美国废旧轮胎的回收利用

介绍了当今美国及加拿大在回收处理废旧轮胎方面的最新信息。说明了美国南北几个不同的州处理和利用旧轮胎作电厂和水泥厂燃料的情况,以及利用粉末橡胶改性沥青的方法和意义。简要介绍了硫化橡胶脱硫的新方法。对我国发展汽车工业所产生的副产物－废旧轮胎的合理利用、保护环境、寻找新的可利用的能源有一定的借鉴价值。     

高转化大豆异黄酮乳酸菌的筛选及在豆乳中的发酵特性

为提高大豆异黄酮生物活性及利用度,该研究以含七叶苷和柠檬酸铁的特殊培养基,从实验室保藏的人源乳酸菌中筛出产β-葡萄糖苷酶目标菌株,并采用高效液相色谱法测定其发酵豆乳转化大豆异黄酮的能力,分析持水力、产酸速率和发酵末活菌数。结果显示,从140株乳酸菌中筛出的12株目标菌株,菌株58和菌株m91发酵豆乳产大豆异黄酮苷元能力最强,总量分别达59.64、58.06 mg/L,均在原豆乳的8倍以上,显著高于其余乳酸菌(P<0.05)。在发酵豆乳基本特性研究中表明,菌株58发酵豆乳持水力为35.10%,发酵末活菌数为8.78 lg(CFU/mL),到达发酵终点用时11.50 h,并且产酸速率快。经16S rDNA测序及系统发育分析,优选菌株58为植物乳杆菌。     

食品检测中PCR技术的应用研究

现阶段,人们对食品安全的关注度正在不断提升,食品检测作为保障食品安全的一种重要手段,与它有关的研究也不断增多,并出现了各种各样的新的检测技术,其中使用特别多的就是PCR技术.PCR技术是现如今食品检测中相对来说应用比较广泛的一种技术,在提升食品安全性方面发挥着重要作用.本文分析了PCR技术在食品检验中的应用,指出了食品...     

微波烧结法制备含钪扩散阴极及其发射性能研究

采用溶胶凝胶结合氢还原法制备出Sc均匀掺杂的钨粉,随后采用微波烧结法成功制备出浸渍型含钪扩散阴极。对Sc掺杂钨粉特性、Sc掺杂钨海绵基体微观结构、阴极发射性能和阴极表面活性物质分布进行了分析,结果显示:Sc以Sc2O3的形态均匀分布于平均粒径1μm的钨粉中,海绵体骨架主要由大小均匀的亚微米级准球形颗粒构成,表面孔结构良好,孔分布均匀,平均孔径在0.46μm左右,Sc_2O_3均匀分布于基体之中。电子发射测试结果表明,该阴极950℃b时脉冲偏离点电流密度Jdiv为137.59 A/cm~2,发射斜率1.431。激活后的阴极表面Ba:Sc:O的原子比例为1.8:1:2.2,同时阴极表面存在大量的纳米粒子,对阴极发射有促进作用。     

高能球磨制备Fe-Cu纳米晶过饱和固溶体

对Fe-20at%Cu合金粉末进行了高能球磨,并利用XRD对Fe-Cu二元合金粉末在球磨过程中的物相变化进行了分析。结果表明,球磨30 h后形成了Fe(Cu)纳米晶过饱和固溶体。热力学计算分析指出,Fe-Cu二元系不具有形成过饱和固溶体的热力学驱动力。高能球磨在Fe-Cu二元互不溶体系中扩展固溶度的驱动力是动力学驱动。在随后的退火过程中,纳米晶过饱和固溶体发生分解。     

Al-2.5%Pb合金在高能球磨和烧结过程中的组织结构变化

用机械合金化方法制备了Al-2.5wt%Pb合金,采用X射线衍射仪（XRD）和扫描电子显微镜（SEM）分析了Al-2.5wt%Pb合金在高能球磨和烧结过程中的组织结构变化。结果表明,该合金粉末经30 h球磨后,可以获得纳米级Pb颗粒均匀弥散分布在Al基体上的组织。在随后的烧结过程中,纳米相Pb的长大可以用Ostwald熟化的经典-LSW理论来描述。     

窄条宽MOCVD选区生长InP系材料

报道了窄条宽选区生长有机金属化学气相沉积(NSAG-MOCVD)成功生长的InP系材料,并提出在NSAG-MOCVD生长研究中,引入填充因子的必要性,给出速率增强因子随填充因子变化的经验公式,计算得出速率增强因子随填充因子的变化关系.与实验结果作了比较,发现InP的速率增强因子主要取决于掩膜宽度,InGaAsP的速率增强因子不仅与掩膜宽度有关,同时也依赖于生长厚度,且这种依赖性随掩膜宽度的增加而增加.     

10Gbit/s高T0无制冷分布反馈激光器

与折射率耦合分布的分布反馈（DFB）激光器相比,不管界面反射率是多少,增益耦合DFB激光器都能稳定地单纵模工作,而且具有高速、低啁啾的特性．本课题组用AlGaInAs/InP材料,采用增益耦合DFB结构,进行了单纵模激光器研发,并对器件特性进行了测试分析．     

半导体激光器电吸收调制器和双波导模斑转换器的单片集成

报道了1.6μm的半导体激光器和电吸收调制器以及双波导模斑转换器的单片集成器件.该器件具有良好的单横模特性和准单纵模特性(边模抑制比达25.6dB),3dB调制带宽为15GHz,直流消光比为16.2dB,远场发散角为7.3°×18.0°,和单模光纤的耦合效率达3.0dB.     

基于渐变组分体材料InGaAs的宽带长波长超辐射二极管

研制了一种新型的非选择性再生长掩埋异质结构长波长超辐射二极管(SLD).该器件采用渐变组分体材料InGaAs作为有源区,由金属有机物化学气相外延制备.150mA下,SLD发射谱宽的半高全宽为72nm,覆盖范围从1602到1674nm.发射谱光滑、平坦,光谱波纹在1550到1700nm的范围内小于0.3dB.室温连续工作,注入电流200mA下,器件获得了4.3mW的出光功率.器件适用于气体探测器和L-band光纤通信的光源.