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这篇文章没有谈具体的技术改进问题。但它透露了美国在研制行波管方面的成本、研制周期、长寿命和可靠性、固体器件取代行波管的一些情况,从中还可以看出在资本主义社会中科学技术研究方面的相互竟争和无政府状态。因此,把它刊登出来,供同志们分析、参考。 相似文献
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大功率微波电子注器件及其发展 总被引:2,自引:1,他引:2
本文综述了大功率微波管最新进展,指出以电子注和场互作用为基础的大功率微波管,相对论高功率微波源,真空微电子器件是国防和信息系统的核心器件,其技术进展将为21世纪军事电子装备的发展提供强有力的支持,也将对信息社会产生深远影响。 相似文献
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钼尖场致发射阵列阴极的性能研究 总被引:8,自引:4,他引:8
利用微细加工技术和双向薄膜沉积技术对钼尖场发射阵列阴极的工艺进行了较为细致的研究,并在专用的真空系统中对所得阵列阴极的发射性能进行了测试,得到了一定的场致发射电流密度值。测试中采用数据采集系统监测栅极电压、阳极电压、阳极电流和栅极电流,测量了阴极阵列的发射稳定性和发射噪声。对发射的失效机理进行了实验研究和分析,认为发射失效的主要原因在于栅极和基底之间的漏电,尖锥和棚极孔间的暗电流,电极间的放电和放气,以及环境真空度和尖锥的均匀性等。所得结果以进一步开展有射频器件和显示器件方面的应用研究打下了一定基础。 相似文献
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提高钼尖锥场致发射阵列阴极发射性能的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
在利用微细加工技术和双向薄膜沉积工艺制得的钼尖锥场致发射阵列阴极进行实用化的过程中,目前存在的两个主要障碍是,阴极发射电流密度低和工作不稳定。通过对阴极发射失效机理和失效阴极的SEM照片进行研究认为,导致电流密度较低的原因是由于尖锥阵列的不均匀性造成只有部分尖锥发射电子;引起发射不稳定的主要因素是由于尖锥表面的微凸起和毛刺以及它吸附的各种影响有效功函数的污染物。采用电阻限流技术提高了阵列发射的均匀性,同时通过阴极老炼技术增强了场发射的稳定性,使其电流发射密度有很大程度的提高,而且电流波动也大为减小。研究结果对于该阴极在射频功率和平板显示等器件上的应用有着重要的意义。 相似文献
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本文讨论了光注入锁定技术的发展,给出了光控锁相技术对FET振荡器讯号频率和相位进行独立控制的方法,还给出了光控微波相移器的原理,由引获得新颖的光控相控阵天线波束成形与控制技术及具体的设计结构。 相似文献
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信息系统的发展要求真空电子器件(包括行波管)的发展遵循微型化/集成化/组件化发展趋势。本文重点讨论了真空电子器件(包括行波管)的三步走发展战略,即现有器件的微型化/集成化/组件化、纳米真空三极管放大器和集成化、真空电子器件和微波光子学融合发展的新型器件与应用。 相似文献
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高功率连续波磁控管在工业加热等方面有着广泛的应用,长阳极磁控管以其大的热容量及长的互作用区可以得到较大功率的输出,本文试图研究和设计一种针对2450MHz的连续波输出的长阳极磁控管谐振系统,对有输出耦合圆盘和不同隔模方式的颜色色散特性和模式分隔进行了计算和比较,对场型分布图的分析发现了普通磁控管中所没有的高阶轴向模式,最后通过适当的隔模带方法得到可满足π模要求的模式分隔,这一研究结果对进一步开发工 相似文献