线性自旋阀磁头的材料性能及结构参数优化

优化材料性能参数和自旋阀巨磁阻磁头的结构参数是微磁器件实用化的关键.本文基于建立的物理计算模型,首先利用传输线方法和微磁学理论对铁磁自由层中信号场和磁化强度分布进行了计算,优化了材料性能参数;其次讨论了磁头结构尺寸和磁参数对信号场和饱和磁感应强度的影响;最后将自旋阀巨磁阻磁头传感单元作为有源磁电阻放入前端放大电路,对输出电压。二次谐波及线性区间进行模拟,发现在缝宽g1 g2≤0.7,线性偏电流10~50 mA范围内,自旋阀磁头相对记录介质有线性信号输出。     

宽带脉冲变压器的参数、特性及应用

介绍了宽带脉冲变压器设计基本参数要求，及应用于各种通信、网络技术的基本特性。     

Bi2O3-MoO3复合掺杂对NiCuZn铁氧体烧结特性和磁性能的影响

研究了采用Bi2O3-MoO3复合掺杂的方式来降低NiCuZn铁氧体的烧结温度及提高电磁性能.结果表明:适量的Bi2O3-MoO3复合掺杂,可在900℃烧结,起始磁导率μi>800,适用于高感量、小尺寸片式感性器件的制备.     

添加Y3+、Mn2+对Z型软磁铁氧体微结构与性能的影响

用普通铁氧体工艺制备了Co2Z铁氧体材料，分析了Co2Z材料磁性能与显微结构的关系，研究了添加Y^3 、Mn^2_ 对材料结构与性能的影响，发现添加适量的Y^3 、Mn^2 可有效控制二次再结晶现象，从而提高Co2Z的电磁性能。     

纳米材料的微结构变化动力学计算模型

通过对纳米材料的结晶动力学过程的研究,分析了纳米材料从非晶态到晶态的整个晶化过程中,晶粒从形成临界核开始到整个晶粒形成的各个生涨阶段的微结构变化的动力学,提出了一种定量计算模型,根据该模型可以计算出各生涨阶段晶粒尺寸和纳米材料的晶粒密度.     

磁性FeSiAl合金薄膜的研究

本文对新型薄膜磁头材料ＦｅＳｉＡｌ合金进行了研究，发现氩压和衬底温度直接影响着膜的结构和磁学性能。当氩压在０．１Ｐａ左右，衬底温度高于２５０℃时，淀积薄膜具有良好的软磁性能，满足ＭＩＧ磁头材料要求。     

溶胶-凝胶法制备的高性能纳米NiCuZn铁氧体材料

采用溶胶-凝胶法制备了高性能的NiCuZn铁氧体纳米粉末.研究表明,反应体系的最佳pH值为3.8～4.4,最佳反应温度是70～80℃,并且在正硅酸乙酯催化下,形成凝胶的时间大为缩短.添加10?TiO3所得复合材料具有可调控的电磁性能,其起始磁导率为10～25,介电常数为40～100,截止频率高于1.0GHz,该材料可用于高频多层片式电感.     

NiFe/Ag多层膜在低场下的巨磁电阻行为

用磁控溅射法制备了NiFe/Ag多层膜 ,并从实用角度对NiFe/Ag多层膜的低场巨磁电阻效应作了研究。分析了该膜系列产生低场巨磁电阻效应的机理 ,并进行了实验研究 ,最终获得在低场 (小于 79 6× 2 5 0A/m)常温下有高达 5 0 %巨磁电阻效应的材料     

自旋阀多层膜[NiFe／Cu／Co／Cu]n的GMR效应研究

巨磁电阻（ＧＭＲ）硬盘磁头由于具有灵敏度高,稳定性好,巴克豪森噪音小等重大优点,使它在信息存储领域引起了一场新的革命。本文报道了一种自旋阀型多层膜「ＮｉＦｅ／Ｃｕ／Ｃｏ／Ｃｕ」ｎ的实验研究和理论分析。研究了工艺条件和多层膜结构对巨磁电阻疚的影响,勇于通过对制备条件的优化选择,在常温下得到巨磁阻系数为８％,饱和场强２６０Ｏｅ的优质自旋阀多层膜材料。     

一种基于遗传算法的高频反激变换器的优化设计

在理论分析的基础上,以优化高频变压器的磁芯功率损耗和绕组功率损耗为目标,以单端反激式变压器为例建立了高频变压器的总功率损耗计算模型。在该功率损耗计算模型的基础上结合从系统角度设计DC-DC变换器的方法,采用一种基于遗传算法的高频DC-DC变换器的优化设计方法,得到了设计参数的最优取值。利用优化设计方法设计了高频DC-DC变换器印制板电路,实验验证了优化设计方法的正确性。