Mitsunobu环化试剂偶氮二羧酸二丙酯合成

设计并改进了偶氮二羧酸二丙酯(DPAD)的合成路线。以氯甲酸丙酯、水合肼为起始原料,用水替代有机溶剂作为反应介质制备联胺二羧酸二丙酯,然后用硝酸氧化得到DPAD,并采用元素分析、红外光谱、核磁共振、质谱等验证了其结构。该合成方法具有原材料来源广泛、操作简便、收率高、制备成本低等优点。用自制的DPAD作为Mitsunobu环化试剂进行四元成环反应,成功地合成了1-叔丁基-3-羟甲基-3-硝基-氮杂环丁烷盐酸盐。     

多有源区垂直腔面发射半导体激光器的特性分析

提出了一种多有源区隧道再生应变量子阱垂直腔面半导体激光器(VCSEL)结构,其微分量子效率可以大于1,并且可以得到阈值电流小、输出功率大的器件。从理论上得到了针对这种结构的以固定输入电流及串联电阻为参数的最优化分布式布喇格反射镜(DBR)的反射率。从理论上证实了这种结构随着有源区数目的增加能大大提高输出功率,并能极大降低阈值电源密度。     

非对称性呋咱醚3-叠氮基-3'-硝基呋咱醚:合成及量子化学研究

以3?叠氮基?4?氨基呋咱(AAF)为起始原料,经卡罗酸氧化,水解及分子间醚化反应,首次合成了3?叠氮基?3′?硝基双呋咱基醚(ANFO),总收率32.7%。采用~1H NMR,~(13)C NMR,FT?IR,MS和元素分析表征了ANFO和中间体的结构;以过氧化氢(50%)、硫酸、钨酸钠为新的氧化系统,对ANF氧化法进行了改进,产率达75.1%。探讨了氧化和醚化反应的最佳条件,得到最佳反应条件为:氧化体系n(H_2O_2)∶n(H_2SO_4)=1∶1.5,醚化体系反应温度为30℃。采用B3LYP/6?31G(d,p)法优化了ANFO的结构,在振动分析的基础上计算了ANFO在不同温度下的热力学性质。采用差示扫描量热法(DSC)和密度泛函理论(DFT)研究了ANFO的物理化学性质和爆轰性能。计算的密度、熔点、爆速、爆压、撞击感度(H50)和爆热分别1.85 g·cm-3,182.3℃(dec.),8660 mg·s~(-1),33.81 GPa,35.2 cm,6725 kJ·kg~(-1)。     

新型垂直腔面发射激光器的最优化设计模式

本文通过提出具有优点为微分量子效率可以大于l的一种新型多有源区隧道再生应变量子阱垂直腔面发射半导体激光器(VCSELs)结构，可得到阈值电流更小、输出功率更大的器件。同时，通过对这种器件功率效率的分析，总结出针对这种新型结构的以固定工作电流及串联电阻为参数的最优化DBR反射率公式，并且就功率效率与工作电流、串联电阻及反射率的关系进行了讨论，这将对器件的合理设计以及器件制备具有实质性的指导作用。     

AlAs/AlGaAs的湿氧氧化及其在VCSEL制备中的应用

根据制备垂直腔面发射激光器 (VCSEL)电流限制层的需要 ,通过实验方法研究了氧化温度、Al组分和晶向等条件对AlGaAs氧化速率的影响 ,得到适用于VCSEL的材料参数和氧化条件 ;对氧化后表面分层、欧姆接触特性变差等现象进行分析 ,得到解决或改善方案。比较AlAs和Al0 .98Ga0 .0 2 As氧化特性及氧化后的热稳定性 ,结果表明Al0 .98Ga0 .0 2 As较AlAs更适于作VCSEL电流限制层。将优化的氧化条件及材料参数应用于VCSEL制备 ,得到室温连续工作的VCSEL器件 ,其阈值电流为 0 .8mA ,激射波长为 980nm ,工作电流为 15mA时输出功率可达 3.2mW。     

垂直腔面发射激光器菲涅耳系数矩阵法设计

应用薄膜光学的菲涅耳系数矩阵方法,对垂直腔面发射激光器的驻波场分布设计做了深入的研究。计算结果表明,分布布拉格反射镜生长顺序对器件内部驻波分布有重要的影响。同时也说明菲涅耳系数矩阵法设计垂直腔面发射激光器是一种快速准确的方法。     

耐热炸药LLM-105的合成及量子化学研究

以2,6-二氯吡嗪为起始原料,经甲氧基化、硝化、氨化、氧化等四步反应合成了2,6-二氨基-3,5-二硝基吡嗪-1-氧化物(LLM-105),总收率为60.2%,用红外、核磁、质谱以及元素分析等进行了结构表征。通过优化合成工艺条件,确定了最佳工艺条件。利用B3LYP方法,在6-31G(d,p)基组水平对LLM-105的结构进行了优化,获得了稳定的几何结构和温度与热力学性能的关系式,结果表明,LLM-105中吡嗪环上所有原子基本在同一个平面上,且热能、热容和熵在273～1 000K均随温度的升高而增加。     

Novel Type of Wide-Bandwidth GaAs/AIGaAs Infrared Photodetectors

A novel asymmetrical GaAs/AlGaAs photoconductance infrared detector based on the new idea proposed in this paper has been developed,which uses the intersubband transition within the same conduction (valence) band due to infrared radiation.The detectors with two wells or six wells grown by Metalorganic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) system are fabricated by etching a mesa size of 200μm×200μm.Evident infrared absorption on the wavelength from 5 to 10μm has been observed for two samples,so has the peak of n...     

基于丙二腈的含能化合物的合成研究进展

丙二腈是一种重要的有机合成原料。介绍了丙二腈分子中亚甲基和氰基的反应特性。利用氰基的反应活性可以构建氮杂环母体骨架,可进一步赋予能量,设计并合成多种性能优异的含能化合物。丙二腈作为原料可以合成3, 4-二(3’-硝基呋咱-4’-基)氧化呋咱(DNTF)和1, 1’-二羟基-5, 5’-联四唑二羟胺盐(HATO)等新型含能材料。系统综述了构建呋咱、四唑、异呋咱、偶氮桥联、醚桥联等含氮含能化合物的合成方法。同时,重点介绍了典型含能化合物的爆轰性能等物理化学性能。对基于丙二腈的含能化合物的合成思路和方法进行总结并提出建议,为未来设计、合成具有自主知识产权且性能优异的新型含能材料提供参考。     

3,3′-双[三硝甲基-ONN-氧化偶氮基]氧化偶氮呋咱的合成与性能（英）

以3,3'-双[单硝甲基-ONN-氧化偶氮基]氧化偶氮呋咱为原料,经过硝化,二次硝化两步反应合成了3,3'-双[三硝甲基-ONN-氧化偶氮基]氧化偶氮呋咱(BTNAF),总收率为68.7％;首次利用示差扫描量热法(DSC)研究了BTNAF的热行为,其熔点为59～61℃,分解温度为183.6℃,放热量为1989 J·g-1;通过高斯计算,对比了BNMAF,BDNAF和BTNAF的物化性能和爆轰性能,结果表明,BDNAF(爆速9560 m·s-1,爆压42.40 GPa)和BTNAF(爆速8944 m·s-3,爆压38.48 GPa)是潜在的性能突出的含能化合物.