热释电材料电性能自动测量系统的设计

介绍了一种设计热释电材料电性能测量系统的新方法,重点研究了pA级电流放大电路的设计.系统由温度控制和性能参数测量两大部分组成,采用计算机进行控制,利用该测量系统,可以同时得到热释电系数、介电常数和损耗与温度的关系曲线.用所研制的测量系统对掺锑、锰的PZT厚膜材料样品进行了热释电性能测量,给出了有关测量结果.     

MgO对Ba0.6Sr0.4TiO3铁电陶瓷材料结构及低频特性的影响

研究了添加MgO的Ba0.6Sr0.4TiO3(BSTO)可调谐微波器件用铁电陶瓷材料的结构和低频下的介电性能.结果发现随着MgO添加量的增加,BSTO材料的相对介电常数大幅度下降,材料的密度和可调性也随之降低.SEM和XRD结果表明随MgO添加量的增加,材料晶粒尺寸减小,体系的晶胞参数略有下降,MgO在BSTO中以独立相的形式存在.制备出了相对介电常数较低(εr=181),介质损耗达4.7×10-3(在频率为10 kHz时),可调性为10.26%(电场为2.2 kV/mm)的适用于制作移相器的BSTO铁电陶瓷材料.     

非均匀弯折线单极子天线的设计与制备

通过时域有限差分法,研究了由矩形非均匀弯折线构成的单极子天线的谐振特性,分析了非均匀弯折线各弯折节线长、线宽和线间距对天线双频性能的影响．结果表明,弯折节的线长和线宽对天线的第1谐振频率和第2谐振频率有较强的调节作用．通过引入非均匀结构,适当改变各弯折节的线宽和线长可以有效的调节天线2个最低谐振频率的相对位置．文章最后制备出一种双频非均匀弯折线单极子天线,该天线频带能够有效覆盖IEEE802．11b／g（2．4—2．484GHz）,802．11a（5．15—5．35GHz,5．725～5．825GHz）2个频段,能够满足WLAN应用．该双频天线的设计方法还可以用在其他双频天线的设计中．     

纵振型低频压电水听器的等效电路及有限元分析对比研究

分别利用等效电路理论与ANSYS有限元仿真对纵振型复合棒式压电水听器的性能参数进行了计算,并将两种结果进行比对分析。对比发现两种分析方法得出的接收灵敏度最大值对应的频率不在同一处并且在数值上存在一定差异,在远离谐振点的较低频段,水听器的接收灵敏度都具有较为平坦的响应。等效电路理论只考虑了一维纵向振动并且将模型完全理想化,而ANSYS有限元分析则考虑了整个结构的纵向横向模态耦合,其建模更接近实际模型,因此ANSYS有限元分析在水听器的仿真优化设计中更符合实际情况,但还需制作实物,用实测结果进行比对。等效电路理论由于物理意义明显,可以为水听器设计和有限元仿真提供理论指导。     

基于PWM/PFM的压电变压器驱动电路的设计与仿真

利用PWM／PFM控制IC组成驱动电路来驱动压电变压器,给出了驱动电路的原理图,对电路工作原理做了详细的分析,并用仿真软件HSPICE对电路进行仿真,仿真结果证明该电路能满足驱动压电变压器的要求。     

AlN 陶瓷的性能及应用

AlN陶瓷具有高硬度、与硅相接近的线膨胀系数、高电阻率、低介电常数、低介电损耗以及无毒、耐高温、耐腐蚀等特性,力学性能良好,在电子、机械、复合材料等领域有着广泛的应用。尤其是因为具有高热导率,Al N陶瓷已经成为理想的半导体基板和封装材料之一。本文回顾了Al N陶瓷的发展历程,着重评述了Al N陶瓷的制备技术、性能及应用等方面的研究进展,并对其面临的技术困难及发展方向进行了展望。     

CaTiO3对(1-x)ZnAl2O4-xMg2TiO4(x=0.21)微波介质陶瓷结构和性能的影响

利用常规固相法制备了ZnAl₂O₄-Mg₂TiO₄-CaTiO₃陶瓷, 研究了CaTiO₃对其相成分、微观组织结构和微波介电性能的影响规律. 结果表明, CaTiO3能有效地改善(1-x)ZnAl₂O₄-xMg₂TiO₄(x=0.21)材料的烧结性能, 使其致密化温度降低150℃. ZnAl₂O₄-Mg₂TiO₄-CaTiO₃陶瓷体系中包括ZnAl₂O₄基尖晶石相、CaTiO₃、MgTi₂O₅和Zn₂Ti₃O₈相, 当烧结温度高于1400℃时, Zn₂Ti₃O₈相消失. 随着CaTiO₃含量的增加, 体系中CaTiO₃相含量增加而MgTi₂O₅相含量减少, 且CaTiO₃具有显著地调节谐振频率温度系数的作用. 当在(1-x)ZnAl₂O₄-xMg₂TiO₄(x=0.21)体系中掺入6mol%的CaTiO₃添加剂时, 经1400℃烧结后能获得温度稳定性好的微波介质陶瓷材料, 其微波介电性能为：ε_r=11.8, Q·f=88080GHz, τ_f=-7.8×10^－6/℃.     

高εr微波人质陶瓷的结构,介电性质及其研究进展

讨论了ＢａＯ－Ｌｎ２Ｏ３－ＴｉＯ２（Ｌｎ为镧系稀土元素，下同）、ＣａＯ－Ｌｉ２Ｏ－Ｌｎ２Ｏ２－ＴｉＯ２、铜基钙钛矿等系列高εｒ微波介质陶瓷的结构、介电性质，分析了其介电性质随不同Ａ位、Ｂ位离子的变化规律。指出Ａ位、Ｂ位离子的性质、晶体结构、晶胞大小、材料组成等对材料的介电系数εｒ、品质因数Ｑ、谐振频率温度系数ιｉ有决定性影响，钛氧八面体的存在是材料产生高εｒ的主要原因。随Ａ位离子半径的增大、Ｂ位离子半径的减小，材料的εｒ升高，Ｑ值降低。传统的极化损耗机制不能完全解释该类材料的介电特性。今后的发展趋势是利用复合效应来得到εｒ更高、Ｑ值更高、同时温度稳定性良好的高性能材料。     

Bi1/2(Na1-xLix)1/2TiO3压电陶瓷的性能和微结构

利用传统陶瓷工艺制备了Bi1/2(Na1-xLix)1/2TiO3(简写BNLT100x,其中x为摩尔含量)系无铅压电陶瓷,研究了该陶瓷的微结构、压电和介电性能。X-射线衍射分析(XRD)结果表明,在x=0~0.20时,Bi1/2(Na1-xLix)1/2TiO3陶瓷为单相三方晶系钙钛矿结构;在x=0.30时,会有影响压电性能的第二相产生。扫描电镜(SEM)结果表明,Li含量越高,陶瓷的烧结温度越低,Li促进了晶粒特定方向的生长;在x=0.15时,压电系数d33达极大值109 pC/N;同时研究了极化工艺条件对材料压电性能的影响。