光互连用8×8多量子阱空间光调制器

制作了光互连用８×８多量子阱空间光调制器，测量了其耐压特性、模式均匀性、对比度和插入损耗等。使用Ｄａｍｍａｎｎ光栅分束器将半导体激光束分成等光强的６４路并将其照射到多量子阱空间光调制器上，测量了其调制特性     

1.3μm自组织InGaAs/InAs/GaAs量子点激光器分子束外延生长

报道了分子束外延生长的1.3μm多层InGaAs/InAs/GaAs自组织量子点及其室温连续激射激光器.室温带边发射峰的半高宽小于35meV,表明量子点大小比较均匀.原子力显微镜图像显示,量子点密度可以控制在(1～7)×1010cm-2范围之内,而面密度处于4×1010cm-2时有良好的光致发光谱性能.含有三到五层1. 3μm量子点的激光器成功实现了室温连续激射.     

RCE光电探测器顶部DBR的优化

对研制的 VCSEL 结构外延片制成的谐振腔增强型 (简称 RCE)光电探测器进行了物理分析和实验研究 ,由于 VCSEL 与 RCE光电探测器对谐振腔反射镜的反射率要求不同 ,通过腐蚀 VCSEL 器件顶部 DBR,改变顶镜反射率 ,能够得到量子效率峰值和半宽优化兼容的 RCE光电探测器 ,实现 VCSEL 与 RCE探测器的单片集成 .     

MBE生长面发射激光器的原位厚度监测

在ＭＢＥ生长“ＤＢＲ型结构性材料”的过程中，由于生长中的多层结构干涉效应，使高温黑体辐射谱呈现振荡现象，利用此现象辅以计算机数据拟合，可以实现ＭＢＥ生长中层次、组分和厚度的实时监控，对ＭＢＥ系统生长垂直腔型结构材料的实时质量监控有重要意义．我们首次在国内采用这项技术，利用红外高温仪对ＶＣＳＥＬ器件生长全过程（包括谐振腔）及多种组分ＤＢＲ的表观衬底热辐射振荡进行监测，采用准黑体模型，结合扫描电镜、光反射谱等结果进行了分析，理论与实验得到了较好的吻合．     

X射线双晶衍射在分布布喇格反射镜研制中的应用

本文利用Ｘ光双晶衍射的动力学理论对垂直腔面发射激光器（ＶＣＳＥＬ）的分布布喇格反射境（ＤＢＲ）的特性曲线进行了模拟研究．从中得到ＤＢＲＡｌＡｓ／ＡＩｘＧａ１－ｘＡｓ的厚度及组分ｘ值，应用所得到的这些数值进行光学薄膜反射谱的模拟计算，并与实验所测得的ＤＢＲ反射谱进行比较，得到了证实．我们应用这套方法指导ＶＣＳＥＬ外延片的生长，获得了良好的结果．     

低阈值InGaAsP/InP PBH双稳激光器

一种平面掩埋异质结构(PBH)InGaAsP/InP双区共腔双稳激光器业已研制成功.器件具有良好可控的光学双稳特性.激射波长1.3μm.直流L/I特性显示典型的迴滞曲线.导通阈电流的最低值为26mA,优于文献报道的最好值.在通态电流跨度内,器件以单纵模激射.数字光放大增益G≥30dB.导通时间τ_(on)<100ps,关断时间τ_(on)<1ns.     

GaAs/GaAlAs pnpn负阻激光器中的光开关、光双稳特性

本文首次报道了利用PnPn型GaAs/GaAlAs 激光器件实现光双稳及光开关工作的实验结果以及采用双光晶体管模型对于器件的光双稳、光开关作用原理的一般性分析.     

408自锁高速双光子开关的研究

４０８自锁高速双光子开关的研究李长英，忽满利，王胜远，韩雁勤（西北大学物理系统激光教研室，西安７１００６９）徐大纶，程昭，吴荣汉，张权生（中科院西安光机所瞬态光学技术国家重点实验室）基于对ＣＣＴＳ光双稳逻辑功能及ＰＩＮ型自电光控测器逻辑功能进行了深入...     

高探测率的GaAs/AlGaAs多量子阱长波长红外探测器

探测器采用50周期GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7)As多量子阱结构的分子束外延材料,并制成直径为320μm的台面型式单管.其器件主要性能和指标如下:探测峰值波长为 9.2 μm,工作温度为77 K,峰值电压响应率 R_v= 9.7× 10~5V/W,峰值探测率 D~*= 6.2 × 10~(10)cmHz~(1/2)/W.     

GaAs基量子阱谐振腔增强型光电探测器特性研究

通过对谐振腔增强型（RCE）光电探测器的理论分析和实验测试结果，证明对应不同光束入射角度， RCE光电探测器的模式波长按一定规律可调谐. 并给出当入射角度变化10°～60° ，模式调谐范围约为40nm，而谐振波长处的量子效率峰值及半高宽FWHM的变化与材料吸收系数紧密相关.