基于标准CMOS工艺太阳能电池的微电源管理系统

文章基于CMOS太阳能电池设计了一款微电源管理系统。此电源管理系统适用于传感器网络节点和半有源电子标签之类的需要周期性短时间供电的电路。电源管理系统中包含一个电荷泵,一个片外储能电容,控制电路和一个线性稳压器。控制电路采用一种全新的结构,静态功耗基本为零。采用UMC 0.18μm CMOS工艺,当输出电流为30uA,储能电容为1uF时,一个周期可达到大于20ms的供电时间,输出电压1.8V,电源管理系统的静态电流小于1.5uA。     

集成于无源UHF RFID标签的宽温测范围CMOS温度传感器

针对无源UHF RFID标签温度测量范围小、功耗等问题,本文提出了一种集成于无源UHF RFID标签的宽温测范围CMOS温度传感器。本文设计采用UMC 0.18μm 1P6M CMOS工艺进行设计,提出一种新温度脉冲转换电路结构产生随温度变化的脉冲,从而实现了宽温度测量。仿真结果表明:当温度范围在-75℃~125℃时,温度脉冲宽度变化近220μs,标签芯片供电电压为1.5V时,室温时新增的温度传感器模块功耗仅为200 nW,温度传感器精度为0.45℃/LSB。测试结果:在-5℃~45℃范围内进行测试,温度传感器精度为0.48℃/LSB,其中在室温25℃左右振荡器频率2.087 MHz,脉冲宽度大约110μs,异步计数器显示为011011000。     

光电负阻晶体管PNEGIT的电路模型和模拟

给出了光表面控制负阻晶体管 PNEGIT( Photo- Controlled Surface Negative ImpedanceTransistor)的电路模型 ,从栅控晶体管数学模型出发并结合光电池的电路模型 ,用电路模型描写带有表面复合和体复合的器件 ,模型为研究 PNEGIT和表面控制负阻晶体管 NEGIT( Surface- Controlled Negative Impedance Transistor)以及探讨该类器件的新用途提供了一种手段 ,把模拟结果与实验进行了对比     

含能空芯球形壳体制备工艺

为扩大液体发射药的使用范围,适应现有武器装备的需要,使液体发射药能应用于现有的各项武器系统中,设计了一种可以用来封装液体发射药的硝化棉基含能空芯球形壳体,以内溶法制备球形发射药为基础,利用双重乳化的原理,使用W/O型Pickering乳化剂活性磷酸钙与O/W型乳化剂羧甲基纤维素钠将含硝化纤维素的乳液乳化成单分散型W/O/W型乳状液,随后蒸发溶剂得到壳体.使用接触角测量仪测量活性磷酸钙三相接触角验证其作为W/O型pickering乳化剂的可行性,使用超景深电子显微系统对其基本形貌和粒径进行表征,使用质量体积法对其堆积密度进行表征.结果表明:活性磷酸钙的三相接触角为121.80°;该壳体内部具有较大的空腔结构,粒径为0.7～1.1 mm,堆积密度为0.1～0.2 g·mL-1,微观上以白色纤维结构为主,且纤维上嵌有白色微粒;羧甲基纤维素钠与活性磷酸钙加入质量比例以1:1～1.25:1,且活性磷酸钙与硝化纤维素加入质量比以0.16:1～0.24:1为宜.     

光电双基区晶体管(PDUBAT)的器件模型

本文在考虑了晶体管的小注入效应和大注入效应以及基区宽变效应等因素后,首次用近似和简化的数学表示式和相应的等效电路,描述了光电双基区晶体管(PDUBAT)负阻形成的机理并使负阻区和谷值区的理论计算和实验结果一致性很好.     

光控单稳-双稳转换逻辑单元(英文)

用光电晶体管替换HEMT作为输入端,结合RTD可以构成新的光控逻辑单元,它具有光电流开关和自锁功能,该功能在实验及电路模拟中得到证实.在此基础上,若以异质结光电管(HPT)和RTD集成,可以设计和制作诸如D型触发器等不同功能的光控逻辑电路单元.     

光控单稳-双稳转换逻辑单元

用光电晶体管替换HEMT作为输入端,结合RTD可以构成新的光控逻辑单元,它具有光电流开关和自锁功能,该功能在实验及电路模拟中得到证实.在此基础上,若以异质结光电管(HPT)和RTD集成,可以设计和制作诸如D型触发器等不同功能的光控逻辑电路单元.     

谐振隧穿二极管的两种高频小信号模型比较与分析

讨论了谐振隧穿二极管(RTD)的两种微波等效电路模型:类江崎隧道模型(QETM)和量子阱注入传输模型(QWITM)之间的差异,并用最小二乘法拟合实验数据,提取了两种模型的电路参数.理论分析和对拟合结果的比较都说明QWITM比QETM更加精确,而提取到的QWITM的电路参数的合理性也证明了这一点.在此基础上计算了阻性频率fR,并简单介绍fR的影响因素及其提高方法     

应用于无源RFID标签的BICMOS温度传感器

基于IBM 0.18μm SiGe BICMOS工艺,采用温度脉冲转换方式设计了一种应用于无源RFID标签的温度传感器。与绝对温度呈正比(PTAT)的电流源和电流饥饿环型振荡器产生频率与温度呈正相关的振荡信号,作为计数器的时钟信号;用数字模块对接收的帧头代码进行处理得到一个宽度为200μs的脉冲信号,作为计数器的使能信号;利用时域数字量化方式就可以得到不同温度下的数字信号。温度传感器总面积为0.03 mm2,温度在-100~120℃范围内变化时,振荡器输出频率范围由800 kHz~1.8 MHz。在1.8 V电源电压下,温度传感器平均输出电流约为13μA,芯片测试结果的有效分辨率可以达到0.864 LSB/℃。     

关于201项目的400kA大型预焙铝电解槽焙烧启动实践

根据对201项目的 400 kA大型预焙铝电解槽焙烧启动进行数据分析,可得出曾在焙烧启动过程中发生渗漏的铝电解槽,在二次或三次焙烧启动过程中,虽然整体的焙烧温度偏低,且理论上讲未能够达到理想的焙烧效果,但是仍可以顺利地进行焙烧启动的结论。其焙烧启动后不仅运行效果良好,各项经济技术指标丝毫未受到影响,而且还降低了其焙烧启动的成本与大修成本。