用MATLAB直接计算超晶格透射系数的一种简捷方法

在计算超晶格的透射系数时,根据势阱与势垒界面的连续性条件,将界面两侧的波函数展开为一个以矩阵方程描述的线性方程组,利用MATLAB提供的矩阵左除命令,即可获得超晶格的透射系数。与其他方法例如递推法、转移矩阵法相比,该方法不需要花费较多精力编程,具有概念简单、使用方便、实用性强等特点。     

Kronig-Penney能带模型的MATLAB分析与计算

综合利用MATLAB提供的求解常微分方程、矩阵行列式、代数表达式化简及绘图等函数,可使Kronig-Penney能带模型分析计算的工作量大为减少。讨论了Kronig-Penney模型衍生的相关概念和现象。该方法具有编程简单,使用方便、实用性强等特点。     

化学刻蚀制备黑硅材料的研究现状及展望

基于黑硅材料的发展,讨论了国内外化学刻蚀制备黑硅的研究进展,包括掩膜辅助、金属离子辅助化学刻蚀。结果表明,黑硅材料的表面特殊结构能够有效降低硅表面的反射率,从而提高太阳能电池转换效率。此外,化学刻蚀法制备黑硅简便易行、成本低廉,高效可靠,具有良好的发展前景。     

量子点-聚合物纳米复合材料的光电器件研究进展

量子点因具有优异的光电特性,近年来备受关注。但量子点的规模化应用因受到其加工工艺及稳定性等因素限制而尚待开发。量子点-聚合物纳米复合材料的出现有效弥补了这一问题,将量子点分散到有机聚合物中形成纳米复合材料,集合量子点与聚合物的各自优势于一体,是解决量子点当前应用问题的一种有效方法,具有显著的发展潜力。文中介绍了量子点的主要制备技术,并在此基础上对量子点-聚合物复合材料的制备方法及其在激光器、发光二极管、光电探测器、量子点电视等光电子器件中的应用进展进行了概述,最后对其在光电器件领域的应用进行了展望。     

北京市水价体系研究

通过对北京市水资源与水环境现状的分析,指出北京市正面临水资源短缺和水环境污染的双重危机。在此基础上,对水价成分构成和基本原则进行了系统性的阐述,创新性地提出了资源水价、工程水价、环境水价的计算公式。通过分析北京市水价体系的历史变迁与现状,总结得出北京市目前水价体系存在的主要问题,并针对这些问题提出了北京市水价体系改革的方向以及相关的政策建议。     

国外用水审计及国内其他相关行业审计经验借鉴

建立健全用水审计制度,实施水资源开发利用全过程审计监督,落实全社会的节水减排责任,对推进节水型社会建设、落实最严格的水资源管理制度具有重要意义.本文梳理了美国、澳大利亚、加拿大、印度等国的用水审计经验及国内环境审计、能源审计、清洁生产审核、节能减排考核等相关行业审计经验,总结了国外用水审计与国内其他相关专项审计对我国用...     

有机半导体Butyl-PBD的DFT理论计算研究

采用密度泛函理论(DFT)方法对2-(4-叔丁苯基)-5-(4-联苯基)-1,3,4-恶二唑(Butyl-PBD)进行了B3LYP/6-31G水平上的分子结构优化、红外光谱、Raman光谱、紫外-可见光谱、分子前线轨道、分子电子密度、Mulliken电荷等理论计算.研究结果表明:理论计算结果与实验数据吻合得较好,对IR、THz、UV-Vis吸收光谱和Raman散射光谱中的特征峰进行了归属,发现Butyl-PBD在0.1～10 THz波谱范围内有五个明显的吸收峰,分别位于2.04THz、3.48THz、5.16THz、6.60THz及7.08THz,Butyl-PBD在紫外光波段有三个吸收波段,分别对应于326.76nm、279.60nm及269.31 nm,其中326.76nm的紫外吸收峰最强.电子密度计算表明,最大电子密度集中在O原子上,N原子的电子密度次之.Mulliken电荷计算表明,负电荷主要集中在O原子和N原子上,所有H原子的Mulliken电荷都为正电荷,C原子的Mulliken电荷则与其具体位置相关.     

红外材料器件

采用红外显微镜、X射线双晶回摆衍射法、X射线貌相术对CdZnTe衬底中的沉淀相、亚结构、组分偏析等缺陷进行了研究,并对用此衬底液相外延的HgCdTe薄膜作了测试。结果显示: CdZnTe衬底中亚晶界处聚集的位错在外延生长中呈发散状向薄膜中延伸,造成了薄膜形成亚晶界和更大面积的由位错引起的晶格畸变应力区域,影响了薄膜结构的完整性。     

液相超声法制备金属硫化物量子点的研究进展

量子点(Quantum Dots,QDs)是一种零维纳米材料,其尺寸小于或接近激子玻尔半径。随着纳米技术的发展,金属硫化物量子点因其独特的光学、电学和磁学性质而受到广泛关注,可将其分为过渡金属硫化物量子点(TMD QDs)、Ⅱ-Ⅵ族量子点及Ⅳ-Ⅵ族量子点等。超声法制备量子点具有高效、环保、易于控制和可扩展性等优点,逐渐成为制备金属硫化物量子点的重要技术之一。金属硫化物量子点有着别于传统体相材料的优异光电特性,在近些年里,其优越而又独特的性能使得在更多的领域中得到了深入的研究和应用,如光电器件、生物成像、光催化等。本文综述了超声法制备不同金属硫化物量子点的研究进展,并对其性质和应用进行了归纳和总结。最后,对超声法制备金属硫化物量子点进行了展望。     

AlGaN器件欧姆接触的研究进展

作为制备光电子器件例如紫外光子探测器、异质结场效应晶体管(HFET)、高电子迁移率晶体管(HEMT)异质结场效应管等的一种宽禁带半导体材料, III V 族氮化物AlGaN器件近年来颇受关注.AlGaN与金属之间的低阻欧姆接触的实现问题阻碍了AlGaN(基)器件的发展.通过对相关文献的归纳分析,介绍了近年来AlGaN器件在欧姆接触形成、金属化方案、合金化工艺及表面处理等方面的研究进展.