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对使用CF4/Ar 混合气体刻蚀Al1.3Sb3Te的特性进行了研究。实验控制的参数是:气体流入刻蚀腔的速率,CF4/Ar 比例,O2的加入量,腔内压强以及加在底电极上的入射射频功率。总的气体流量是50sccm ,研究刻蚀速率与CF4/Ar的比例,O2加入量,腔内压强和入射射频功率的关系。最后刻蚀参数被优化。 使用优化的刻蚀参数CF4的浓度4%,功率300W,压强800mTorr,刻蚀速率达到70.8nm/min,刻蚀表面平整 相似文献
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Ge纳米晶嵌入高k介质中既可以提高器件的可靠性又可以降低写入电压和提高存储速度.本实验主要研究了用于非挥发存储器的含有Ge纳米晶MIS结构的电荷存储特性.MIS结构由电子束蒸发的方法制备,包括Al2O3控制栅,Al2O3中Ge纳米晶和Al2O3隧道氧化层.这种MIS结构在1MHz下的C-V特性表现出良好的电学性能,平带电压漂移为0.96V,电荷存储密度达到4.17×1012cm-2.不同频率下Ge纳米晶在Al2O3介质中电荷存储特性随着频率的增加,平带电压的漂移和存储的电荷数减小.随着扫描速率的增加,平带电压的漂移和存储电荷也减小. 相似文献
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超晶格电子辐照缺陷的亚稳态特性 总被引:1,自引:0,他引:1
用深能级瞬态谱(DLTS)系统地研究了GaAs(50A)/GaAlAs(50A)起晶格中的电子辐照缺陷,证明其亚稳态特性的存在,对其恢复温度、转变条件进行了研究,指出在体材料中不能观察到电子辐照缺陷亚稳态的原因。 相似文献
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为提高硅晶片双面超精密抛光的抛光速率,在分析双抛工艺过程基础上,采用自制大粒径二氧化硅胶体磨料配制了SIMIT8030-I型新型纳米抛光液,在双垫双抛机台上进行抛光实验. 抛光液、抛光前后厚度、平坦性能及粗糙度通过SEM、ADE-9520型晶片表面测试仪、AFM进行了表征. 结果表明:与进口抛光液Nalco2350相比,SIMIT8030-I型抛光液不仅提高抛光速率40% (14μm/h vs 10μm/h) ;而且表面平坦性TTV和TIR得到改善;表面粗糙度由0.4728nm降至0.2874nm,即提高抛光速率同时显著改善了抛光表面平坦性和粗糙度. 相似文献
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In(Ga)As自组织量子点激光器获重大突破 总被引:1,自引:0,他引:1
In(Ga)As/GaAs量子点体系因其独特、优越的光电性质,成为替代目前InP基材料,制备光纤通讯用13μm长波长激光器的热门材料之一,引起各国科学家的高度重视。许多科研小组已投入很多的财力和物力进行这种激光器的研制与开发,迄今已有美国德克萨斯大学、日本N?.. 相似文献
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