微带环行器的设计方法与仿真

由于微带环行器具有体积小,易与微波电路集成等优点,从而成为现阶段环行器研究的主要对象。针对同一铁氧体基片,采用不同的设计方法,设计工作在X波段的微带结环行器,在HFSS中进行仿真,各设计方法的仿真数据均满足设计要求和性能指标。仿真结果表明经典理论设计与计算机仿真相结合对微带环行器的设计具有指导意义。     

Bi_2O_3含量对NiCuZn旋磁铁氧体基板材料性能的影响

采用氧化物法制备了NiCuZn铁氧体材料,研究了Bi2O3掺杂对其旋磁性能的影响。结果表明,在1～4wt%的范围内,随着Bi2O3含量的提高,铁磁共振线宽△H和介电损耗角正切tgδε都呈现出先减小后上升的趋势;并且在掺杂量为3wt%、烧结温度为900℃时,△H15kA/m、tgδε=6.5×10-4、Ms300kA/m,可用于低温共烧旋磁铁氧体基板的制备。     

新方法实现双传输零点LTCC带通滤波器

采用新型方法设计了一个具有两个有限传输零点的集总参数二阶小型化低温共烧陶瓷(LTCC)带通滤波器。滤波器是基于电容耦合谐振带通滤波器的基础上进行设计的。两个谐振腔之间的共同接地电感使滤波器产生了两个有限传输零点,通过调节接地电感的大小可以改变高频处传输零点的位置,致使滤波器具有优良的带外抑制性能。滤波器设计紧凑,整个封装尺寸仅为2.5mm×2.0mm×0.9mm,满足1008型号封装要求。     

片式抗EMI低通滤波器的LTCC工艺研究

采用低温共烧陶瓷(LTCC)工艺实现抗电磁干扰(EMI)低通滤波器,针对在工艺流程中出现的各种问题,通过分析后提出解决方案,经反复实验,成功制作出与设计目标相符合的器件.所总结的工艺经验同样适用于基于LTCC工艺的其他器件.     

应力作用下电流退火对钴基非晶薄带的巨磁阻抗效应的影响研究

采用应力作用下的直流电流退火处理Co68.2Fe2.3Mo2Si12.5B15非晶薄带，详细讨论了应力退火前后Co基薄带的巨磁阻抗效应的变化，以及退火时间对巨磁阻抗效应的影响，研究表明：应力作用下的电流退火有利于巨磁阻抗效应的提高，并可以通过控制退火时间控制阻抗与外场变化关系曲线形状。     

一种用于淀积铁磁膜的新型磁控靶研究

本文给出了一种新型铁磁靶设计方法，并用设计的ＤＣ磁控靶成功地制备出了用于磁头的ＦｅＳｉＡｌ合金薄膜，性能分析表明用该靶制备的膜可满足ＭＩＧ磁头的指标。     

低温共烧陶瓷射频无源集成基础技术研究进展

低温共烧陶瓷(LTCC)技术是当今世界射频无源集成的关键技术,嵌入式无源元件设计与模型化是LTCC重要基础技术。本文介绍了LTCC射频无源集成的关键技术,并着重介绍了射频无源元件(如电感、电容)的等效电路模型的发展过程。     

子带信号处理中FIR滤波器组的设计

提出了一种子带信号处理中滤波器组的设计方法,充分利用现场可编程门阵列(FPGA)中硬件资源,根据FPGA设计中“速度和面积互换”的原则,采用流水线的结构,在满足原设计性能要求的情况下,将系统的资源开销降至有效的范围内。     

B靶溅射功率对FeGaB薄膜磁性能的影响

采用磁控共溅射法制备FeGaB合金薄膜,FeGa靶的溅射功率为40 W,通过调整B靶的溅射功率来调控薄膜的成分.结果表明,制备出的FeGaB薄膜厚度均匀,呈非晶态,具有较小的矫顽力和较大的磁致伸缩系数.当B靶的射频溅射功率大于30 W时,薄膜的矫顽力Hc降低到2.1 Oe左右.B靶溅射功率增大时,B元素的含量增大,FeGaB薄膜的磁致伸缩系数先增大后减小.当溅射功率为40 W时、B元素含量为11.9％,FeGaB薄膜的磁致伸缩系数达到64 ppm.     

叠层片式低通滤波器的设计与制作

利用LTCC<CF(低温共烧陶瓷和低温共烧铁氧体)技术设计和制作了具有标准封装型号0805型叠层片式低通滤波器,给出了一个完整而有效的设计流程.并采用介电常数为14、流延厚度为30μm的陶瓷膜片成功制作了截止频率在220MHz的三阶低通叠层片式滤波器,其外形尺寸为2.0mm×1.2mm×0.9mm.