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61.
为解决太赫兹成像分辨力低,危险品边缘模糊,无法有效对危险品进行分割的问题,提出一种基于对抗式生成网络与多头注意力机制的新型网络架构,并用于太赫兹安检图像智能分割。通过学习深层鉴别器的特征图优化生成器,获得更加真实的生成图像;引入多头注意力机制提升模型对危险品特征的识别能力。分割太赫兹安检图像的大量实验结果表明,相较于传统卷积神经网络,提出的对抗生成网络在相同深度下具有更好的泛化能力;多头注意力机制的引入强化了模型对危险品特征的学习,在未知危险品类别的情况下同样拥有较好的效果,其交并比(IOU)指标相较ResNet-50提高9.6%,相较ResNet-18提高21.3%,相较U-Net提高12.3%。本文研究有利于图像分割算法更准确、高效地处理太赫兹安检图像,有助于拓宽太赫兹智能安检系统的进一步应用。  相似文献   
62.
小孔径蝴蝶型光电导天线太赫兹辐射源的研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
研究了5种小孔径光电导天线的太赫兹发射特性,并且对它们所发射的太赫兹波进行了对比,为研制高效率的太赫兹波发射源提供了参考依据。利用太赫兹时域光谱技术测量了光电导天线发射的太赫兹(THz)脉冲,得到了时域发射光谱,并通过快速傅里叶变换得到相应的频域光谱。结果表明,太赫兹信号强度随偏置电压的增大而增强;随着泵浦激光功率的增大而增强并出现饱和现象。偏置电压与泵浦激光功率相同时,我们对比5种光电导天线产生的太赫兹信号,从中找到了一种发射效率较高的小孔径光电导天线,并且研究了电极形状、电极间距对光电导天线发射效率的  相似文献   
63.
玻璃钢平底洞缺陷试件红外热波检测方法   总被引:6,自引:2,他引:6  
采用主动式红外检测技术,用闪光灯脉冲热源加热试件,来研究试件材料的均匀性和 内部结构信息。介绍了红外热波检测原理,并用玻璃钢平底洞试件验证了热波理论。通过对热图序列和温度- 时间关系曲线的分析检验了热波的单向测厚方法。  相似文献   
64.
热波检测碳纤维蜂窝材料脱粘缺陷的边缘识别   总被引:3,自引:0,他引:3       下载免费PDF全文
利用红外热波无损检测技术可以快速、有效、直观地检测碳纤维蒙皮与蜂窝芯界面脱粘缺陷。对缺陷进行定量化检测研究过程中,基于热波原理推导出的公式,易于实现缺陷深度的测量。采用了两种方法检测缺陷的大小,实验表明,利用Canny边缘算子检测边缘,检测性能好,缺陷形状可视程度高,实验结果还可作为测量浅表下缺陷大小的参考依据。  相似文献   
65.
采用无损检测技术对碳纤维增强复合材料进行检测是保证其构件质量的必要手段.介绍了利用红外热波无损检测技术对碳纤维增强多层复合材料板冲击损伤试件检测的结果,并将热波检测结果与超声C扫描检测结果进行比较,结果表明两种检测方法各具优势.热波检测技术与超声检测技术结合起来对碳纤维增强多层复合材料板冲击损伤无损检测效果更佳.  相似文献   
66.
利用太赫兹时域光谱系统研究温度对GaAs基底上生长的太赫兹亚波长金属结构的透过率及共振特性的影响。实验发现,温度从低温80 K升高至380 K,样品的透过率逐渐降低,且低频共振频率处有轻微的红移现象。通过研究共振带区域及远离共振带区域的透过率情况,分析了总体透过率降低的根本原因在于温度升高导致GaAs基底的本征载流子浓度升高;共振凹陷减弱是由于基底载流子的变化致使透过率升高形成的;红移现象的产生是由于温度升高导致样品折射率增大。此外,该研究可以为太赫兹范围的功能器件在实际应用和生产制造中提供有意义的参考。  相似文献   
67.
材料检测和表征的新技术--热波检测及其应用   总被引:4,自引:0,他引:4  
简要介绍了红外热波无损检测技术的基本原理、技术特点、检测设备以及国内应用实验的近期进展。  相似文献   
68.
激光热交联型计算机直接制版版材   总被引:3,自引:1,他引:2  
介绍了热交联版材的结构和成像机理以及我们实验室在该版材研制上的工作和实验 结果。  相似文献   
69.
生物有机分子的生物功能必须在其水溶液中实现。太赫兹波对水非常敏感,太赫兹时域光谱(THz-TDS)技术能够检测生物分子——水分子界面的集体水分子网络动力学变化,是检测和研究生物有机分子溶液的理想工具。本文利用太赫兹时域光谱技术研究了葡萄糖的分子结构,获得葡萄糖及其不同浓度的溶液在室温氮气环境下的太赫兹时域吸收光谱,以及在室温真空环境下的傅里叶远红外光谱(FTFIR)。结果表明葡萄糖溶液对太赫兹波有特征吸收峰,不同浓度的葡萄糖溶液对太赫兹波的吸收各不相同。故使用太赫兹时域光谱技术能够完成葡萄糖及其不同浓度溶液的鉴别。  相似文献   
70.
利用反射式太赫兹(THz)辐射产生与探测系统,研究了基于不同半导体的THz发射光谱.通过快速傅里叶变换,由测得的THz时域光谱得到了其相应的频域光谱,从而对不同半导体的THz发射性质进行了比较.结果表明,未掺杂的砷化铟(InAs)较其他半导体材料有更高效的THz发射效率.  相似文献   
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