深亚微米p+栅pMOSFET中NBTI效应及氮在其中的作用

研究了p+栅pMOSFET中的NBTI效应．通过实验分析了NBTI应力后器件特性及典型参数的退化，研究了氮化栅氧中氮对NBTI效应的作用，并给出了栅氧中的氮对NBTI效应影响的可能机制，即栅氧中氮形成的Si—N键不易被分解，但栅氧中的氮提供了H＋的陷阱中心，导致NBTI效应中氧化层正固定电荷的增加，其总体效果表现为氮对NBTI效应退化影响的增加．     

0.18μm CMOS工艺下的新型ESD保护电路设计

为了有效地保护0.18μm CMOS工艺下箝位器件的栅极,设计了一款新型的电源和地之间的静电保护电路.该电路在检测电路部分加了一个NMOS反馈器件,同时在检测电路的下一级使用了动态传输结构.反馈器件能够提高电路中各器件工作状态的转换速度,使得保护电路能够及时关闭,避免箝位器件栅极电流保持过长时间,保护了箝位器件的栅极.此外,该电路采用0.18μm CMOS工艺下的普通器件,节省了电路的成本.     

热生长超薄栅氧化层的空穴击穿机理与碰撞电离模型

分析了超薄栅氧化层击穿的碰撞电离模型,并对空穴击穿机理进行了详细描述,为超栅氧化层的击穿机理的深入研究及超薄栅氧化层击穿模型的建立奠定了基础。     

应用混合游程编码的SOC测试数据压缩方法

本文提出了一种有效的基于游程编码的测试数据压缩/解压缩的算法:混合游程编码,它具有压缩率高和相应解码电路硬件开销小的突出特点.另外,由于编码算法的压缩率和测试数据中不确定位的填充策略有很大的关系,所以为了进一步提高测试压缩编码效率,本文还提出一种不确定位的迭代排序填充算法.理论分析和对部分ISCAS 89 benchmark电路的实验结果证明了混合游程编码和迭代排序填充算法的有效性.     

20T级预应力锚杆在黑河枢纽电站滑塌坡面中的应用

黑河水利枢纽工程水电站滑塌坡面20T级预应力锚,在预锚施工前先对其坡面进行造孔、孔内进行固结灌浆；然后扫孔、锚杆安装、内锚段灌浆、焊接锚墩受力钢板浇筑锚墩混凝土、张拉、外锚段灌浆、锚墩防腐处理,从而确保该坡面在预锚后发挥其稳定性、安全性.     

衬底热电子增强的薄SiO2层击穿特性研究

本文通过衬底热电子SHE(Substrate hot electron)注入技术,对SHE增强的薄SiO₂层击穿特性进行了研究.实验发现氧化层中的平均电子能量与衬底电压有很大的关系.通过能量守恒方程计算注入到氧化层中的平均电子能量,根据计算出的电子能量可以解释SHE注入和F-N隧穿注入的根本不同.本文提出了衬底热电子增强的TDDB(Time dependent dielectric breakdown)模型.     

新型HfO2栅介质电特性的理论分析与实验研究

对结合NH₄F表面预处理和高温退火新型工艺制作的超薄HfO₂栅介质MOS电容的C-V特性进行了模拟仿真和实验研究,理论分析的界面态分布与实验结果吻合．利用高频C-V法计算了平带电压漂移量、氧化层内陷阱电荷密度和界面态密度,比较了不同工艺条件下样品的电参数．结果表明NH₄F表面预处理和高温退火新型工艺可以显著降低界面态和氧化层陷阱电荷,从而降低栅极漏电流．     

衬底热空穴注入下的薄栅氧化层击穿特性

利用衬底热空穴 (SHH)注入技术 ,分别定量研究了热电子和空穴注入对薄栅氧化层击穿的影响 ,讨论了不同应力条件下的阈值电压变化 .阈值电压的漂移表明是正电荷陷入氧化层中 ,而热电子的存在是氧化层击穿的必要条件 .把阳极空穴注入模型和电子陷阱产生模型统一起来 ,提出了薄栅氧化层的击穿是与电子导致的空穴陷阱相关的 .研究结果表明薄栅氧化层击穿的限制因素依赖于注入热电子量和空穴量的平衡 .认为栅氧化层的击穿是一个两步过程 .第一步是注入的热电子打断 Si— O键 ,产生悬挂键充当空穴陷阱中心 ,第二步是空穴被陷阱俘获 ,在氧化层中产生导电通路     

无损高压缩率电路设计

为了节省传输系统数据带宽,满足实时压缩要求,通过对Deflate算法硬件实现,设计了一种无损高压缩率电路。通过4列双哈希并行匹配,采用静态哈夫曼编码技术,发挥硬件流水结构和并行计算优势,提升了压缩速度及压缩率。该硬件电路由系统硬件描述语言设计,使用现场可编程阵列进行测试并验证,最终应用于基带追踪数据进行流片,压缩模块面积为0.022 mm ²。测试数据表明:该压缩电路获得了56.68%的高平均压缩率,压缩速率提高至1039Mbit/s。该压缩模块速率及压缩率可满足基带数据追踪系统实时压缩要求。     

薄栅氧化层击穿特性的实验研究

在恒流应力条件下测试了薄栅氧化层的击穿特性,研究了ＴＤＤＢ的击穿机理,讨论了栅氧化层面积对击穿特性的影响．对相关击穿电荷ＱＢＤ进行了实验测试和分析,研究结果表明：相关击穿电荷ＱＢＤ除了与氧化层质量有关外,还与应力电流密度以及栅氧化层面积强相关．得出了ＱＢＤ的解析表达式,并且对相关参数进行了研究