基于光刻模型的动态自适应切分OPC

光学邻近校正(OPC)技术已经成为纳米级半导体工艺技术中的一个关键.目前在OPC中多边形的切分算法均基于配方(recipe),但随着特征线宽减小及版图越来越复杂,用于切分的配方难以覆盖所有的情况;不完备的配方引发或加剧了芯片上的纹波、断线和桥连等现象.论文提出了一种新的基于光刻模型的动态自适应切分算法,根据不同的光刻模型和几何环境可以给出不同的切分,并且可在校正循环中动态改变切分方式和采样点的放置位置.通过90nm工艺下版图设计的验证,这种切分不仅减少了被切分出的小线段(segment)数量的10%～15%,节省了调试切分规则的时间,而且提高了 OPC的质量,使PRV(post RET verification)错误率降低了35%.     

高效率集成电路测试芯片设计方法

对生成测试芯片效率进行研究,提出了一种采用版图编辑器作图和批量参数化建模设计方法。缩短了设计周期,降低了设计难度。依据该方法,开发了一套针对工艺开发包的测试芯片,实验结果验证了其高效性。     

SubLVDS驱动电路的设计

SubLVDS是一种超低压摆幅的差分信号技术,与传统的低摆幅差与信号技术相比,它具有更高的比特率、更低的功耗、更好的噪声性能和更稳定的可靠性.分析了SubLVDS的技术原理和优势,并给出了SubLVDS高速驱动电路的设计,其中采用MOS电容组成的高速降幅电路,利用负反馈和米勒补偿稳定共模点,采用SMIC 0.18 μm工艺,1.8 V的供电,最后实现摆幅为150 mV的、速度为1 Gbps、PSRR大于60 db的驱动电路.     

一种基于卷积核用于光刻模拟的计算稀疏空间点光强的方法

光学邻近校正(OPC)系统要求一种精确、快速的方法来预测掩模图形转移到硅圆片的成像结果.基于Gabor的"降解为主波"方法,一个部分相干成像系统可以用相干成像系统的叠加来近似,并用高斯过滤器来模拟光刻胶横向扩散和一些掩模工艺效应,由此提出了一种基于卷积核的精确、快速地用于光刻模拟的稀疏空间点光强计算方法.这种模型的简单性从本质上给计算和分析带来了好处.仿真结果说明这种方法是有效的.     

一种基于SPLAT的离轴照明成像算法的研究与实现

如何提高光刻的分辨率巳成为超深亚微米集成电路设计和制造的关键技术。文章简要介绍了分辨率提高技术之一的离轴照明的原理及其构造形式，介绍了部分相干的二维透射系统的仿真程度SPLAT的特点，并用SPLAT实现了一种新的照明结构，为实际开发光学邻近校正(OPC，Optical Proximity Correction)仿真工具增加了新的功能。     

面向系统芯片的可测性设计

随着集成电路的规模不断增大,芯片的可测性设计正变越来越重要。回顾了一些常用的可测性设计技术,分别讨论了系统芯片（SOC）设计中的模块可测性设计和芯片可测性设计策略。     

集成电路版图中的多边形匹配比较研究

光学邻近校正是最重要的分辨率增强技术,而对光学邻近校正后的版图修正逐渐成为提高集成电路版图质量的必需步骤.提出了一种用于post-OPC版图(做过OPC的版图)修正的多边形匹配比较的线性算法.算法通过比较pre-OPC和post-OPC的版图,提取OPC校正时的分段信息和段偏移量,使得post-OPC版图的修正能够充分利用前次OPC的结果,避免了重做OPC,提高了OPC验证后修正的效率.     

采用改进遗传算法优化FIR数字滤波器设计

FIR数字滤波器的最优化设计可以抽象成一个多维连续函数求极值的问题,因此可以采用遗传算法求解。针对传统遗传算法存在的容易早熟收敛的问题,提出一种改进策略,从交叉变异的概率和算子两方面对算法进行改进,并通过测试函数验证了改进策略的可行性。分别在最小二乘（LS）、最大误差最小化（MM）和均方误差最小化（MMSE）准则下,采用改进遗传算法进行FIR数字低通滤波器最优化设计,实验结果显示在不同优化准则下设计的滤波器都表现出了良好的性能,证明了改进算法的通用性和有效性。     

一种快速光刻模拟中二维成像轮廓提取的新方法

在一种新颖的快速光刻模拟算法的基础上,提出了一种新的基于稀疏空间点光强计算的二维成像轮廓提取算法.该算法能够根据版图特点合理选择采样线的位置,有效地确定轮廓线存在的范围,并根据在采样线上光强单调分布的特性来快速地搜寻轮廓点.实验表明,这是一种快速高效的轮廓提取方案,能够适应光学邻近校正中巨大的运算量.     

一种用于标准单元版图交替移相掩模相位兼容性规则检查的工具

介绍了一套基于相位冲突图的生成和处理的新方法,可以准确、全面地对由传统方法设计的标准单元版图(暗场)进行检查.基于此方法的软件工具能够检查标准单元版图,找出不符合交替移相掩模设计要求的图形,并给出相关的修改建议.实验结果证实了该工具的有效性.