基于传输线变压器的功率合成/分配器的原理与设计

基于传输线变压器的功率合成/分配器具有宽频带、应用频率高、体积小、承受功率大、损耗小的特点,是一种良好的射频器件.本文根据传输线变压器的基本理论,通过分析功率合成/分配电路的两大组成部分--功率合成/分配网络和阻抗匹配网络,分别得到对传输线和磁芯的不同要求.总结出一种设计功率合成/分配器的通用方法,为设计功率合成/分配器提供了理论参考.     

TiO2/NiCuZn复合材料的电磁性能

铁电铁磁复合材料是一种由铁电相和铁磁相复合而成的重要功能材料,将对电子设备的小型化和高度集成化起到相当关键的作用.研究以铁电性的TiO2和铁磁性的NiCuZn铁氧体为原料,采用固相反应法合成一系列TiO2/NiCuZn复合材料,考察了材料配比和烧结温度对复合材料介电性能和磁性能的影响.实验表明,随着TiO2含量的增加,复合材料的磁导率显著降低,但同时介电性能会得到改善.对于NiCuZn含量为80wt%的材料,在900～1200 ℃的烧结温度范围,随着烧结温度的升高介电常数与磁导率也都会随之升高.这种TiO2/NiCuZn复合材料同时具有电感和电容两种特性,有望在未来的集成电路中广泛使用.     

环氧树脂表面生成聚噻吩的研究及直接电镀应用

采用化学聚合方法,在高锰酸钾处理过的环氧树脂表面生成一层聚噻吩,应用聚噻吩作为导电载体实现环氧树脂表面的直接电镀铜,并对聚噻吩的结构与生长形貌以及铜层生长效果进行了表征。结果表明,在EP基板上合成聚噻吩能用于直接电镀铜,合成的聚噻吩为无定型结构,其表面平均电阻约为2.55 kΩ,聚噻吩上电镀铜后,铜层的平均电阻值为0.25Ω,电镀铜层纵向与横向粗糙度分别为10.76μm和2.06μm,铜镀层的沉积速率达到71.4μm/h。     

一种新型偏振相关磁光隔离器的设计

该文介绍了一种新型的光纤型法拉第磁光隔离器设计方法,利用液相外延制备的单晶石榴石(BiTm)3(GaFe)5O12膜作为法拉第转子,通过对光路结构的改进设计,有效降低了光隔离器体积和所需饱和外场。当外磁场H=47×103 A/m时,法拉第旋角可达到45°@1 550 nm,光吸收系数为15 cm-1 @1 550 nm,光透射率为85%@1 550 nm,整体满足设计要求。     

二维材料异质结增强的硅基太赫兹光调制器

研究了石墨烯/氮化硼二维异质结增强的硅基太赫兹波光调制器。利用太赫兹波时域谱系统和实验室自主搭建的太赫兹波动态测试系统分别测试了808 nm激光对太赫兹波的静态和动态调制。当照射在太赫兹波调制器上的激光功率从0增加至500 mW时,平均太赫兹波透过率从58%下降到13%,静态调制深度最高达到76%（500 mW）。动态测试获得的最大调制速度为15 kHz (100 mW)。实验结果表明,与单层石墨烯增强的硅基调制器相比,石墨烯/氮化硼异质结可以更大地提高硅对于太赫兹波的调制深度,并提升调制速度。     

1～18 GHz超宽带功分器的设计

分析了1~18GHz超宽带一分二功分器的制作难点,设计了两种不同结构的威尔逊功分器。通过ADS和HFSS的共同仿真,选择了性能较好的功分器进行加工制作,最后所设计的1~18GHz超宽带一分二功分器的测试结果表明,在1~18GHz的整个频带内,功分器的回波损耗都在-15dB以下,两端口的隔离度大于20dB,性能良好,可以应用于超宽带系统中。     

线性自旋阀磁头的材料性能及结构参数优化

优化材料性能参数和自旋阀巨磁阻磁头的结构参数是微磁器件实用化的关键.本文基于建立的物理计算模型,首先利用传输线方法和微磁学理论对铁磁自由层中信号场和磁化强度分布进行了计算,优化了材料性能参数;其次讨论了磁头结构尺寸和磁参数对信号场和饱和磁感应强度的影响;最后将自旋阀巨磁阻磁头传感单元作为有源磁电阻放入前端放大电路,对输出电压。二次谐波及线性区间进行模拟,发现在缝宽g1 g2≤0.7,线性偏电流10~50 mA范围内,自旋阀磁头相对记录介质有线性信号输出。     

宽带脉冲变压器的参数、特性及应用

介绍了宽带脉冲变压器设计基本参数要求，及应用于各种通信、网络技术的基本特性。     

Bi2O3-MoO3复合掺杂对NiCuZn铁氧体烧结特性和磁性能的影响

研究了采用Bi2O3-MoO3复合掺杂的方式来降低NiCuZn铁氧体的烧结温度及提高电磁性能.结果表明:适量的Bi2O3-MoO3复合掺杂,可在900℃烧结,起始磁导率μi>800,适用于高感量、小尺寸片式感性器件的制备.     

添加Y3+、Mn2+对Z型软磁铁氧体微结构与性能的影响

用普通铁氧体工艺制备了Co2Z铁氧体材料，分析了Co2Z材料磁性能与显微结构的关系，研究了添加Y^3 、Mn^2_ 对材料结构与性能的影响，发现添加适量的Y^3 、Mn^2 可有效控制二次再结晶现象，从而提高Co2Z的电磁性能。