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在SiO2/Si基片上采用直流对靶溅射技术制备出Pt/Ti底电极;应用射频磁控溅射方法,利用快速热处理(RTA)工艺,制备出了具有良好铁电性能的Pb(Zr0.52Ti0.48)O3铁电薄膜.将样品进行10min快速热退火处理,退火温度700℃.测试分析表明:薄膜厚度比较均匀、表面基本平整、没有裂纹和孔洞、致密性好、薄膜样品的矫顽场强(Ec)为28.6kV/cm,剩余极化强度(Pr)为18.7μC/cm2,自发极化强度(Ps)为37.5μC/cm2,是制备铁电薄膜存储器的优选材料. 相似文献
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A cryogenic successive approximation register(SAR) analog to digital converter(ADC) is presented. It has been designed to operate in cryogenic infrared readout systems as they are cooled from room temperature to their final cryogenic operation temperature.In order to preserve the circuit’s performance over this wide temperature range,a temperature-compensated time-based comparator architecture is used in the ADC,which provides a steady performance with ultra low power for extreme temperature(from room temperature down to 77 K) operation.The converter implemented in a standard 0.35μm CMOS process exhibits 0.64 LSB maximum differential nonlinearity (DNL) and 0.59 LSB maximum integral nonlinearity(INL).It achieves 9.3 bit effective number of bits(ENOB) with 200 kS/s sampling rate at 77 K,dissipating 0.23 mW under 3.3 V supply voltage and occupies 0.8×0.3 mm~2. 相似文献
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实空间转移晶体管研究进展 总被引:6,自引:1,他引:5
实空间转移晶体管是一种新型N型负阻半导体器件 ,具有高频、高速、可控负阻等显著优点 ,可大大简化集成电路的复杂程度。文中阐述了实空间转移晶体管的工作原理 ,对二十年间该类器件在材料、结构、性能等方面的研究进展作了总结 ,对其在单器件逻辑单元、光电逻辑等领域的应用进行了重点介绍 ,并展望了今后该类器件的研究方向。 相似文献
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本文将IC电过力失效机理划分为EOS和ESD分别进行阐述,EOS和ESD2种失效模式的相似使得对它们失效机理的判断变得困难,但借助SEM和FIB等先进的成像设备可以揭示2种失效机理的重要差别.本文先通过实例分析揭示了2种失效机理的差别,其中从理论角度突出对ESD失效机理和失效位置的研究;然后,借助仪器分析的结果对ESD失效案例的ESD放电路径做了合理推断,这种通过失效分析推断放电路径的方法对于改善ESD保护电路性能和提高ESD防护等级有着重要参考作用. 相似文献
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本文提出了一种用于低温红外读出系统的连续逼近模数转换器(SAR ADC)电路。为了在很宽的温度范围内保证电路的性能,ADC中采用了一种温度补偿时域比较器结构。该比较器可在从室温到77K的极端工作温度条件下,实现稳定的性能和极低的功耗。该转换器采用标准的 0.35 μm CMOS 工艺制造,在77K的温度下,其最大微分非线性(DNL)和积分非线性(INL)分别为0.64LSB和0.59LSB。在采样率为200kS/s时可实现9.3bit的有效位数。在3.3V的电源电压下其功耗为0.23mW,占用的芯片面积为0.8*0.3 mm2。 相似文献
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碳纳米管场发射冷阴极的低温制备及场发射性能 总被引:1,自引:0,他引:1
利用纳米银的低温熔接性和良好导电性,研究了以纳米银取代传统的有机粘结剂和导电银浆制备CNTs场发射冷阴极的新工艺.将CNTs、纳米银、粘性松油醇和有机溶剂混合研磨后涂敷在镀Cu玻璃基片上,250℃烧结30min后,纳米银颗粒之间互相熔接,将周围的CNTs粘结成为整体膜,形成了表面平整、导电性和场发射性能良好的CNTs阴极.测量了不同纳米银掺入量的CNTs阴极的场发射性能,结果表明:当CNTs:Ag质量比率为1:1时,CNTs阴极具有最好的场发射性能,阈值电场为4.9V/μm,当电场强度为5.7V/μm时,场发射电流密度为41mA/cm2.纳米银比例过大,烧结后CNTs被熔接的银膜覆盖,高电压时场发射电流明显下降,而纳米银掺入量太少则会导致CNTs阴极的附着力和导电性变差. 相似文献
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