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提出了一种用于全MOS电压基准源的新颖预抑制电路。采用一个大宽长比PMOS管和负反馈环路,将预抑制电压与基准电压之差固定为一个阈值电压。获得的预抑制电压用来为全MOS电压基准源供电,极大地改善了基准电压的电源调整率、温度稳定性和电源电压抑制比。采用Nuvoton 0.35 μm 5 V标准CMOS工艺进行仿真,整个电路的版图尺寸为64 μm×136 μm。结果表明:电压基准源的输出基准电压为1.53 V;电源电压在3.4~5.5 V范围内,线性调整率为97.8 μV/V;PSRR在10 Hz处为-143.2 dB,在100 Hz处为-123.3 dB,在1 kHz处为103.3 dB;环境温度在-45 ℃~125 ℃范围内,平均温度系数为8.7×10-6/℃。 相似文献
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针对嵌入式物联网设备对处理器小面积、低功耗、高性能的需求,提出一种顺序发射、乱序执行、乱序写回的三级流水线结构,设计了一款基于开源RISC-Ⅴ指令集的32位低功耗高性能处理器,支持RISC-Ⅴ基本整数运算、乘除法指令集,采用WFI休眠指令与时钟门控技术实现休眠模式.在VCS环境下验证了处理器的逻辑功能,通过SMIC 110 nm工艺库在DC环境下完成了逻辑综合,得到了处理器功耗为0.21 mW,面积开销为20.5k个逻辑门,最后通过运行Core Mark跑分程序测试处理器性能,指令执行速度为2.54 CoreMark/MHz.验证结果表明,本设计同时兼顾了处理器功耗与性能,可以很好地应用于小面积、低功耗、高性能的嵌入式场景. 相似文献
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基于TSMC 0.18 μm CMOS工艺,设计了一种新颖的恒跨导高增益轨到轨运算放大器。输入级仅由NMOS管差分对构成,采用电平移位及两路复用选择器控制技术,在轨到轨共模输入范围内实现了输入级恒跨导。中间级采用折叠式共源共栅放大器结构,运算放大器能获得高增益。输出级采用前馈型AB类推挽放大器,实现轨到轨全摆幅输出。利用密勒补偿技术进行频率补偿,运算放大器工作稳定。仿真结果表明,在1.8 V电源电压下,该运算放大器的直流开环增益为129.3 dB,单位增益带宽为7.22 MHz,相位裕度为60.1°,整个轨到轨共模输入范围内跨导的变化率为1.44%。 相似文献