排序方式: 共有82条查询结果,搜索用时 31 毫秒
21.
考虑温度效应的泥岩损伤特性试验研究 总被引:1,自引:0,他引:1
利用MTS810电液伺服材料试验系统以及与之配套的高温炉MTS652.02进行单轴压缩实验,研究泥岩在常温~ 800℃高温作用下,变形特性与强度特性随温度的变化规律.尽管实验结果有一定的离散性,但仍具有明显的总体规律.泥岩的弹性模量及峰值强度在常温~ 400℃内,随温度升高呈上升趋势;当T> 400℃后,弹性模量及峰值强度均急剧下降.依据岩石损伤力学与统计强度理论,结合高温作用下泥岩的力学性能,构建了考虑温度效应的泥岩损伤演化方程和本构模型,并针对所测泥岩岩样的力学特性,给出了相应的损伤本构方程具体参数,本构模型与试验结果具有很好的印证性. 相似文献
22.
对氯盐侵蚀后不同掺合料混凝土进行了压汞试验,从细观角度研究了掺合料对混凝土孔结构特征的影响。结果表明:单掺粉煤灰20%、35%和50%以及单掺矿粉35%和50%,均有效降低了混凝土的总孔隙率,单掺50%矿粉时总孔隙率最小;单掺粉煤灰20%、35%以及单掺矿粉35%和50%,均有效降低了混凝土的总孔面积,单掺50%矿粉时总孔面积最小;单掺粉煤灰20%、35%和50%以及单掺矿粉35%和65%,均有效降低了混凝土的平均孔径,且单掺65%矿粉时平均孔径最小;单掺粉煤灰35%和50%及单掺矿粉65%时,最可几孔径较基准混凝土明显减小,混凝土孔径得到细化;单掺粉煤灰35%和50%以及单掺矿粉35%和65%均使多害孔、有害孔比例减小,且粉煤灰掺量在50%左右,有害孔比例最小,混凝土抗渗性能最好。 相似文献
23.
24.
目的探索中国儿童国学教育的创新性学习模式,将实体与数字设计在儿童学习体验中融合,采用增强现实技术实践开发智能儿童国学教育产品。方法围绕用户、产品、技术3个要素,引入访谈、问卷调研、行为观察、竞品分析等方法全面分析儿童学习国学的需求及问题,并从中提取设计的机会点。结论基于增强现实及图像识别技术,创建了多模交互体验国学产品——嘟嘟熊,全面改变了传统国学教育的学习模式,支持提升儿童在学习过程中的认知能力、动手能力及情感交流。同时,帮助儿童体验趣味性、互动性、益智性的学习享乐过程,提高了儿童国学学习的效率与兴趣。设计方案对于儿童国学教育的创新模式研究具有里程碑的意义,为中国儿童国学教育的未来奠定了发展方向。 相似文献
25.
26.
巯基-迈克尔加成反应由于条件温和、迅速、高效等优点,近年来成为生物医用高分子材料合成的热点之一。双丙烯酰氧基的聚乙二醇二丙烯酸酯(PEGDA)和双巯基的3,6-二氧杂-1,8-辛二硫醇(EDT)通过巯基-迈克尔加成形成了温敏性的PEG共聚物(poly(PEGDA-alt-EDT) )。增大PEGDA 的分子量相应提高poly(PEGDA600-alt-EDT)水溶液的临界溶液温度(LCST)。1HNMR 和GPC表征了共聚物的结构和分子量。在APS的引发下poly(PEGDA-alt-EDT)末端官能团进一步发生偶合-聚合形成温敏性PEG共聚物水凝胶。SEM、流变性能测试和平衡溶胀系数结果表明,poly(PEGDA-alt-EDT)水凝胶具有典型的三维孔洞结构、良好的流变性能、溶胀能力和温度响应性。 相似文献
27.
综观国内外学者近年对固体颗粒稳定的Pickering乳液及其聚合的研究,相关理论有界面理论和接触角理论,对其影响因素的分析主要有固体颗粒浓度、水相pH值和水相电解质.研究者已经将SiO2,Laponite粘土,磁铁矿等一系列无机固体颗粒成功地应用于Pickering乳液中,并制备出一系列性能各异的材料,但研究工作仍存在一些不足,如忽略固体颗粒的电性质对Pickering乳液的影响,对Pickering乳液的片状胶体颗粒稳定剂的研究不系统等.制备受单体影响小、性能稳定的新型Pickering乳液聚合稳定剂,从而不断丰富Pickering乳液及其聚合技术将是未来研究的热点. 相似文献
28.
针对两用户协作通信系统的身份认证问题,提出了一种基于正交幅度调制(QAM)的协作物理层认证机制。在该机制中,两个单天线用户分别使用同相与正交分量传输自己及伙伴的消息和标签,从而实现两用户消息和标签的唯一分解。基站采用最大比合并检测用户消息和标签,并通过标签对比完成物理层身份认证。在等功率分配且用户上行信道对称的典型场景下,给出了消息和标签的误码率闭合表达式。结果表明:在信噪比(SNR)为6~15 dB时,所提机制的认证概率与非协作物理层认证相比提高了12%~20%,非法攻击认证概率仅保持在10-3量级,所提认证机制具有更好的身份认证性能。 相似文献
29.
30.
刘瑞雪 《中国新技术新产品》2018,(17)
本文分析了导致Mos电容栅氧化层漏电的原因,并提出了一种新型低漏电电源钳位电路,克服了传统晶体管构建Mos电容所带来的较大漏电情况。采用中芯国际65nm(1.0V)的工艺进行仿真实验的验证,Hspice仿真结果表明,所提出的新型电路在正常上电条件下,MOS电容的泄漏电流仅为9.98n A,而传统MOS电容漏电达3.61μA。 相似文献