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A modulator-based optoelectronic-very large scale integration (OE-VLSI) circuittechnology,being developed at Bell Laboratories[1 ,2 ] ,is now existing and providingthousands of optical input and output to foundry-grade VLSI silicon CM... 相似文献
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研究了原位和非原位退火对分子束外延生长的GaInNAsSb/GaNAs/GaAs量子阱激光器的作用.通过快速热退火量子阱质量得到很大提高,这一方法还很少被应用于激光器的制作,特别是波长在1.55μm波段的激光器.生长量子阱时采用的生长速率、Sb诱导等,将量子阱激光器发光波长拓展到1.59μm,并制作了脊型波导FP腔GaInNAsSb单阱激光器,成功实现了室温连续激射,激射波长达到1.59μm,阈值电流为2.6kA/cm2. 相似文献
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Optoelectronic smart pixels with hybrid integration of GaAs/AlGaAs multiple quantum well (MQW) detectors and modulators arrays have beed made,which are flip-chip bonded directly on the top of lμm silicon CMOS circuits,as enables an achievement of Optoelectronic Integrated Circuits (OEIC) as well as does the design and optimization of CMOS circuits and GaAs/AlGaAs MQW devices to proceed independently. 相似文献
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研究了GaInNAs/GaAs多量子阱在不同温度和激发功率下的光致发光(PL)谱以及光调制反射(PR)谱.发现PL谱主发光峰的能量位置随温度的变化不满足Varshni关系,而是呈现出反常的S型温度依赖关系.进一步测量,特别是在较低的激发光功率密度下,发现有两个不同来源的发光峰,它们分别对应于氮引起的杂质束缚态和带间的激子复合发光.随温度变化,这两个发光峰相对强度发生变化,造成主峰(最强的峰)的位置发生切换,从而导致表观上的S型温度依赖关系.采用一个基于载流子热激发和出空过程的模型来解释氮杂质团簇引起的束缚态发光峰的温度依赖关系. 相似文献
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