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表观正阻是RTDI-V特性上峰值电压VP大于谷值电压VV的现象。以前的观念认为它来源于RTD和其负载电阻RL构成的锁定单元,但未阐明负载电阻产生的物理过程。对表观正阻现象产生的物理机制进行了更进一步的研究,发现了RTD串联电阻增大时形成RL/RTD锁定单元的物理过程,为建立APR的物理模型奠定了基础。 相似文献
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研究了用于喇曼放大的绝缘硅(SOI)脊形波导中自由载流子寿命与非线性光学损耗的关系.通过理论推导结合二维数值模拟的方法,提出了带有零反偏pin结构的SOI脊形波导中自由载流子寿命的解析表达式,该解析表达式与他人的实验结果相符.结果表明,比起不带pin结构的波导,带有零反偏pin结构的波导中的自由载流子寿命最多可以缩短80%.同时,研究了pin结构外加反偏电压时,自由载流子寿命进一步缩短的原因,并从强场下自由载流子速度饱和的角度出发,得到了自由载流子寿命的理论极限值.最后,模拟了不同自由载流子寿命情况下SOI脊形波导的喇曼净增益随着输入泵浦光功率密度的变化曲线,为硅基喇曼放大器的进一步研究指明了方向. 相似文献
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针对准第四代无线通信技术TD-LTE中2.570~2.620 GHz频段的应用,设计了一款基于IBM SiGe BiCMOS7WL工艺的射频功率放大器。该功率放大器工作于AB类,采用单端结构,由两级共发射极电路级联构成,带有基极镇流电阻,除两个谐振电感采用片外元件外,其他全部元件均片上集成,芯片面积为(1.004×0.736)mm2。测试结果表明,在3.3 V电源电压下,电路总消耗电流为109 mA,放大器的功率增益为16 dB,输出1 dB增益压缩点为15 dBm。该驱动放大器具有良好的输入匹配,工作稳定。 相似文献
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共振隧穿二极管(RTD)I-V特性的几个问题 总被引:1,自引:2,他引:1
对作者研制的 RTD进行了 I-V特性测量 ,并重点分析了 :(1 ) I-V特性的湿度效应 ;(2 )负阻区“表观正阻”现象 ;(3 )用负阻值估算开关时间。以上问题的分析对 RTD的设计和研制有一定的指导作用 相似文献