三指发射极InGaP/GaAs HBT的研制

异质结双极型晶体管(HBT)是MMIC领域中最具有竞争力的三端器件之一.本文提出了一种三指发射极HBT的设计.通过与同一版上两指发射极HBT比较,证实了该设计的工艺宽容度高、可靠性和一致性好、成品率高,并且仍然具有两指发射极HBT良好的击穿、直流和高频特性.     

新结构复合收集区InGaP/GaAs异质结双极晶体管结构设计及特性

利用电子运动速度过冲现象,设计出了一种新结构复合收集区InGaP/GaAs异质结双极晶体管.这种结构不仅提高了器件的截止频率,而且降低了影响器件直流性能的补偿电压.所制备器件的截止频率达到77GHz,直流电流增益高达100,补偿电压低至70mV.同时,把所制备器件的微波和直流特性与已发表的文献进行了比较,充分显示了这种结构的优越性.     

减小发射极宽度提高InGaP/GaAs HBT的性能

在发射极宽度为3μm和4 μm In Ga P/ Ga As HBT工艺的基础上,研究了发射极宽度为2 μm时发射极与基极之间的自对准工艺,用简单方法制备出了发射极宽度为2 μm的In Ga P/ Ga As HBT.发射极面积为2 μm×1 5 μm时器件的截止频率高达81 GHz,且集电极电流密度为7×1 0 4 A/ cm2 时仍没有出现明显的自热效应.它的高频和直流特性均比发射极宽度为3μm和4 μm In Ga P/ Ga As HBT的有了显著提高,并对器件性能提高的原因进行了分析     

用模拟退火算法从S参数提取HFET小信号等效电路模型参数

微波集成电路和微波器件的设计需要准确地提取 HFET的小信号等效电路模型参数 .采用带回火的模拟退火算法从 S参数提取 HFET小信号等效电路模型参数 ,得到了高质量的解 .计算结果是全局最优解 ,摆脱了初始值的影响 ,并且克服了局部优化算法遇到的不收敛或收敛到错误解的问题 .利用测量得到的栅电阻 ,计算结果的精度可以进一步提高 .这个算法同样也适用于 HBT、电容和电感等器件模型参数的提取     

0.1-0.3μmX射线光刻技术在GaAs器件制作中的应用

对同步辐射Ｘ射线光刻及在ＧａＡｓ ＰＨＥＭＴ器件制作中的应用进行了研究,并制作出栅长０．１５μｍ的ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ ＰＨＥＭＴ晶体管。研究结果表明,Ｘ射线光刻在肃离图形册结构制作工艺中具有极好的光刻图形质量,在混合光刻工艺中,抑止ＧａＡｓ合金点的形成是取得良好的对准标记的关键。