相对湿度对AFM针尖阳极氧化金属薄膜的影响

AFM针尖诱导氧化加工的金属 (Ti、Al、Nb等 )纳米氧化线是实现金属 半导体纳米器件的基础 ,由大气湿度决定的金属膜表面水吸附层的厚度 ,对控制阳极诱导氧化加工的结果起重要作用。实验研究了大气湿度对Ti氧化线高度、宽度和纵横比的影响 ,结果表明进行氧化加工Ti膜的较好的湿度范围为 30 %～ 5 0 %。     

K13井的压井设计与施工

当井内管柱无压井液循环通道时，常用的压井方法就是挤压井。然而，有些注采井的完井管柱特殊，以至于既使采用挤压井的方法也无法成功压井。以K13井为例，介绍了这些井的压井设计思路及现场施工效果，为类似井的压井提供了借鉴方法。     

一种新型深水炸弹引信解除保险机构设计

为了适应深水炸弹引信在深水中能够安全可靠的接触保险,设计了一种新型的多重引信保险机构,该机构具有投弹保险、限位保险和辅助保险的多重功能,发射保险利用投弹重力环境剪断剪切销解除投弹保险;限位保险利用水压力来实现水压机构的错位移动解除保险;辅助保险确保了引信在未正常工作的情况下的安全处理.通过试验验证了多重保险的可靠性,结果表明:该机构对于深弹引信的安全性和可靠性是可行的.     

标准Ge-on-SOI工艺全差分光电探测器(本期优秀论文)

基于IME标准Ge-on-SOI工艺提出了一种全差分光电探测器结构,由定向耦合偏振分束器与锗垂直PIN光电探测器组成,可将一路由单模光纤输入的高速1550nm光信号转换为一对高速差分电信号.分析并设计了具体结构,进行了器件模拟,模拟得到定向耦合偏振分束器TE波与TM波的消光比分别为-16.7dB与-15.7dB,锗垂直PIN光电的响应度与带宽分别为0.42A/W与6.51GHz.     

负阻异质结晶体管的模拟与实验

采用MBE方法生长了8nm基区的InGaP/GaAs双异质结材料,研制成具有负阻特性的异质结晶体管.在恒压恒流条件下均观察到了负阻特性并对其物理机制进行了讨论.推导出集电极电流Ic与VCE的关系表达式,讨论了负阻与器件结构和参数的关系.使用PSPICE模拟软件建立电路网表模型,代入推导出的IC-VCE公式进行模拟,模拟结果与器件的测量结果十分接近.     

由pnp双极型晶体管和PMOS构成的CMOS负阻单元

使用pnp双极型晶体管和pMOS,按照正反馈产生负阻I-V特性的原理,采用CMOS工艺,设计研制成功CMOS负阻单元,并对它进行了实际的测试与验证,效果良好,而且可以用它作为基础性器件,构成与CMOS工艺相兼容的负阻型逻辑电路,比常规CMOS电路节省大量器件。     

平面型RTD及其MOBILE的设计与研制

鉴于已报道的平面共振遂穿二极管(PRTD)存在的缺点,文中提出了一种新的平面RTD器件结构.以n GaAs代替半绝缘GaAs衬底,利用硼离子注入产生的非晶化作为RTD器件的电隔离,成功设计研制平面型RTD和由其构成的单-双稳转换逻辑单元,此种结构可适用于以输出端作为公用端的所有电路.     

2.45 GHz RFID半有源标签电源管理电路设计

针对半有源标签的特点,分析了制约半有源标签读写距离与使用寿命的因素,提出一种适用于2.45 GHz射频识别的带模式控制功能的电源管理电路设计方案,以使标签的识别距离最大化,延长标签的使用寿命.该方案中,标签可根据与读写器的距离自动切换有源/无源工作模式,供电电源也随之在内部电池和射频信号之间自动切换.在无源模式下,所有高功耗模块,如低噪声放大器、调制器和功率放大器将被关断,以最大程度地节省整体芯片功耗;在有源模式下,高功耗模块启动,标签的工作距离大大提高.仿真结果表明,在输入电压为500 mV,负载电阻为60 kΩ的情况下,电荷泵的输出可达1.9V,为其他模块正常工作提供了可靠保证.     

基于标准BiCMOS工艺的1.5Gbit/s调节型共源共栅光接收机

基于IBM 0.18μm SiGe Bi CMOS标准工艺设计实现了一种高速、低功耗的光接收机前端模拟电 路。接收机芯片包括调节型共源共栅 (RGC) 跨阻放大器(TIA)、四级限幅放大器(LA)和 输出缓冲 电路(buffer)。采用高跨导SiGe异质结双极晶体管(HBT)作为输入级的RGC TIA有效隔离了 探测器结电容和输入寄生电容的影响,更好地拓展了光接收机的带宽。仿真结果表明,在1.8V电源电 压供电下,驱动50Ω电阻和10pF电容负载时 ,光接收机前端的跨阻增益为76.67dB带宽为2.1GHz 。 测试结果表明,光接收机前端电路的－3dB带宽为1.2GHz,跨阻增 益为72.2dB,在误码率(BER)为10－9的条件 下,光接收机实现了1.5Gbit/s的数据传输速率。在1. 8V电源电压 下,芯片功耗仅为44mW,芯片总面积为800 μm×370μm。     

某型深弹引信传爆序列设计与仿真

为了提高引信传爆序列的可靠性,设计两种传爆序列结构.应用非线性有限元软件AUTODYN对两种方案传爆序列的可靠性进行了数值模拟分析,数值模拟结果表明:方案Ⅱ提高了爆轰的可靠性,缩短爆轰转向时间,对装药间隙值要求相对较低.同时通过高温、低温和常温环境试验对比分析两种传爆序列结构的传爆可靠性,试验结果表明:同等样本条件下,方案Ⅰ的传爆率为87％,而方案Ⅱ可靠率为100％,方案Ⅱ相比方案Ⅰ传爆率提高了13％.该研究为产品工程化设计提供了指导和参考.