新型HfO2栅介质电特性的理论分析与实验研究

对结合NH₄F表面预处理和高温退火新型工艺制作的超薄HfO₂栅介质MOS电容的C-V特性进行了模拟仿真和实验研究,理论分析的界面态分布与实验结果吻合．利用高频C-V法计算了平带电压漂移量、氧化层内陷阱电荷密度和界面态密度,比较了不同工艺条件下样品的电参数．结果表明NH₄F表面预处理和高温退火新型工艺可以显著降低界面态和氧化层陷阱电荷,从而降低栅极漏电流．     

黄河流域水污染危害调查中的量化模式

随着流域水污染加重和水质恶化 ,流域的社会、经济受到日益严重的影响和危害 ,成为一个极为突出的问题。对流域水污染危害进行调查和统计而使其价值化和直观化 ,将为流域水污染治理和水资源保护的决策提供科学的依据和支持。确定量化参数并根据具体情况选择量化模式 ,是流域水污染危害调查工作中一个至关重要的环节     

0.18μm CMOS工艺下的新型ESD保护电路设计

为了有效地保护0.18μm CMOS工艺下箝位器件的栅极,设计了一款新型的电源和地之间的静电保护电路.该电路在检测电路部分加了一个NMOS反馈器件,同时在检测电路的下一级使用了动态传输结构.反馈器件能够提高电路中各器件工作状态的转换速度,使得保护电路能够及时关闭,避免箝位器件栅极电流保持过长时间,保护了箝位器件的栅极.此外,该电路采用0.18μm CMOS工艺下的普通器件,节省了电路的成本.     

超高频RFID标签的数字电路设计

在研究读写器和射频标签通信过程的基础上,结合EPC C1G2协议以及ISO/IEC18000-6协议,采用VHDL语言设计出一种应用于超高频段的射频标签数字电路.对电路的系统结构和模块具体实现方法进行了描述.基于0.18 μm CMOS工艺标准单元库,采用EDA工具对电路进行了前端综合和后端物理实现.给出的仿真结果表明该电路符合协议要求,综合后的电路规模约为11000门,功耗约为35 μW.该电路可应用于超高频段的各种RFID标签的数字部分.     

Characterization Analysis of UDSM LVTSCR Under TLP Stress

The characteristics of a low-voltage triggering silicon-controlled rectifier (LVTSCR) under a transmission line pulse (TLP) and the characteristics of high frequency are analyzed. The research results show that the anode series resistance has a significant effect on the key points of the snapback curve. The device characteristics can fit the requirements of a electrostatic discharge (ESD) design window by adjusting the anode series resistance. Furthermore, the set-up time of the ESD has an influence on the turn-on voltage of the LVTSCR. A steep rising edge will cause the turn-on voltage to increase. The parasitic capacitance of the device for different voltage biases and frequencies determines the capacitive impedance, and its accuracy calculation is very important to the ESD design of high frequency circuits. Our research results provide a theoretical basis for the design of an ultra-deep sub-micron (UDSM) LVTSCR structure under ESD stress and the improvement of TLP test technology.     

衬底热空穴注入下的薄栅氧化层击穿特性

利用衬底热空穴 (SHH)注入技术 ,分别定量研究了热电子和空穴注入对薄栅氧化层击穿的影响 ,讨论了不同应力条件下的阈值电压变化 .阈值电压的漂移表明是正电荷陷入氧化层中 ,而热电子的存在是氧化层击穿的必要条件 .把阳极空穴注入模型和电子陷阱产生模型统一起来 ,提出了薄栅氧化层的击穿是与电子导致的空穴陷阱相关的 .研究结果表明薄栅氧化层击穿的限制因素依赖于注入热电子量和空穴量的平衡 .认为栅氧化层的击穿是一个两步过程 .第一步是注入的热电子打断 Si— O键 ,产生悬挂键充当空穴陷阱中心 ,第二步是空穴被陷阱俘获 ,在氧化层中产生导电通路