有机发光材料8-羟基喹啉钕的合成、表征和薄膜制备

介绍了制备高纯度有机发光材料8-羟基喹啉钕(Ndq3)和生长Ndq3薄膜的方法.通过X-射线衍射谱、红外吸收光谱、紫外吸收光谱以及荧光光谱测试分析,对Ndq3粉末和薄膜的结构和特性进行了表征.标定了Ndq3中喹啉环的存在;计算得出Ndq3的禁带宽度为2.8 eV;证实了Ndq3分子中的Nd-O键为共价键而非离子键;测得Ndq3的荧光发射光谱位于472 nm(蓝光区域);证明了光激发位于喹啉环上而不是金属Nd3+上.与Al和Zn的金属螯合物相比,Ndq3中的Nd3+成键共价键较强,极化力较弱.对不同衬底温度下生长的Ndq3薄膜做了XRD分析,发现Ndq3薄膜呈多晶态,且随温度升高,衍射单峰逐渐增强,显示Ndq3薄膜的结晶性能随衬底温度的升高变好,结晶晶粒尺度也随着衬底温度的升高逐渐变大,薄膜表面形貌更加均匀.     

光合作用与应用

生物体内光合作用很多,能转化大气中过多的二氧化碳转化为氧气,制造有机物。我们通过研究光合作用将有助于我们设计出人造自然光捕捉系统,设计出入造光源能量转换装置,解决能源匮乏。毫不夸张地说,这项研究为我们开启了一扇通往光明的大门。在不远的将来,可以利用人造合成装置,在吸收大气中二氧化碳的同时,产生出入们所需要的能量,在实现环保的同时还能解决能源的制造问题。     

八羟基喹啉锌非晶薄膜器件的制备和开关特性

介绍了八羟基喹啉锌（Znq2）有机薄膜及器件的制备方法. X射线衍射谱指出，用真空蒸发方法制备的Znq2薄膜呈非晶态结构；通过对Znq2有机薄膜I-V曲线的分析，揭示了Znq2薄膜的开关特性. 基于分子在电场作用下的空间取向的变化，对这一现象提出了一种可能的理论解释.     

八羟基喹啉锌非晶薄膜器件的制备和开关特性

介绍了八羟基喹啉锌(Znq2)有机薄膜及器件的制备方法.X射线衍射谱指出,用真空蒸发方法制备的Znq2薄膜呈非晶态结构;通过对Znq2有机薄膜I-Ⅴ曲线的分析,揭示了Znq2薄膜的开关特性.基于分子在电场作用下的空间取向的变化,对这一现象提出了一种可能的理论解释.     

玻璃真空系统及其测量与检漏

为不熟悉工程实际的理科学生设计制造了玻璃制扩散泵真空系统实物模型，使其直观地了解真空获得、测量和检漏的工作原理。简述其构造及由此模型可具体理解的内容。     

酞菁铜（CuPc）薄膜器件的制备及其电双稳特性

一些无机半导体器件和许多有机薄膜器件都具有电双稳特性.通过对CuPc有机薄膜器件的,I-V曲线的分析,说明CuPc薄膜器件具有明显的电双稳特性.研究了膜厚对器件I-V特性的影响,结果表明CuPc膜厚达到750 nm器件才表现出明显的电双稳特性,此时跳变电压为7.51V.Ag底电极器件的转变电压(9.6V)与ITO底电极器件的转变电压(7.47V)不同,简要分析了造成这种区别的原因.并对器件电双稳态特性的形成机理进行了解释.     

基于肖特基接触Ⅳ分析法的有机半导体迁移率确定方法

载流子迁移率的测量对有机半导体材料及器件的研究极为重要.在总结目前有机半导体迁移率测量方法优缺点的基础之上,本文提出了一种测量有机半导体中载流子迁移率的新方法:用真空蒸镀法制作结构为"金属-有机半导体-金属"的肖特基接触有机半导体器件,通过选取适当的理论模型进行数值计算,然后用理论计算的结果对实验测得的该器件Ⅳ特性进行数值拟合,从而得到该有机半导体材料中载流子的迁移率,以及该材料的其他输运参数,如陷阱密度、陷阱特征深度等.本文利用这种方法测量了酞菁铜(CuPc)的空穴迁移率,并得到了CuPc的陷阱密度、陷阱特征深度等参数.     

有机电致发光器件发光层中电场与载流子浓度分布的数值研究

以陷阱电荷限制传导理论为基础,用数值方法研究了单层有机电致发光器件发光层中电势、电场和载流子密度的空间分布.分析结果表明,电场强度在靠近两边电极的地方上升很快,而在中间区域几乎是线性地缓慢增大.大部分载流子分布在靠近两个电极的地方,只有少量分布在中间区域.在靠近注入电极的地方扩散电流大于漂移电流,而在其它区域漂移电流大于扩散电流.     

Internet上图象渐进传输的研究

在Internet环境中,每个用户所占用的网络带宽是不同的,并且随着网络状况的动态变化而变化,不同用户对图象的质量要求也不一样,因此要求服务器端的图象编码器必须具有高度的适应性。1993年,Shapiro提出的小波零树编码算法是一种非常有效的基于小波变换的图象编码方法,该算法编码器输出的比特流是按基重要性排序的,是对原图象一种渐进的二进制表示。在该算法的基础上,提出了一适合Internet环境下的静态图象渐进传输解决方案,最后给出了实验结果。