聚丙烯砂浆受硝酸盐腐蚀相关测强曲线研究

通过实验室干湿加速试验,用超声波法、回弹法、超声-回弹综合法对受硝酸盐腐蚀的聚丙烯砂浆进行强度检测并研究其作用基理。硝酸盐腐蚀对聚丙烯砂浆表面有一定影响,同时使试块整体强度下降。结果表明,腐蚀后的抗压强度与回弹值、超声波波速有较好的拟合关系。     

超早强灌缝料试验研究

选用42.5级普通硅酸盐水泥、高铝水泥和石膏多元复合体系辅以多种外加剂研制出高性能超早强灌缝材料(TUSPM),系统地进行了不同胶砂比和膨胀剂掺量的研究,并对胶砂比1.5的微观结构进行分析。结果表明:该体系辅以多种外加剂可以配制出初始流动度达325mm,30min流动度280mm,终凝时间(50±5)min,1d抗折强度达13.58MPa,1d抗压强度达39.3MPa,7d抗折强度达17.92MPa,7d抗压强度达71.8MPa,28d抗折强度强度19MPa,28d抗压强度99MPa,该体系微观结构紧凑致密,膨胀性能满足要求。     

新型大跨索结构避难帐篷现场试验与数值模拟

基于现场试验,对实测风荷载作用下大跨度索结构避难帐篷的顶点位移进行测量,分析风速对顶点位移的影响,得出了实测风荷载与结构顶点位移之间的关系。应用ABAQUS有限元软件对风荷载作用下的大跨度索结构避难帐篷的顶点位移进行有限元计算,有限元计算结果与试验结果具有较好的一致性。通过降低脚手架材料的刚度,模拟不同刚度条件下结构的风载-位移响应;并模拟了雪荷载以及温度荷载作用下大跨度索结构避难帐篷的受力性能。研究结果表明:大跨度索结构避难帐篷的抗风、抗雪荷载性能以及温度荷载作用下的变形幅度均能达到安全使用要求。     

电感耦合等离子体刻蚀InP端面的掩膜特性研究

深入研究了掩膜制作工艺对电感耦合等离子体刻蚀的InP端面的影响。首先比较了光刻胶、SiO2和Si3N4三种材料的掩膜特性，发现掩膜图形的致密性、侧壁粗糙度和垂直度等对刻蚀效果具有至关重要的影响。然后通过优化SF6等离子体刻蚀Si3N4的条件，得到了边缘平整且侧壁垂直的掩膜图形。利用这一掩膜制作技术，获得了深度达7μm的光滑垂直的InP刻蚀端面，选择比达15：1。     

基于朗伯型反射微结构的LED室内照明光源设计

提出了一种基于朗伯型反射面的LED间接照明系统,即LED光源出射的光全部通过朗伯型反射面反射后再照射目标区域,该系统具有光源亮度均匀、灯具效率高等优点,很好地解决了高亮度LED点光源给室内照明带来的眩光问题。首先提出了一种能够很好逼近朗伯反射面的复合型微结构表面,并通过Lighttools光学仿真对其分布参数进行了优化,使最终结果在不同光线入射角的情况下,都具有较理想的余弦反射特性。在此基础上,设计了整体光学系统,使其实现了近180°范围的角度亮度的均匀性和高达84.7%的灯具效率,验证了间接照明方法的可行性。     

利用光聚合反应制作表面平整的聚合物光栅

提出利用紫外光聚合反应来制作聚合物光栅的方法．实验发现,光栅的表面起伏深度很小,约为12.4～0.7nm;折射率调制较大,达到0.010左右．这种方法在低阶分布反馈聚合物激光器的制作中具有很好的应用前景．     

WDB-1000型钻机箱式网电变压调节装置研究

本文介绍了WDB-1000型钻机箱式网电变压调节装置的主要功能,对该装置的设计原则、系统构成、选型要求进行了分析研究,阐述了该装置的优点和应用意义.     

基于高速EAM集成光源的微波光纤传输链路

基于AlGaInAs多量子阱高速电吸收调制器(EAM)集成光源,构建了微波光纤传输链路,并研究了掺铒光纤放大器(EDFA)对其链路特性的影响,实现了40GHz频段97.4dB.Hz2/3的无失真动态范围。     

应用于数字和模拟光通信的高速电吸收光调制器

An electro-absorption （EA） modulator is one of key components for optical fiber communications due to the high speed, small size, low voltage and integration ability with other semiconductor devices. A 40 Gb/s InGaAsP/InP multiple-quantum-well （MQW） EA modulator monolithically integrated with a semiconductor optical amplifier （SOA） was fabricated for digital communications. The modulator capacitance was reduced to obtain 40 GHz bandwidth, and the SOA section helped reduce the insertion loss from 18 dB to 3 dB. InGaAlAs/InP MQW EA modulators have also been fabricated and characterized for analog optical fiber communications. A low driving voltage of 2.7 V and high spurious free dynamic range of 107 dB·Hz^2/3 were estimated by static and dynamic measurements.     

InP材料直接键合技术

研究了 In P/In P的直接键合技术 ,给出了详细的 In P/In P键合样品的电特性随健合工艺条件变化的数据 ,在低于 6 5 0℃的键合温度下实现了 In P/In P大面积的均匀直接键合 ,获得了与单晶 In P衬底相同的电特性和机械强度 .在器件的键合实验中也获得了成功 ,在 In Ga As P/In P多量子阱激光器结构的外延面上键合 p- In P衬底后制作的激光器激射特性良好 .