硅藻土多孔陶瓷膜管的研制和性能表征

以硅藻土为主要原料,用注浆成型工艺制备出管状硅藻土多孔陶瓷。该材料具有孔隙率高,孔径小,孔径分布狭窄等特点。当原料中淀粉含量从0增至50%时,样品的孔隙率由37%增至74%(其中,淀粉的贡献值由0增至56%)。平均孔径由0.54μm增至4.94μm,最大孔径则由0.91μm增至7.21μm。当原料中淀粉含量为10%和30%时,膜管的氮气通量分别为:58.68和127.74m3m-2h-1bar-1。     

陶瓷膜混凝反应器处理高浓度含磷废水试验

将化学混凝方法与陶瓷膜分离技术相结合,开发了一体化陶瓷膜混凝反应器(CMCR),并对高浓度含磷废水进行了处理。结果表明CMCR对废水中的PO34--P和有机物有良好的去除效果。当膜面流速5m/s,操作压差0.08MPa,温度18~33℃,膜稳定通量达100L/m2.h,渗透液PO34--P含量小于0.4mg/L,COD值小于50mg/L,达到国家一级排放标准的要求。清洗后膜的通量恢复率达90%以上。     

Characterization of A-site excessive perovskite La0.7-xSmx＋0.02Ca0.3CrO3-δ

La0.7-xSmx+0.02Ca0.3CrO3-δ(0≤x≤0.4) powders with A-site excessive perovskite structure were synthesized by auto-ignition process and characterized. X-ray diffraction (XRD) patterns of samples after sintering at 1400℃ for 4 h were indexed as tetragonal structure. The relative densities were all above 96% although decreased slightly with the increasing content of samarium, indicating that the excessive A-site element was helpful to enhance their sinterability. Conductivities of the specimens in air increased with increasing content of samar-ium. The conductivity of La0.6Sm0.12Ca0.3CrO3-δ was 33.6 S/cm in air at 700 ℃ which was about 1.7 times as high as that of La0.7Ca0.3CrO3-δ (20.1 S/cm). Average thermal expansion coefficients (TECS) of the specimens increased from 11.06×10-6 to 12.72×10-6 K-1 when x in-creased from 0 to 0.4, and they were close to that of Y doped ZrO2 (YSZ). La0.7-xSmx+0.02Ca0.3CrO<3-δ>(0.1≤x≤0.3) were good choices for in-termediate temperature solid oxide fuel cells (IT-SOFCs) interconnect materials.     

复合氧化物Cd2Sb2O7—x的制备及其应用新进展

回顾了镉－锑复合氧化物的制备及其应用的进展情况,介绍了一种采用化学共沉淀制备具有缺陷烧绿石结构的Ｃｄ２Ｓｂ２Ｏ７－ｘ超微纯相粉的方法,并发现该法所得产物具有良好的气敏性能。     

半导体材料γ-Fe_2O_3超细粉的制备与改性

以Fe（NO3）3·9H2O2为源物质，乙二醇为溶剂，用Sol－gel法制备了平均粒径为10nm的γ-Fe2O3和掺Y2O3的γ-Fe2O3超细粉，并同时对样品的热稳定性、物相、微结构和气敏性能作了分析和测定．结果表明，掺入适量Y2O3后能使γ-Fe2O3的相变温度提高到775℃，这将使γ-Fe2O3基气敏元件的稳定性得到改善．两种超细粉制成的旁热式厚膜气敏元件对H2和CO几乎不敏感，而对C2H5OH、C2H2、液化石油气（LPG）和汽油则有较高的灵敏度．     

无机多孔分离膜的若干新进展

简要评述多孔分离膜的研究现状，并展望其未来．集中介绍了微滤膜、超滤膜、纳滤膜和分子筛膜的若干新进展，并综述陶瓷膜在烟气除尘、收尘等气固分离方面的应用与前景．     

CeO_2,CeO_2+Gd_2O_3稳定的四方 ZrO_2电学性能的交流阻抗谱研究

以交流阻抗谱技术对四方 ZrO_2多晶陶瓷的电学性能进行了研究,结果表明,以 CeO_2+Gd_2O_3稳定的四方 ZrO_2比单纯用 CeO_2稳定的电导率要高一个多数量级,而活化能低约10%;与9mol%Y_2O_3稳定的立方ZrO_2比较,在900℃时电导率约为后者的一半,活化能则高约10%。研究结果还指出,杂质 SiO_2聚集在晶粒间界上,对材料的电导率和活化能都有很大影响。     

掺Sb2O3 的SnO2与Fe2O3厚膜的 电学行为及气敏特性

介绍掺入Sb_2O_3后的SnO_2和FeO_3(由γ-Fe_2O_3-热处理得到)气敏厚膜元件电阻和灵敏度的变化规律:对于SnO_2基元件,Sb_2O_3具有低掺杂(<4%wt)电阻变小,高掺杂电阻增大的作用,但气敏性降低;对于Fe_2O_3基元件,掺入Sb_2O_3后不但能降低电阻、提高气敏性,而且对丙酮的选择性也增强.指出Sb~(3+)→Sb~(5+)变化对上述效应起着重要作用,并探讨了Fe_2O_3基元件表面化学吸附增强的原因.     

CdO对In2O3电导和气敏性能的影响

为探索新型CdO-In2O3材料的气敏性能,用化学共沉淀法制备了CdO掺杂的In2O3微粉,研究了CdO掺杂对In2O3电导和气敏效应的影响。结果表明CdO和In2O3间能形成有限固溶体In2-CdxO3(0≤x≤0.02);In1.98Cd0.02O3x的电导比纯In2O3小得多;900℃下热处理4h所得的x(CdO)为2%的In2O3传感器在183℃工作温度下,对45μmol·L–1C2H5OH的灵敏度达276、响应–恢复时间只有3s和180s。有望开发为一类新型酒敏材料。