有利于提高起始磁导率;烧结气氛对离子电价和晶相形成有着决定性影响,选择合适烧结工艺是制备优质MnZn铁氧体的关键.     

15W高效DC/DC模块电源设计

为了提高中小功率开关电源的效率,设计了一种基于DPA425的高效率小功率模块电源.围绕提高效率这一目标,对变压器、输出整流、欠压锁定、过压保护、过流保护、磁复位、输出电感及反馈环路等部分进行了优化设计.采用合理的工作磁通密度使得变压器的铁损与铜损相等,则变压器的总损耗最小,同时采用夹层绕制法将变压器的漏感控制在3%以内,也可有效降低损耗.通过实验得到了效率高达88%、输出精度高且稳定性好的实例.     

石墨烯/锰锌铁氧体/硅薄膜特性及其太赫兹波的磁场调制作用

近年间，基于磁性薄膜的太赫兹调制器件有了初步进展。对磁控溅射锰锌铁氧体薄膜的制备工艺进行了详细研究。在此基础上，制备了石墨烯/锰锌铁氧体/硅(graphene/MnZn ferrite/Si)结构的太赫兹调制器件。其在太赫兹波段的透射可以通过源-栅电压来调制。当栅极电压V_sg为-25 V时，垂直膜面磁场从20 Oe增大到200 Oe，复折射率和复介电常数的实部随之增高。由于锰锌铁氧体薄膜的反常塞曼效应和各向异性磁电阻效应引起薄膜整体电导率和折射率的变化，实现了外加磁场对太赫兹波相位的调制。     

基于变参数超混沌系统的多图像加密方法

针对数字图像计算、存储和传输过程中的数据窃取、隐私泄漏等问题，提出了一种基于变参数超混沌系统的多图像加密方法。首先，用一个混沌系统的状态变量对另一个混沌系统的状态参数施加扰动，构造了一个变参数超混沌系统；其次，将输入灰度图像对进行重构，并将其输入SHA-512算法生成初始密钥；然后，将初始密钥输入变参数超混沌系统，迭代生成5组混沌序列，进而对重构图像进行幻方变换，实现像素位置的变换；最后，对幻方变换得到的图像进行S形扩散，实现像素数值的变化，得到了近似均匀分布的密文图像。结果表明，该算法改善了传统图像加密方法的低随机性、低复杂度等缺陷，同时，提高了密文图像的无序性及抵抗常规攻击的能力。