基于Web的数值天气预报系统的研究与设计

数值天气预报的运行,需要高性能计算机资源的支持,而高性能计算机是一种非常昂贵的资源,对于一些小型的组织和单位来说,是一种难以负担的资源。并且目前数值天气预报模式的运行大多是基于命令行方式的,对于非专业人员来说,是很难使用的。本文以WRF模式的运行为例,通过开发用户友好的使用界面,以Web服务的形式提供给用户,方便用户操作。同时,利用兴起的云计算技术,将系统部署到云环境中,充分利用云中的高性能计算机资源,可以节约成本,也有利于业务的迅速开展。     

济南市区两次春季大暴雨对比分析

利用常规观测资料、地面加密资料、物理量、FY-2产品、多普勒雷达产品,对济南市区2次春季大暴雨进行了对比分析.结果表明,2次大暴雨过程都是在有利的大尺度环流背景下产生的,中尺度系统的生成与发展起着关键性的作用;高空急流出口区右侧,低空急流出口区左侧,高能舌前部容易产生较强降雨;θse能量较大时对应出现强降雨,θse大值区与大暴雨的落区有较好的对应关系;产生强降雨期间存在中尺度对流系统MCS,但云顶亮温不是太低;回波带有规律的系统性移动,大片层状云回波中点缀强对流云团,降雨量的大小与回波强度成正比.     

通过调节负载提高RoF系统中大电流光探测器的饱和特性

为提高射频光纤通信系统（ROF）中大电流光探测器（PD）的饱和特性,基于等效电路模型,对大电流工作下负载电阻大小对PD饱和特性的影响进行了理论分析,并利用微波负载牵引自动测量系统对PD负载电阻加以调节。通过实验测试了不同负载电阻下PD电压摆幅的变化及其对于探测器饱和特性、响应带宽的影响。理论和测试结果均表明,降低负载电...     

浅议黑龙江省中小河流的治理

浅议了黑龙江省中小河流管理与治理中存在的问题，提出了相应的治理措施。     

p型GaN材料的表面物理特性

运用X射线光电子能谱(XPS)和俄歇电子能谱(AES)等表面分析手段对表面状态不同的p- Ga N样品进行了分析.在样品表面制作了Ni/ Au电极并进行了I- V特性测试.实验结果表明样品表面镓氮元素化学比(Ga/ N)的减小以及C,O杂质含量的减少可以改善电极的欧姆接触性能.     

GaN基绿光LED材料蓝带发光对器件特性的影响

分析比较了在不同外延生长条件下GaN基高In组分绿光LED材料室温和低温10K下光致发光谱中蓝带发光峰,研究了外延结构中p型层蓝带峰发光特性对材料晶体质量和器件电光转换效率的影响.结果表明:通过优化p型层的外延生长条件,可有效降低和消除其蓝带发光峰较之多量子阱主峰的相对强度,有利于提高LED器件特别是高In组分绿光LED器件在同等注入电流条件下的发光功率.     

陶粒体积取代率对C60自密实混凝土性能影响的研究

研究了两种陶粒TL1和TL2的体积取代率对C60自密实混凝土的工作性能、力学性能、自收缩的影响。结果表明:陶粒的体积取代率增加,C60自密实混凝土的工作性能降低,陶粒的体积取代率在20%以内时,对工作性能影响不明显;随着陶粒的体积取代率增加,同条件养护的C60自密实混凝土的轴心抗压强度先增大后降低,当陶粒TL1和陶粒TL2预湿24 h,体积取代率分别为20%和30%时,C60自密实混凝土的轴心抗压强最高,400 h自收缩分别降低了66%和57%,100 h内无自收缩。     

MOCVD生长GaN材料的模拟

基于计算流体力学在三维空间中模拟了水平行星式金属有机物化学气相沉积(MOCVD)反应器生长GaN材料的流场、热场、反应物与生成物的分布以及材料生长速率等重要物理参数.计算结果与同样条件下的实验结果吻合程度相当高,表明化学反应机理和计算方法是非常可靠的,能够以此来模拟和指导GaN基材料的MOCVD生长工艺.研究并讨论了GaN的MOCVD生长中输入Ⅴ/Ⅲ比、进气口双束流上下比、总流量、反应室压力等工艺条件对局域Ⅴ/Ⅲ比的影响.     

钻柱自动化排放技术发展现状

钻井作业过程中需要对钻柱进行大量的排放作业,包括钻柱在井场上的排放和在钻台上的排放。特别是在起下钻过程中,需要多次重复进行钻柱排放作业。钻柱排放作业不仅花费大量的时间,而且劳动强度大,安全风险高。钻柱自动化排放技术采用机械、液压、控制等技术,用机械装备代替人工操作,是实现安全、健康钻井和提高钻井效率的有效途径。介绍了国内外钻柱自动化排放技术及装备的发展历程、技术现状、产品类型及其用途,并对我国发展钻柱自动化排放技术提出了建议。     

MOCVD生长GaN材料的模拟

基于计算流体力学在三维空间中模拟了水平行星式金属有机物化学气相沉积（MOCVD）反应器生长GaN材料的流场、热场、反应物与生成物的分布以及材料生长速率等重要物理参数．计算结果与同样条件下的实验结果吻合程度相当高，表明化学反应机理和计算方法是非常可靠的，能够以此来模拟和指导GaN基材料的MOCVD生长工艺．研究并讨论了GaN的MOCVD生长中输入Ⅴ/Ⅲ比、进气口双束流上下比、总流量、反应室压力等工艺条件对局域Ⅴ/Ⅲ比的影响．