A low power and low distortion rail-to-rail input/output amplifier using constant current technique

A rail-to-rail amplifier with constant transconductance,intended for audio processing,is presented.The constant transconductance is obtained by a constant current technique based on the input differential pairs operating in the weak inversion region.MOSFETs working in the weak inversion region have the advantages of low power and low distortion.The proposed rail-to-rail amplifier,fabricated in a standard 0.35μm CMOS process,occupies a core die area of 75×183μm~2.Measured results show that the maximum power consumption is 85.37μW with a supply voltage of 3.3 V and the total harmonic distortion level is 1.2%at 2 kHz.     

引进现代企业制度 振兴盐业运销企业初探

引进现代企业制度振兴盐业运销企业初探四川涪陵盐业分公司张世林关键词：盐业运销在当前改革开放的新形势下，我们盐业运销企业正面临深化企业内部改革．转机建制．适应社会主义市场经济的要求，引进现代企业制度．必将对振兴我们盐业运销企业起到关键和重要的作用。所以...     

切流式双入口气液旋流分离器内的流动分析

针对切流式双入口气液旋流分离器的内部流动特征,利用Fluent软件进行计算分析,重点对分离器内部流动状态及湍流度进行分析,并考察入口流速对主要分离空间流动参数的影响。结果表明,切流式气液分离器内主要分离空间呈明显的组合涡分布,并且轴向零速包络面呈明显柱形,但分离器入口处能耗较大,排气管入口附近紊流现象严重,当入口流速增大时尤为明显。计算结果对气液旋流分离器的结构优化与性能预测具有指导意义。     

标准CMOS工艺新型多晶硅PIN-LED的设计与实现

采用联华电子公司(UMC)0.18μm标准CMOS工艺设计并制备了多晶硅PIN-LED,测试结果表明,i区宽为10μm器件的正向导通电压为1.5V,反向击穿电压为8.8V;当其工作在正向载流子注入模式时发射950～1 250nm波段的红外光,工作在反向雪崩击穿模式时发射650～1 000nm波段的可见光。实验结果表明,本文以多晶硅材料制备的PIN-LED与单晶硅材料制备的Si-LED具有类似的电学特性与光学特性。     

带新解调结构的UHF RFID标签低功耗模拟前端设计

基于ISO/IEC 18000-6C协议,对UHF无源电子标签模拟前端中的ASK解调电路、整流器、稳压电路等进行低功耗设计。解调电路中微分电路的加入扩大了解调电路工作范围,在解调电路近距离工作时,可以更有效地解调。整流电路采用了零阈值MOS管代替肖特基二极管,降低芯片成本。整流稳压电路可稳定地为芯片供电,供电电压2 V,建立时间仅为25μs。电路采用SMIC 0.18μm 2P4M CMOS工艺进行流片,芯片面积720μm×390μm。测试得到模拟前端整体工作电流仅2.4μA,标签工作距离大于7 m。     

A novel power amplifier structure for RFID tag applications

A novel matching method between the power amplifier(PA) and antenna of an active or semi-active RFID tag is presented.A PCB dipole antenna is used as the resonance inductor of a differential power amplifier. The total PA chip area is reduced greatly to only 240×70μm~2 in a 0.18μm CMOS process due to saving two on-chip integrated inductors.Operating in class AB with a 1.8 V supply voltage and 2.45 GHz input signal,the PA shows a measured output power of 8 dBm at the 1 dB compression point.     

三合店钾长石矿地质特征及找矿前景

三合店岩体分布范围广,属燕山早期酸性岩浆侵入产物。属高钾（K2O含量8.08%～10.80%）、中钠（Na2O含量3.52%～5.08%）的二长花岗质岩石,钾长石斑晶易与基质矿物分离利用。本文总结了湖北省三合店钾长石矿地质特征,对本区找矿前景与开发利用方向提出了合理化建议。     

液体胍胶非水悬浮液的制备与水合性能

采用羟丙基胍胶、聚乙二醇及悬浮剂等制备了液体胍胶非水悬浮液,分别考察了液体胍胶非水悬浮液的表观黏度、悬浮率及水合速率,进一步探讨了该液体胍胶体系快速水合起黏的影响因素。流变及静置沉降实验结果表明,季铵盐改性的有机黏土适合作为液体胍胶的悬浮剂,液体胍胶的黏度随悬浮剂加量的增加而轻微增加,且其悬浮率随该悬浮剂加量的增加而急剧增大。悬浮剂加量为5%的液体胍胶在340 s-1下的表观黏度为650m Pa·s左右,在1 d内基本不沉降,在2 d内的悬浮率能够保持在98%以上。粉液比(胍胶与聚乙二醇的质量比)在1∶5~1∶2之间时,其对应的液体胍胶于340 s-1下的表观黏度值在200~700 m Pa·s之间,具备较好的流动性,便于连续混配设备泵送。水合起黏实验结果表明,与在中性环境下相比,弱酸性环境下采用该液体胍胶配制的压裂液基液具有更快的水合起黏速率,而碱性环境下该压裂液基液基本不起黏。配液用水pH值为5时,基液黏度在3~5 min内即达到最佳基液黏度的85%~90%。配液时采用高剪切循环速率会加快液体胍胶的起黏速率。     

全膜电容器的老化试验

1.EDF的工作经验复合介质电容器的老化试验表明:电容器的击穿不是在5000小时附近发生,就是在13000小时以后发生(见表1)。此外,可以观察到:在老化试验期间,     

隧道结TiOx线宽度对隧穿现象的影响

在新型超高速光导开关的研究中,采用AFM阳极氧化加工方法,加工利用磁控溅射方法在GaAs衬底得到的厚约3nm的钛膜,形成纳米级氧化钛线.该Ti-TiOx-Ti形成MIM隧道结作为光导开关的基本结构,并且TiO x作为电子的能量势垒.为说明氧化线的宽度对隧穿现象的影响,确定加工超高速光导开关时不引起隧穿的最窄线宽及其实验条件,通过控制空气中的相对湿度,在加工速度、氧气浓度和偏置电压不变的条件下,加工出宽度分别为15.6,34.2和46.9nm的钛氧化线,测试了不同宽度氧化线隧道结的I-V特性.结果表明,在两电极的偏压为6V时不引起隧穿的前提下,可以在超高速光导开关两电极间加工最小宽度大约为10nm的氧化钛线.