Li1.3Al0.3Ti1.7（PO4）3基锂离子导电材料的制备与表征

采用以聚乙烯醇为聚合剂的湿化学法合成Li1.3Al0.3Ti1.7(PO4)3(LATP)锂离子导电材料,以Li4P2O7(LP)为助烧剂制备LATP-xLP(x=0,0.01,0.03,0.05,摩尔分数)锂离子导电固体电解质材料。利用X射线衍射、扫描电子显微镜和交流阻抗技术分别对材料的相组成、微观组织和离子导电性进行表征。通过分析材料晶体结构和交流阻抗特性,对材料的导电机理进行研究。结果表明:LATP粉体和LATP-xLP陶瓷具有菱方晶系结构,空间群为R3-c,该晶体结构具有三维离子导电通道;添加LP助烧剂使陶瓷的烧结温度降低了150℃、电导率得到了提高。交流、直流导电特性测量得出LATP-0.03LP的离子导电性占总导电性的99.5%。     

泡沫压裂在延川南气田深煤层气井增产中的应用

为提升深煤层气井压裂改造效果,提高单井产量,对目前现场应用的几种压裂液体系进行了适应性对比分析,提出泡沫压裂体系低滤失、高黏度、低伤害、易返排等特征在深煤层气井压裂中具有较好的适应性,在此基础上开展了2口井氮气泡沫压裂现场应用试验,取得较好效果:氮气泡沫压裂施工压力平稳,砂比提高,加砂连续,平均单井日产气量增幅超过1 000 m~3/d。     

电压对采用三维电极处理TNT废水的影响

为研究电压对采用三维电极处处理TNT废水的影响比较了三维电极电解法和二维电极电解法处理TNT废水的效果,考察了采用三维电极电解法时不同槽电压对电解效果的影响。并对电解机理作了初步探讨．实验表明,极板间距为4cm、电动搅拌器转速250r／min、电解时间为2h时,最佳的电解槽电压为15V,此工艺条件下的CODCr,TOC的去除率分别为77．6％、62．7％。     

计算机组成原理、单片机及FPGA综合实验仪的研制

本文介绍了一种计算机组成原理、单片机及FPGA综合实验仪,该实验仪具有通用性好,实用性强,性能可靠稳定等特点。     

一种改进的电子病历系统的设计与开发

针对以往电子病历系统中临床辅助诊疗功能存在的不足,系统做了两方面改进:首先是医疗影像模块中加入了人机交互,提出了一种基于AdaBoost-SVM算法的相关反馈机制,解决了CBMIR中上层语义与底层特征之间的语义鸿沟问题,同时提高了相关反馈中机器自主学习的能力,减轻了医生进行图像标注的负担,通过实验证明了该算法的有效性。其次是医疗数据的集成视图展现,将病人的基本信息、就诊信息以时间轴的形式展现,设计了一套可视化组件生成个性化数据集成,解决了医疗信息过载的问题。     

风电变流器IGBT散热性能研究

风电变流器设计中,IGBT的散热设计非常关键,介绍了一种适用于风电变流器工程应用的IGBI损耗的理论计算方法,并建立了准确的数学模型。针对风电变流器应用环境的差异性以及不同类型散热器的固有热阻属性,通过flotherm仿真软件搭建普通散热器与热管散热器的仿真模型,仿真对比了不同散热器散热能力的差异。最后,通过实验验证了该设计方法的合理性和实用性,为风电变流器IGBT散热器与散热系统设计提供了重要的参考依据。     

我国海洋资源、产业的现状及发展对策

海洋因其蕴含丰富的资源将在人类的可持续发展进程中发挥着愈来愈重要的作用，合理开发利用海洋已逐渐成为各海洋国家的重要战略举措。本文着重介绍了我国海洋资源的概况、海洋产业的状况及发展现状，以及海洋产业发展中存在的问题，对发展我国海洋产业提出了几点建议。     

滇东旧堡煤矿煤的可选性研究

在分析了滇东旧堡煤矿煤层煤质特征的基础上,利用筛分试验和浮沉试验研究了该矿区煤的可选性.研究结果表明,该矿区K2、K5可采煤层均为中灰分、特低硫和中等挥发分煤.筛分试验结果显示,在13～0 mm粒级中,主采煤层的煤主要分布在13～6 mm的粒度范围内,且筛分后各粒级水分、硫分均无大的变化,但灰分都随粒度减小而有所下降.浮沉试验结果显示,K2煤层的煤为难选煤,K5煤层的煤则为极难选煤.     

高性能掺杂PZT热释电陶瓷研究

对Ｐｂ＿（０．９９）Ｂｉ＿（０．０１）（Ｚｒ＿（０．９４）Ｔｉ＿（０．０６））Ｏ＿３和Ｐｂ＿（０．９９）Ｂｉ＿（０．０１）（Ｚｒ＿（０．６１）Ｔｉ＿（０．３９））Ｏ＿３两种主配方掺入Ｍｎ、Ｎｂ、Ｃｏ、Ｎｉ、ｗ等元素，制备出宽光谱吸收、电性能优良的掺杂ＰＺＴ热释电陶瓷。对其进行了结构分析和电性能测量，第一种配方的典型电学参数为：ε＿ｒ＝２１９；ｔｇδ＝０．００７８（２０℃，１ｋＨｚ）；ｐ＝４．４３×１０￣（－８）ｃ／ｃｍ￣２·Ｋ。     

10kVA逆变器的保护电路设计

讲述了10kVA逆变器的保护方案,提出了分立的驱动电源欠压保护、直流母线过流保护和逆变器输出过流过压的软保护三种新型的保护方案,并介绍了M57962L驱动芯片的驱动保护。