水基凝胶注模成型工艺制备0.9Al2O3-0.1TiO2陶瓷的微波介电性能（英文）

采用水基凝胶注模成型工艺制备了0.9Al₂O₃-0.1TiO₂陶瓷.研究了烧结后的0.9Al₂O₃-0.1TiO₂陶瓷的微结构、相组成以及微波介电性能.通过采用合适的预烧温度（1200℃）和连续、缓慢的降温工艺来退火,成功消除了Al₂TiO₅第二相.和传统干压法相比,用水基凝胶注模成型工艺制备的0.9Al₂O₃-0.1TiO₂陶瓷具有较大的晶粒,较少的气孔和更加均匀的微结构.因此,用水基凝胶注模成型工艺制备的0.9Al₂O₃-0.1TiO₂陶瓷拥有更好的微波介电性能:ε_r=10.71,Q×f=20421GHz,τ_f=1.3×10^-6/℃,而用传统干压法制备的0.9Al₂O₃-0.1TiO₂陶瓷的微波介电性能为ε_r=10.89,Q×f=11938GHz,τ_f=1.4×10^-6/℃.     

无铅压电陶瓷(Bi1/2Na1/2)TiO3-KNbO3制备工艺研究

采用传统陶瓷工艺制备了(1-x)(Bi1/2Na1/2)TiO3-xKNbO3(x=0.01,0.02,0.04,0.6,0.08,0.12)无铅压电陶瓷。利用热重-差热(TG-DSC)、X-射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)等分析技术,研究了(1-x)(Bi1/2Na1/2)TiO3-xKNbO3无铅压电陶瓷的制备工艺条件对陶瓷晶体结构、压电性能的影响。TG-DSC、XRD的结果表明,该体系的的最佳预合成温度在800~850℃;SEM及性能测试的结果表明,该体系随KNbO3含量的增加,烧结温度提高,烧结的温度范围变窄,当x>0.1时,烧结的温度范围只有5~10℃。     

基于PLC的后膛弹处废自动生产线

基于PLC的后膛弹处废自动生产线,由控制系统和机械设备组成.其工序流程分上弹、卸引信防潮塞、卸底火、拔弹、吹倒药和切割倒药等步骤.PLC控制机械设备的具体动作.上位计算机为监控核心,负责设备动作命令的发送和接收当前PLC状态反馈.传感器采集动作到位信息,文本显示器用于调试时的控制.软件采用自动和手动2种模式对生产线进行操作.     

电子陶瓷材料的纳米尺寸效应和纳米技术

电子陶瓷材料的纳米尺寸效应、纳米技术以及代表纳米特征的相关特征技术变得日益重要。本文讨论了电子陶瓷材料领域的纳米技术研究进展以及将来的发展趋势。首先阐述了纳米氧化物陶瓷的尺寸效应，然后讨论纳米结晶陶瓷的制备方法和应用，最后叙述在纳米技术与半导体技术发展中并驾齐驱的集成陶瓷薄膜技术的发展趋势。     

MgO－CoO－NiO氧敏材料的缺陷化学及电导特性研究

本文用点缺陷理论分析了ＭｇＯ－ＣｏＯ－ＮｉＯ系氧敏材料的缺陷模型．并测量了ＭｇＯ－ＣｏＯ－ＮｉＯ材料的高温电导与氧分压的关系．在实验的基础上，研究了该材料的缺陷化学及电导特性，对其禁带宽度及缺陷的热力学参数进行了理论估算．实验结果与理论分析吻合得较好．     

磷酸铁包覆纳米锰酸锂的改性研究

以水热法合成的纳米MnO2为模板,合成了以棒状结构为组成单元的球状LiMn2O4纳米材料,并首次用FePO4对其进行了表面包覆改性。通过XRD、SEM、TEM、EDS等表征手段对材料的结构、形貌及组成元素进行了分析,并测试了材料的电化学性能。结果表明,经过1%(质量分数)FePO4包覆的LiMn2O4材料的电化学性能得到明显改善,在1C下首次放电比容量达128.6mAh/g,循环100次后仍保持97.3mAh/g,容量保持率为75.7%;在0.1C下充电,在0.1C、0.2C、0.5C、1C、2C、3C、4C下连续放电,放电比容量分别可达131.2mAh/g、128.0mAh/g、127.1mAh/g、126.0mAh/g、117.8mAh/g、110.9mAh/g和104.6mAh/g。     

MgO—CoO—NiO氧敏材料的缺陷化学及电导特性 研究

本文用点缺陷理论分析了ＭｇＯ－ＣｏＯ－ＮｉＯ系氧敏材料的缺陷模型。并测量了ＭｇＯ－ＣｏＯ－ＮｉＯ材料的高温电导与氧分压的关系。在实验的基础上，研究了该材料的缺陷化学及电导特必一，对其禁带宽度及缺陷的热力学参数进行了理论估算。实验结果与理论分析吻合得较好。     

基于Ethernet的PLC通信控制网络

基于Ethernet的PLC通信控制网络,分为面向工业现场设备的以PLC为核心的控制层和面向控制底层的以主控计算机为核心的监管层.系统以工业以太网为主要通信平台.当下位机收到上位机命令后,PLC自动分析指令代码、检查数据格式,再根据指令代码执行相应操作,并返回相应的应答信息.通知计算机当前动作执行状况和反馈通信中的错误.上位机采用异步WinSock,PLC与间的通信格式使用OMRON标准.     

低插损同轴型微波介质滤波器的设计

1/4波长同轴谐振器构成的微波介质带通滤波器,具有三个谐振孔、二个耦合孔,谐振器间通过耦合孔相互耦合,材料采用高介电常数微波陶瓷,器件表面涂覆金属电极。讨论了耦合孔半径对滤波器技术指标(中心频率f_0、3dB带宽B、插入损耗L_0、阻带抑制L_A等)的影响,然后根据给定的滤波器技术指标确定了滤波器的类型、结构、级数及尺寸,最后进行了仿真验证,得到了低损耗的带通滤波器。     

低εr微波介质陶瓷的结构与介电性质

介绍了低介质常数ε微波介质陶瓷中复合钙钛矿Ba(X,Y)O3系、（Zn,Sn)TiO4系和BaO-TiO2系材料的结构和介电特性,分析其介电性质随结构和工艺参数的变化规律,以上系列微波介质陶瓷的烧结温度普遍较高,传统的介电理论不能完全解释这些材料的损耗机制,今后的发展趋势是利用复合效应来得到εr更高,品质因数Q值更高,同时温度稳定性良好的高性能材料。