79-激光国际会议简介

由光学和量子电子学协会主持的79-激光国际会议于1979年12月17～21日在美国佛罗利达州澳伦多市召开。参加会议的有四百多人,其中百余名来自西欧、东欧、苏联、日本、新、澳、北美和南美等十五个国家。我国干福熹(中国科学院上海光学精密机械研究所)和吕保维(中国科学院电子学研究所)作为特邀代表参加,在会上分别作了“中国科学     

功能复合光学薄膜的制备及光学性能研究

研究了溶胶－凝胶法和ｓｐｉｎ ｃｏａｔｉｎｇ工艺制备染料／ＯＲＭＯＳＩＬ、染料／聚合物薄膜的制备工艺、结构、光学性质及光存储性能及其相互关系。研究表明：Ｐｒ４ＶＯＰｃ（四丙基取代钒氧酞菁）－ＰＭＭＡ－四氧乙烷溶液和菁染料－ＰＶＡ（聚乙烯醇）－二丙酮醇溶液都为牛顿型液体。ＩＰ１２－Ｄ１０１－ＰＶＡ薄膜获得了５８ｄＢ的载噪比ＣＮＲ，记录过程中，载波信号强度Ｃ、ＣＮＲ和记录前后薄膜反射率变化ΔＲ的对数存     

光子学玻璃--特种玻璃的重要发展

指出了光子学玻璃在信息技术发展中的重要性和光子学玻璃在特种玻璃中的地位。介绍了光子学玻璃的几个主要方面：激光玻璃,光功能玻璃,非线性光学玻璃,光波导玻璃以及光子存储玻璃的发展状况。     

双轴晶β′相掺钕钼酸钆晶体相位匹配方向确定

我们对钼酸钆晶体的二阶非线性性能进行检测,测量出掺钕钼酸钆晶体在1.064 μm波段的I类相位匹配方向为θ＝66°,φ＝63°,与计算纯净钼酸钆晶体在1.064 μm波段的I类最佳相位匹配方向θ＝65.87°,φ＝45°有一定的偏离.测定了基波为1060 nm,1070 nm条件下的允许角分别为2.31 mrad*cm,1.83 mrad*cm;走离角分别为2.40 mrad,3.02 mrad.1064 nm倍频光的转换效率仅为1%.转换效率低的主要原因是钕离子在532 nm有较强的吸收.钕离子的不同浓度分布引起相位匹配方向不一致,导致转换效率降低.(OH20)     

Ge掺杂TeOx薄膜的光学和结构特性

以真空混合蒸镀和交替蒸镀法在K9玻璃基底上制备了TeOx∶Ge单层薄膜和Ge/TeOx双层薄膜.使用光谱仪、X射线衍射仪等对初始、250℃退火后及不同功率下连续Ar+激光(514.5 nm)辐射后薄膜的光学和结构特性进行了研究.实验结果表明:初始TeOx∶Ge单层薄膜和Ge/TeOx双层薄膜均为非晶态,退火后TeOx∶Ge单层薄膜反射率增加,薄膜中出现了多种结晶相;Ge/TeOx双层薄膜随着激光辐射功率的增加透过率增大,辐射后薄膜中未发现明显结晶相.处理后(退火和光辐射)两种薄膜的表面与处理前不同.Ge掺杂后TeOx薄膜的反射、吸收和结构特性均发生了明显变化.基于实验结果对变化机制进行了初步分析.该类薄膜有望作为短波长高密度光存储记录介质.(PH5)     

工艺参数对AgInSbTe薄膜性能的影响

采用射频磁控溅射工艺,在 Ｋｇ玻璃基片上用 Ａｇ－Ｉｎ－Ｓｂ－Ｔｅ合金靶制备了 Ａｇ_δＩｎ＿（１４）Ｓｂ＿（５５）Ｔｅ＿（２３） 相变薄膜,将沉积态薄膜在３００℃进行了热处理．测量了薄膜的光学性质和静态存储性能,研究了 溅射气压和功率对薄膜光学性质和静态存储性能的影响．结果表明,适当的溅射气压和溅射功率可使 Ａｇ_δＩｎ＿（１４）Ｓｂ＿（５５）Ｔｅ＿（２３）相变薄膜具有较大的反射率对比度,从而提高其存储性能．     

溅射功率对Ge2Sb2Te5薄膜光学常数的影响

研究了溅射功率对Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５薄膜的光学常数与波长关系的影响。结果表明,在波长小于５００ｎｍ的情况下,随溅射功率的增加非晶态薄膜的折射率ｎ先增加然后减小,消光系数ｋ则逐渐减小;在波长大于５００ｎｍ的情况下,随溅射功率的增加折射率ｎ逐渐减少,消光系数ｋ先减小后增加。对于晶态薄膜样品,在整个波长范围折射率ｎ随溅射功率的增加减小后增加,消光系数ｋ则逐渐减少。薄膜样品的光学常数,在长波长范围随波长变化较大,在短波长范围变化较小。讨论了溅射功率对Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５薄膜的光学常数影响的机理。     

新型AgInSbTe相变薄膜的结晶活化能研究

利用磁控溅射法制备了新型AgInSbTe相变薄膜, 热处理前后的X射线衍射(XRD)表明了薄膜在热作用下从非晶态转变到晶态. 通过非晶态薄膜粉末的示差扫描量热(DSC)实验测定了不同升 温速率条件下的结晶峰温度, 计算了粉末的摩尔结晶活化能、原子激活能和频率因子. 从结晶活化能E可以判断出新型AgInSbTe相变薄膜具有较高的结晶速度, 可以用于高速可擦重 写相变光盘.     

GdFeCo/AIN/DyFeCo静磁耦合多层薄膜磁化方向转变的研究

对GdFeco／AIN／DyFeco静磁耦合多层薄膜变温磁化方向变化进行了研究。结果表明读出层GdFeCo随温度上升从平面磁化转变成垂直磁化，转变过程中受饱和磁化强度(M)和有效各向异性常数影响，但主要受饱和磁化强度(M)的影响。在高温时读出层的磁化强度很小，退磁场能减小，在静磁耦合作用下，使GdFeCo读出层的磁化方向发生转变，而且磁化方向的转变在较小的温度范围内变化较快。     

碘化亚铜微晶掺杂硼硅酸盐玻璃的制备及其电致二阶非线性光学效应

采用可分相的Ｎａ２－Ａｌ２Ｏ３－Ｂ２Ｏ３－ＳｉＯ２系为基础玻璃，以ＣｕＯ／ＳｎＯ、ＮａＩ为原料，分别引入Ｃｕ＾＋、Ｉ＾－，成功地制备出ＣｕＩ微晶掺杂硼硅酸盐玻璃。通过Ｘ射线粉末衍射（ＸＲＤ）和高分辨透射电镜（ＨＲＴＥＭ）分析观察到了玻璃中的晶相及其分布；由玻璃的室温透射光谱研究了玻璃的热处理条件下光吸收性的关系。首次报道了该半导体微昌掺杂玻璃中的电致二次谱波发生，并讨论了该效应的机理。