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61.
岳瑞峰  刘理天  李志坚 《电子学报》2001,29(8):1032-1034
利用MOSFET的压阻效应,本文提出了力敏运算放大器的概念、基本原理和设计思想.作为其应用之一,研制出一种新型集成压力传感器——集成MOS力敏运放压力传感器.这种压力传感器具有很高的压力响应灵敏度,可望在诸多领域有广泛应用.  相似文献   
62.
提出了一种新型基于法布里 -珀罗 (F- P)微腔的发光器件结构 .它采用 PECVD方法制备的非晶硅 /二氧化硅结构作为微腔中的布拉格反射腔 ,非晶碳化硅薄膜作为中间光发射层 ,通过对一维方向光子的限制 ,使发光层荧光强度增强 ,谱线变窄 .通过调节发光层和反射腔膜厚及折射率 ,可以精确控制发光峰位 .实验结果证明该结构可望实现全硅基材料的强室温可见光发射 .  相似文献   
63.
在室温下以c-C4F8为反应气体,采用电感耦合等离子体化学气相淀积(ICP-CVD)法制备出碳氟聚合物薄膜,研究了工艺条件与薄膜的光、电性能和结构与疏水性的相关性。结果表明,薄膜结构均匀致密,主要由C-CFX、CF、CF2和CF3组成;当射频功率为400 W,c-C4F8的流量为40 sccm时,制备出的薄膜和去离子水之间的接触角高达112°。  相似文献   
64.
采用Raman光谱,结合光致发光和X射线衍射测量对富硅a-SiCx:H薄膜的结构及荧光特性进行了详细研究。结果表明,刚制备的样品中由于硅和碳原子的电负性和原子尺寸的差异,出现了化学集团效应,即样品基本保持了a-Si:H中的网络结构,只有少量的Si——C键存在,碳主要以CHn的形式与SiHn和Si——C键一起作为硅团簇的边界。样品表现出较强的室温荧光,发光主要来自CHn,SiHn和Si——C键边界区域对硅团簇中载流子的限制作用。样品在1250℃氮气中退火1h后,不但有平均尺寸为24.8mm的硅晶粒析出,还有少量的SiC晶粒析出,退火后样品的荧光峰较退火前有大的蓝移,且半高宽变窄,这与析出的SiC晶粒有关。  相似文献   
65.
以 PECVD 为制备工艺 a-SiO2 = H/ a-Si= H 为分布式布拉格反射镜的多层膜 a-SiC:= H 为中间腔体发光材 料 制备出垂直腔面的发光微腔. 根据模拟结果确定了微腔的多层膜层数和排列顺序 并在 250C 下制备出了这种 微腔. 将微腔样品分别在不同温度下进行退火 对退火前后的微腔进行了反射谱和光致发光谱研究. 结果表明 微 腔能激射出波长为 743nm 半高宽为 9nm 的光 在 350C 退火后发光性能进一步提高 而 450C 退火后 性能恶化.  相似文献   
66.
67.
带有悬浮锥形圆环的液体变焦透镜   总被引:1,自引:0,他引:1  
基于介质上电润湿效应提出了一种由覆盖有导电氧化铟锡(ITO)薄膜和疏水介质薄膜的玻璃片,悬浮在玻璃片上方的锥形金属圆环以及透镜中的液体组成的液体变焦透镜结构。通过改变施加在接地金属圆环和ITO控制电极之间的电压,实现了透镜液体的弯月面位置和曲率的可逆调整,从而改变透镜焦距。悬浮的金属圆环同时被用来使透镜中的水滴自居中,讨论了具有自居中效应的不同悬浮圆环形状对弯月面光学功率变化范围的影响。实验结果表明,施加40 V电压可以使透镜样品在2.5 cm和无限远之间聚焦,同时拥有高成像质量,光学功率变化范围达40 m-1。本文设计的液体变焦透镜兼具低功耗、小尺寸和高度可逆等特性,在微透镜应用领域具有很大优势。  相似文献   
68.
采用超高真空气相淀积系统 ( UHVCVD)制备了多晶锗硅薄膜 ( poly-Si0 .7Ge0 .3) ,研究了它的退火特性和电阻温度特性。将多晶锗硅薄膜电阻作为微测辐射热计的敏感元件 ,采用体硅微机械加工技术制作了 8× 1桥式微测辐射热计线性阵列 ,优化设计的微桥由两臂支撑 ,支撑臂的长和宽分别为 2 2 0 μm和 8μm,桥面面积为 80μm× 80μm。测试结果表明 ,在 773 K黑体源 8~ 1 4μm红外辐射下 ,调制频率为 3 0 Hz时 ,阵列中各单元的电压响应率为 6.2 3 k V/W~ 6.40 k V/W,探测率为 2 .2 4× 1 0 8cm Hz1 /2 W- 1~ 2 .3 3× 1 0 8cm Hz1 /2 W- 1 ,热响应时间为2 1 .2 ms~ 2 2 .1 ms,表明了器件具有较高的性能及较好的一致性。  相似文献   
69.
岳瑞峰  董良  刘理天   《电子器件》2006,29(4):1000-1003
根据测辐射热计对热敏感材料的要求,采用超高真空化学气相淀积(UHVCVD)法制备出多晶Si0.7Ge0.3薄膜,研究了B离子注入剂量、退火工艺与电导率和电阻温度特性的相关性,因此确定出了最佳的工艺条件,并利用其制备出了探测率高达3.75×108cmHz1/2.W-1的测辐射热计。  相似文献   
70.
对微测辐射热计的微桥结构进行了优化设计.采用多晶锗硅Poly-Si0.7Ge0.3薄膜电阻作为微测辐射热计的探测敏感元件,结合微机械加工技术制作了8×1微测辐射热计线性阵列,制作工艺温度小于650℃,微桥桥面面积为100μm×100μm,由两臂支撑,支撑臂的长L和宽W分别为220μm和8μm.  相似文献   
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