Hg（C4H8N2S）3Cl2晶体压电系数的测量

本文测量了Hg(C_4H_8N_2S)_3Cl_2晶体的压电系数,结果为:d_(33)=3.2,d_(31)=-0.2, d_(22)=2.9,d_(15)=3.3×10~(-12)C/N.     

自身电光效应补偿法测量DKDP晶体感应主轴方向的应力双折射

本文用DKDP晶体自身电光效应补偿的原理,测量了其感应主轴方向的应力双折射。     

La3Ga5SiO14单晶电弹常数的测量

用LCR电桥、干涉法和谐振法分别测量了La3Ga5SiO14单晶的相对介电常数，压电应变常数和弹性柔顺常数。结果为：介电常数ε11=18.27,ε33=52.26；压电应变常数d11=6.3pC/N,d14=-5.4pC/N；弹性柔顺常数S11^E=9.28pm^2/N,S33^3E=6.14pm^2/N,S12^E=-2.72pm^2/N,S13^E=-2.33pm^2/N,S14^E=-3.48pm^2/N,S44^3E=20.56pm^2/N,S66^E=24.0pm^2/N。     

用于电光器件的硅酸镓镧单晶生长

在综述LGS晶体多功能应用的基础上,提出了生长适用于电光器件高质量LGS晶体的要求.在大量实验的基础上,总结了采用提拉法,在富Ga2O3的熔体中,调节平肩、平界面生长高质量晶体的条件.     

线性电光效应引起晶体介电张量变化的简单表示

晶体的光折变效应已被广泛应用于全息存贮、四波混频及相位共轭光学中,这些研究不仅对单轴晶体,而且已涉及到双轴晶体,它们的基本原理均基于晶体中全息光栅的衍射原理,而光衍射效率的大小又与晶体线性电光效应引起的光频介电常数的变化有关。文献[2]曾考虑到晶体中电场的方向,给出了部分点群晶体介电张量的变化形式,本文导出线性电光效应作用下所有晶体介电张量变化的普遍表达式,给出主要光折变晶体所属点群的介电张量的变化矩阵。     

干涉法测量Zn(SCN)_2·2H_2O晶体的压电系数和电光系数

用干涉法首次测量了Zn(SCN)_2·2H_2O晶体的全部压电系数和电光系数。结果为:d_(14)=-8.8,d_(25)=-15.8,d_(36)=1.2(×10~(-12)C/N);γ41=4.5,γ52=6.4,γ63=0.8(×10~(-12)m/V)。     

KDP晶体电弹常数的测量

采用LRC电桥、谐振法和干涉法分别测量了磷酸二氢钾(KDP)晶体的相对介电常数、弹性应变常数和压电应变常数,并与文献中的相应数值作比较。该文实验测到KDP晶体的弹性柔顺系数s11=3.11×10-11 m2/N,弹性劲度系数c11=4.6×1010 N/m2,与以往相关文献中报道不符;压电应变常数d14=9.51×10-12 C/N,纠正了以往相关文献中的不精确报道;其他电弹系数的测试结果与文献数值相符。     

还原染料中汞的冷蒸气吸收法测定

探讨了微波消解后氢化物发生冷蒸气-原子吸收光谱法测定染料中汞的分析方法.比较了氯化亚锡和硼氢化钠分别作为还原剂测定汞含量的2种方法.结果表明:使用硼氢化钠作还原剂泡沫较少,但是存在共存离子干扰.最后选用氯化亚锡作还原剂,该方法的检出限为0.08 μg/L,回收率为95％～102％,线性范围为0～60 μg/L.     

测量晶体折射率的一种简单方法——布儒斯特角法

介绍一种测量晶体折射率的简单方法。这种方法所用样品尺寸小，加工精度要求低，且测量过程简单，特别适合于测量那些不透明或半透明晶体的折射率。