快速退火气氛对300mm硅片内洁净区和氧沉淀形成的影响

300mm硅片中厚度合适的洁净区和高密度氧沉淀,有利于对器件有源区金属沾污的吸除,改善栅氧化物的完整性.文中使用Ar,N2/NHa混合气作为快速退火(RTA)气氛,研究RTA气氛对洁净区、氧沉淀形成的影响.研究发现N2/NHs混合气氛处理的硅片表层洁净区明显薄于Ar气氛处理的硅片,氧沉淀密度明显高于Ar气氛处理后的硅片.同时发现在两种气氛下,延长恒温时间都可以降低洁净区厚度,增加氧沉淀密度.基于空位增强氧沉淀成核和氮化空位注入的基本原理,就RTA气氛和恒温时间对洁净区和氧沉淀分布的影响进行了讨论.     

Growth Conditions of Φ100 mm n <111> FZ Silicon Single Crystal

ＧｒｏｗｔｈＣｏｎｄｉｔｉｏｎｓｏｆΦ１００ｍｍｎ＜１１１＞ＦＺＳｉｌｉｃｏｎＳｉｎｇｌｅＣｒｙｓｔａｌＺｈｏｕＱｉｇａｎｇ，ＺｅｎｇＳｈｉｍｉｎｇ，ＺｈａｎｇＦｕｚｈｅｎ，ＣｈｅｎＹｕｎｇａｎｇａｎｄＳｕｎＨｕａｙｉｎｇ（周旗钢）（曾世铭）（张福珍...     

Φ200 mm硅单晶的生长工艺特点

在全自动拉晶条件下，讨论了拉制Φ２００ｍｍ硅单晶遇到的新问题。热场配置、工艺参数的选择、石英坩埚的选用等有了更严格的要求。合理的轴向温度梯度和径向温度梯度、低拉速、低晶转及规范的拉晶工艺是拉制大直径单晶的关键。     

300 mm Si片加工及最新发展

65 nm及以下线宽对Si片表面的各方面性能要求越来越高,主要体现在两个方面,一个是加工工艺,另一个是加工设备.在加工方法上,65 nm线宽用300 mm Si片不同于90 nm,如运用多步单片精密磨削,不仅可以提高表面几何参数,还可以减小表面特别是亚表面的损伤层.而对于加工设备,要求更加精密,特别是单面精抛光,在保证去除量的同时还要使Si片表面各点的去除量保持均匀.对目前300 mm Si片的磨削、抛光及清洗的每一道工艺流程,特别是相对于65 nm技术的一些加工流程及方法的最新发展进行了详细的论述,指出了300 mm Si片加工工艺的发展趋势.     

外延用300mm重掺B Si衬底中热致微缺陷研究

研究了重掺B对300 mm直拉Si衬底中热致微缺陷的影响.通过800℃/4～16 h+1 100℃/16 h的低-高两步退火处理发现,与普通(CZ)Si片相比,重掺B(HBCZ)Si片体内生成了高密度的热致微缺陷--体微缺陷(BMDs);B浓度的不同对BMDs的形态也有重要影响,重掺B Si片中出现杆状层错,随着B浓度的增加,层错密度增加,尺寸减小.研究表明,重掺B对BMDs的促进作用主要归功于B原子促进了氧沉淀的异质形核并由于原子半径效应使得这些核心较容易长大,而晶体中初始氧含量不是重掺B促进氧沉淀的主要因素.     

300 mm硅片双面抛光过程数学模拟及分析

建立了双面抛光过程中硅片表面上的一点相对于抛光布的运动模型;利用数学软件,模拟出不同速度下的运动轨迹.轨迹和实验结果表明,在其他双面抛光工艺不变的情况下,改变抛光机四个部分的转速,对硅片表面的平整度有很大的影响,特别是边缘部分的局部平整度.优化四个转速,可以显著改善300 mm硅片表面的平整度和局部平整度.     

快速退火气氛对300mm硅片内洁净区和氧沉淀形成的影响

300mm硅片中厚度合适的洁净区和高密度氧沉淀,有利于对器件有源区金属沾污的吸除,改善栅氧化物的完整性.文中使用Ar,N2/NHa混合气作为快速退火(RTA)气氛,研究RTA气氛对洁净区、氧沉淀形成的影响.研究发现N2/NHs混合气氛处理的硅片表层洁净区明显薄于Ar气氛处理的硅片,氧沉淀密度明显高于Ar气氛处理后的硅片.同时发现在两种气氛下,延长恒温时间都可以降低洁净区厚度,增加氧沉淀密度.基于空位增强氧沉淀成核和氮化空位注入的基本原理,就RTA气氛和恒温时间对洁净区和氧沉淀分布的影响进行了讨论.     

中国硅材料生产和开发情况

2005年全球半导体市场呈现上半年疲软下半年较好的发展势头。根据WSTS资料,市场总销额达2270亿美元,比2004年的2130亿美元增加6.6%。2005年全球半导体市场各电子器件销售额如表1所示。2005年中国半导体市场继续增长,但发展速度有所减慢。根据IC Insights资料,2005年中国集成电路市场(需求)总销额达408亿美元,为全球集成电路市场1923亿美元的21%,市场规模超过美国,成为全球最大的集成电路市场。但是,2005年中国国内芯片生产规模仍较小,集成电路的产值仅为26亿美元,仅为其需求的6%。硅片是制造集成电路的关键材料。根据SEMI最新统计,2005…     

面向对注氢硅片中微结构的影响

把不同面向的注氢硅片制成横截面样品,在高分辨率透射电子显微镜下进行观察,发现衬底面向对其中的微结构有明显的影响.首先表现为衬底中主要出现平行于正表面的氢致片状缺陷,即(10 0 )衬底中,主要出现平行于正表面的{ 10 0 }片状缺陷,而(111)衬底中出现的主要是平行于正表面的{ 111}片状缺陷.其原因是注入引起垂直正表面的张应变.另外,面向的影响还表现为,(10 0 )衬底中出现的{ 113}缺陷在(111)衬底中不出现.在(111)衬底中出现的晶格紊乱团和空洞在(10 0 )衬底中不出现.从而推测,{ 111}片状缺陷的形成不发射自间隙原子,而(10 0 )片状缺陷的形成将发射自     

12英寸硅单晶抛光片的研制

信息产业已成为现代经济的先导产业,以集成电路为核心的电子元器件是信息产业的基础,硅片是集成电路最主要的基础功能材料,在信息产业发展中占有重要的地位和作用.目前世界半导体工业正开始由8英寸硅片的0.25微米技术向12英寸硅片的0.13-0.10微米技术转移,对12英寸硅片的市场需求将逐步扩大.通过对0.13-0.10微米集成电路所用的12英寸硅片的开发,不但可以满足市场需求,占领国内外市场,而且可以在技术上实现跨越式发展,使我国的硅材料工业处于世界先进水平.