RbTiOAsO4(RTA)晶体的电光性能

测量了ＲｂＴｉＯＡｓＯ４（ＲＴＡ）晶体的电光系数、介电常数和交流电导率,结果为：电光系数γ１３＝１０．８,γ２３＝１７．３,γ３３＝４０．０,γ５１＝１２．３,γ４２＝１４．６ｐｍ／Ｖ;介电常数ε１１＝ε２２＝１２,ε３３＝２１;交流电导率σｃ＝３．６×１０－８ｓ／ｃｍ。结果表明ＲＴＡ晶体波导调制器的品质因子ｎ７γ２／ε比ＫＴＰ晶体高１５％,但是其交流电导率比ＫＴＰ晶体小了两个数量级。这些性能使ＲＴＡ晶体有希望应用于波导调制器和其它电光器件。     

3D打印制备三维石墨烯及其在水处理中的应用

石墨烯作为一类新型纳米材料，具有对水中各类污染物良好的吸附去除性能，但石墨烯纳米粉末态的性状使其在使用后难以从溶液中分离出来而造成二次污染。因此构建大体积的三维石墨烯结构，可以有效弥补水处理中纳米材料难以分离的问题。本文介绍了如今常用的三维结构制备方法，如模板法、自组装法等，但这些方法通常步骤烦琐、影响因素及所需条件较多等，在过程中易产生结构缺陷，从而影响制得的三维结构的力学性能。文中指出，3D打印法通过计算机数据调控，具有操作简便、结构设计精准、批量制备的优点，可制备出优良的三维结构体，并可通过对浆料组分的灵活调控进行改性或增加其力学性能。综上所述，配置满足3D打印黏度要求的浆料，并使制得的三维结构具备一定要求的力学性能，充分利用其精密的规模化生产，是使3D打印三维石墨烯适用于水处理的关键所在。     

circZNF124通过靶向miR-4262调控结直肠癌SW620细胞增殖、迁移及侵袭的机制研究

目的：探讨circZNF124对结直肠癌SW620细胞增殖、迁移及侵袭的影响及其机制。方法：体外培养人结直肠癌细胞SW620,随机分组：si-NC组、si-circZNF124组、miR-NC组、miR-4262组、si-circZNF124+anti-miR-NC组、si-circZNF124+anti-miR-4262组;CCK-8法、平板克隆形成实验、划痕实验与Transwell实验分别检测SW620细胞增殖、克隆形成、迁移及侵袭;双荧光素酶报告实验分析circZNF124与miR-4262的靶向结合;Western blot检测E-cadherin、N-cadherin蛋白表达量。结果：与si-NC组比较,si-circZNF124组细胞活力、划痕愈合率和N-cadherin蛋白水平降低（P<0.05）,细胞克隆形成数和侵袭细胞数减少（P<0.05）,E-cadherin蛋白水平升高（P<0.05）;circZNF124可负向调控miR-4262的表达;与miR-NC组比较,miR-4262组细胞活力、划痕愈合率和N-cadherin蛋白水平降低（P<0.05）,细胞克隆形成数和侵袭细胞数减少（P<0.05）,E-cadherin蛋白水平升高（P<0.05）;抑制miR-4262表达逆转了干扰circZNF124表达对SW620细胞增殖、迁移侵袭的作用。 结论：干扰circZNF124表达通过靶向miR-4262,减弱结直肠癌细胞增殖、迁移及侵袭能力。     

影响本地化版本软件质量的原因探讨

IT行业竞争激烈，软件产品更新换代的速度非常快，很多软件都是全球同步上市。因此，软件公司在服务速度上有很高的要求，而且软件行业的特点决定了项目周期不能调整。由于竞争激烈，IT巨人纷纷大幅削减成本，很多IT公司的本地化预算逐年降低，但任务量却在逐年增大，因此，如何保证软件发布速度的同时提高本地化版本软件的质量问题，就成为很多软件公司首要的问题。     

从折射率椭球方程求双轴晶体中光波的折射率

双轴晶体的倍频与和频效应的应用日趋广泛。在这些晶体非线性光学效应的研究中,要根据晶体的折射率,求出其位相匹配曲面。并根据光波的振动方向,求出其有效非线性系数。以前人们都是用折射率面方程     

碘酸盐系列晶体材料研究的进展

本文评述了近年来碘酸盐晶体研究工作的进展。着重阐述了我国晶体材料研究者在碘酸盐系列晶体生长方面取得的成果。报导了作者在NH_4IO_3单晶生长和KIO_3晶体性能测试方面的新进展。     

V形棱镜法测量晶体折射率

本文扼要叙述了V形棱镜法测量介质折射率的基本原理,根据晶体光学原理,分别介绍了用V形棱镜仪测量单轴晶和双轴晶折射率的样品加工取向。用V形棱镜法,首次在可见光波长范围内测量了γ-glycine、GO(NH_4 CH_2 COOHH_2C_2O_4)和DGO(2NH_4 CH_2COOH·H_2C_2O_4)等晶体的折射率。V形棱镜法测量晶体的折射率精度高、所需的样品小,而且对样品通光面的平行度、光洁度的加工要求比较低。特别是,在测量时可以检验光率体主轴方位确定地是否准确,这对于低对称性晶体折射率的测量是十分有益的,也是其它测量方法不可比拟的。     

LiClO_4·3H_2O晶体的压电性能

本文测量了LiClO_4·3H_2O晶体的压电系数,结果为:d_(33)=5.2,d_(31)=-1.0,d_(15)=0.8×10~(-12)C/N。     

测定晶体电光系数相对符号的一种简单方法——干涉法

我们用一台干涉仪,以机械方法使光程发生变化,然后和晶体电光效应引起的光程变化相比较,提供了对种确定晶体电光系数相对符号的简单方法。