GexSi1—x／Si异质结大截面脊形BOA型光开关的模型分析及设计

本文提出了一种简便可行的ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ异质结无间距定向耦合光开关（ＢＯＡ型）模型分析方法。该方法采用等离子体色散效应分析了这种光开关的电学调制机理；采用异质结超注入原理分析了开关的电学性质；并根据大截面单模脊形波导理论和上述分析，设计了利用双模干涉机制工作的Ｇｅ０．１Ｓｉ０．９／Ｓｉ异质结ＢＯＡ开关的结构参数和电学参数。     

电光开关与GeSi红外传感器集成 的可行性讨论

在研制成功ＧｅＳｉ全内反射型电光开关的基础上，对这种电光开关与ＧｅＳｉ／Ｓｉ ＳＬＳ红外传感器的集成可行性进行了深入探索。     

pA量级质子束流测量系统

研制的质子束流测量系统,本底电流仅为１０＾－１４Ａ量级,可测最大电流达ｍＡ量级。在质子单粒子效应实验中,测得了ｐＡ量级的质子束及其随时间变化的关系,为半导体体器件粒子翻转截面的计算提供了必需的数据。     

GexSi1－x／Si超晶格PIN波导探测器结构及性能参数

从ＰＩＮ波导探测器性能参数的定义出发，阐述了各参数之间的内在联系，说明量子效率与带宽、灵敏度等物理量之间的矛盾现象。通过对具体结构及参数的分析比较，说明结构与参数之间的影响方式以及ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ超晶格波导探测器的特有性质，进一步论证了波导探测器的优点     

LPCVD氮化硅作减反射膜的MIS/IL太阳电池反型层性质的研究

设计了以MIS接触作为源、漏的MNOS场效应晶体管,通过晶体管电特性的测量,考察了MIS/IL太阳电池减反射膜(LPCVD氮化硅)中由于电荷存贮效应引起正电荷密度增大时反型层参数(薄层电阻R_(?),有效迁移率μ_(eff))的变化。利用建立的模型用计算机分析了这些变化对电池输出特性的影响,结果表明电荷存贮效应可以有效地提高电池的转换效率。     

Ge_xSi_（1－_x）等离子体色散效应及电光调制器

在研究了Ｓｉ的等离子体色散效应之后，我们预计ＧｅｘＳｉ１－ｘ也会有这一效应。理论分析和实践的结果都表明ＧｅｘＳｉ１－ｘ具有比Ｓｉ更强的等离子体色散效应。     

短沟道GaAs功率MESFET器件的二维有限差分数值模拟

本文系统叙述了用于分析短沟道GaAs MESFET器件特性的二维稳态数值模拟通用软件。模拟中首次考虑了GaAs器件内部杂质的非均匀分布及短沟道效应,以使求解符合实际;为了加快模拟收敛速度及精度,采用改进的有限差分算法对短沟道GaAs MESFET功率器件进行了模拟计算,取得了与实验相一致的结果。本通用软件具有自动网格划分,自由格式输入及模块化结构等特点,可方便、准确地描述GaAs MESFET内部的物理图象,预测器件在不同偏置下的特性。     

p－GeSi／n＋－Si异质结电光调制器

文章介绍了硅基光电子器件——ｐ－ＧｅＳｉ／ｎ＋－Ｓｉ异质结电光调制器的初步试验研究之后，给出了所研制调制器的调制深度为９０％时的调制电流约１８０ｍＡ。为了进一步减小调制电流和提高调制频率，提出了一些改进措施     

高效率硅太阳电池AR-BSF一次成型工艺研究

本文描述一种用LPCVD方法淀积Si3N4形成太阳电池减反射膜(AR)同时又制得高效率硅太阳电池铝合金高低结背面场(BSF)的新工艺。该工艺不仅简化了太阳电池的制作过程,即电池的AR和BSY一次形成,而且由于系统处于高真空,电池处在N2和H2的气氛中,所以改善了太阳电池发射区的表面特性。实验结果表明:为获得较好的电池性能,在完成电池的AR和BSF时,厚的铝膜,较高的淀积Si3N4温度以及在电池发射区表面生长80100的SiO2层是必要的。     

GexSi1—x／Si超晶格PIN波导探测器结构及性能参数

从ＰＩＮ波导探测器性能参数的定义出发，阐述了各类参数之间的内在联系，说明量子效率与带宽、灵敏度等物理量之间的矛盾现象。