1.08μmInAs/GaAs量子点激光器光学特性研究

介绍了ＩｎＡｓ／ＧａＡｓ量子点激光器的材料生长,器件制备及其光学特性的研究。器件为条宽１００μｍ,腔长１６００μｍ未镀膜激器。室温阈值电流密度为２２１Ａ／ｃｍ＾２,激射波长为１．０８μｍ,连续波工作最大光功率输出为２．７４Ｗ（双面）,外微分效率为８８％,经５０℃,１０００ｈ老化,仍有〉１．２Ｗ的光功率输出。     

应变补偿InGaAs/InAlAs量子级联激光器

利用应变补偿的方法研制出激射波长λ≈3.5—3.7μm的量子级联激光器.条宽20μm,腔长1.6mm的InxGa1-xAs/InyAl1-yAs量子级联激光器已实现室温准连续激射.在最大输出功率处的准连续激射可持续30min以上.     

多孔波导小发散角量子级联激光器

本文报道了激射波长为4.5μm带有多孔结构波导的量子级联激光器,具体器件工艺首先采用电化学腐蚀方法在脊形两侧制作出树枝状多孔结构,后续步骤在其中填充入金属材料。与普通脊形器件相比,带有多孔结构的新型器件具有更好的光束质量。此种半导体-金属混合结构对高阶模光反馈吸收作用较强,可对高阶横模产生明显的抑制作用,最终实现远场发散角达4.9°的基横模激射。     

量子级联激光器

１９９４年美国贝尔实验室采用ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡＩＡｓ量子ｏｔ／超晶格材料率先研制成功了１０Ｋ下脉冲激射波长为４．２６ｐｍ的量子级联激光器,开创了利用宽带隙材料研制中,远红外半导体激光器的先河,而其与传统激光器遇异的实现受激发射的方式,也在半导体激光器的发展史上书写了新的篇章．量子级联激光器是利用单极载流子（电子或空穴）注入进一系列级联式耦含量子讲产生子带间粒子数反转分布,进而利用子带间的受激跃迁而产生受激辐射的单极半导体激光器．这种单极粒子跃迁辐射具有单向们振（ＴＭ波）性,极适合于具有耳语回廊…     

ZnO压敏陶瓷晶界缺陷的正电子寿命谱研究

用正电子寿命谱（ＰＡＳ）研究了ＺｎＯ压敏陶瓷的晶界缺陷，用简单捕获模型解释ＰＡＳ结果并估算正电子捕获速率，主要的正电子陷阱是晶粒边界带负电的Ｚｎ空位。详细分析了材料制备过程中降温快慢对晶界特性的影响。     

连续波工作的波长7.6微米分布反馈量子级联激光器

本文制作完成了波长7.6 m附近的分布反馈量子级联激光器。使用全息曝光的方法完成了一级光栅的制备。对于脊宽14.5 m、腔长3 mm器件,通过在后腔面镀高反膜使器件能够实现从85 K到280 K连续波工作,并获得稳定的动态单模发射,边模抑制比约30dB,调谐范围达300 nm。85 K时的连续输出功率超过300 mW,270 K时输出功率仍有10 mW。     

室温激射应变补偿5.5μm量子级联激光器

利用应变补偿和优化波导结构来提高量子级联激光器的性能,实现了波长为5.5μm量子级联激光器的室温激射.利用双晶X射线衍射实验对材料生长质量进行了检验.对于条宽为20μm,长为2mm的脊形波导激光器,室温最大输出功率为单腔面45mW.     

7.8μm二级分布反馈量子级联激光器

报道了基于应变补偿的InP基In0.53+xGa0.47-xAs/In0.52-yAl0.48+yAs分布反馈量子级联激光器.采用二级光栅作为反馈,激射工作波长为7.8μm,在1%占空比,5kHz频率的工作条件下,在93～173K的温度范围内,单模发射光谱边模抑制比均超过20dB,调谐系数dλ/dT=0.5125nm/K.在93K时,峰值功率为30mW,直到153K时,峰值光功率仍达到12mW.     

室温激射应变补偿5.5μm量子级联激光器

利用应变补偿和优化波导结构来提高量子级联激光器的性能,实现了波长为5.5μm量子级联激光器的室温激射.利用双晶X射线衍射实验对材料生长质量进行了检验.对于条宽为20μm,长为2mm的脊形波导激光器,室温最大输出功率为单腔面45mW.     

室温工作4.3微米量子级联探测器

本文提出了一种由分子束外延生长的应变补偿InP基InGaAs/InAlAs量子级联探测器。该探测器工作中心波长位于4.3微米,工作温度可达室温。在室温下其响应率为1.27 mA/W,热噪声限探测率为1.02×〖10〗^7 cm?〖Hz〗^(1?2) W^(-1)。在80K温度下,该探测器的响应率和热噪声限探测率分别为14.55 mA/W 和 1.26×〖10〗^10 cm?〖Hz〗^(1?2) W^(-1)。其响应波段与大气二氧化碳的最强吸收范围相对应,因此该探测器十分适合于温室气体检测。